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特開 2026-159903出願番号 特願 2026-178280
半導体装置
出願人 株式会社半導体エネルギー研究所（識別番号 153878）
2026年 特許公開件数ランキング 10位 1,009件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 18位 764件（※）
公報発行日 2026年10月7
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2026-159903 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】連想メモリは一つのメモリセル内の素子数が多く、一つのメモリセルの面積が大
きくなりやすい。そこで、一つのメモリセルの面積を小さくする。
【解決手段】読み出し用のトランジスタのチャネル容量（ゲート電極とチャネル形成領域
との間の容量）を用いて電荷の保持を行う。つまり、読み出し用のトランジスタを電荷保
持用のトランジスタとして兼用する。また、読み出し用且つ電荷保持用のトランジスタの
ゲートに電荷供給用のトランジスタのソース又はドレインの一方を電気的に接続する。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
読み出し用のトランジスタのチャネル容量を用いて電荷の保持を行うことによって、一
つのメモリセルの面積を小さくすることができる。
読み出し用且つ電荷保持用のトランジスタには結晶性を有しシリコンを含有する半導体
を用い且つ電荷供給用のトランジスタには酸化物半導体を用いることによって、読み出し
速度を向上し且つ一つのメモリセルの面積を小さくすることができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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