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公報発行日 2026年10月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2026-164119 ログイン済みの方はこのURLへ
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【課題】薄膜で熱電性能に優れる熱電変換層の製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換層の製造方法は、導電性物質を含むメッキ層で被覆された導電性物質被覆熱電半導体粒子2を形成する工程と、導電性物質を含むメッキ層で被覆された導電性物質被覆熱電半導体粒子を基材上に配置し、導電性物質被覆熱電半導体粒子の成型体3を形成する工程と、成型体を導電性物質の融点以上の温度で焼成することにより熱電変換層4を得る工程と、を含む。熱電変換層中における導電性物質の含有量は、熱電半導体粒子と導電性物質の合計含有量100質量%に対し0.1~25質量%である。
【選択図】図1
本発明によれば、薄膜で熱電性能に優れる熱電変換層の製造方法を提供することができる。
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