技術分野
積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの実装構造に関し、特に、高容量の積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの実装構造
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、より高容量な積層セラミックコンデンサが求められる中、特許文献1の構造において有効部の素子厚を薄くすること、または有効部の積み枚数を増やすことは、技術的な課題が大きく容易に実現することが難しい。また、更なる高性能化のためには、特許文献1のようなシリーズ構造よりも、容量密度とBDVとの両立可能な構造が必要となる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に互いに対向する第1の主面および第2の主面と、積層方向に直交する幅方向に互いに対向する第1の側面および第2の側面と、積層方向および幅方向に直行する長さ方向に互いに対向する第1の端面および第2の端面と、を有する積層体と、積層体上に配置される外部電極を有する積層セラミックコンデンサで・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明によれば、シリーズ構造よりも、容量密度の向上と高い絶縁破壊電圧を有しうる積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの実装構造が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の第1の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図2】
図1の線II-IIにおける断面図である。
【図3】
図2の線III-IIIにおける断面図である。
【図4】
図2の線IV-VIにおける断面図である。
【図5】
本発明の第2の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す図2に対応する断面図である。
【図6】
図5の線VI-VIにおける断面図である。
【図7】
図5の線VII-VIIにおける断面図である。
【図8】
図5の線VIII-VIIIにおける断面図である。
【図9】
本発明の第3の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を示す図2に対応する断面図である。
【図10】
図9の線X-Xにおける断面図である。
【図11】
本発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造を示す平面図である。
【図12】
比較例1にかかる積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図13】
比較例2にかかる積層セラミックコンデンサの断面図である。
10A,10B,10C 積層セラミックコンデンサ
12 積層体
12a 第1の主面
12b 第2の主面
12c 第1の側面
12d 第2の側面
12e 第1の端面
12f 第2の端面
14 誘電体層
15a 内層部
15b,15c 外層部
16 内部電極層
16a 第1の内部電極層
16b 第2の内部電極層
16c 第3の内部電極層
16d 第4の内部電極層
18a 第1の対向電極部
18b 第2の対向電極部
20a 第1の引出電極部
20b 第2の引出電極部
22a,22b 側部(Wギャップ)
22c,22d 端部(Lギャップ)
24 外部電極
24a 第1の外部電極
24b 第2の外部電極
24c 第3の外部電極
24d 第4の外部電極
26a 第1の下地電極層
26b 第2の下地電極層
26c 第3の下地電極層
26d 第4の下地電極層
28a 第1のめっき層
28b 第2のめっき層
28c 第3のめっき層
28d 第4のめっき層
30a 第3の引出電極部
32a 第1の延長部
34a 第2の延長部
30b 第4の引出電極部
32b 第3の延長部
34b 第4の延長部
40 積層セラミックコンデンサの実装構造
42 実装基板
44 基板本体
46 実装面
50 第1の回路パターン
52 第2の回路パターン
54 第3の回路パターン
56 第4の回路パターン
60a 一方の第1の抵抗素子
60b 他方の第1の抵抗素子
62a 一方の第2の抵抗素子
62b 他方の第2の抵抗素子
x 積層方向
y 幅方向
z 長さ方向
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