技術分野
本発明の一態様は、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
（１）本発明の一態様は、第１の領域７００Ａと、第２の領域７００Ｂと、表示領域２３１と、を有する表示パネルである。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図2】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図3】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図4】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図。
【図5】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する上面図。
【図6】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図および回路図。
【図7】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図8】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。
【図9】
実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。
【図10】
実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図。
【図11】
実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図12】
実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。
【図13】
実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャート。
【図14】
実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図。
【図15】
実施の形態に係る情報処理装置の人工知能部を説明する図。
【図16】
実施例に係るトランジスタの特性を説明する図。
ＡＮＯ：導電膜、Ｂ：バイアス信号、Ｃ２１：容量素子、ＣＩ：制御情報、ＤＳ：検知情報、Ｇ２：走査線、ＧＤＡ：駆動回路、ＧＤＢ：駆動回路、ＧＤＣ：駆動回路、ＧＣＬＫ：信号、ＩＩ：入力情報、ＩＮ：情報、Ｐ１：部分、Ｐ２：境界、Ｐ３：部分、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、Ｒ１：曲率半径、Ｒ２：曲率半径、Ｒ３：曲率半径、Ｓ２：信号線、ＳＤ：駆動回路、ＳＤＡ：駆動回路、ＳＤＢ：駆動回路、ＳＤＣ：駆動回路、ＳＰ：制御信号、ＳＷ２：スイッチ、Ｕ：積和信号、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、ＶＣＯＭ２：導電膜、Ｗ：情報、１０：積和演算器、３０：変換器、７１：ニューロン回路、７２：ニューロン回路、８０：ニューラルネットワーク、８１：入力層、８２：中間層、８３：出力層、９０：半導体装置、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、２４８：制御部、２５０：検知部、２９０：通信部、４００：分子量、５０１Ｃ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１２Ｃ：導電膜、５１２Ｄ：導電膜、５１２Ｅ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１６Ａ：絶縁膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５２８：絶縁膜、５３０：画素回路、５５０：表示素子、５５１：電極、５５２：電極、５５３：層、５９１Ａ：開口部、７００：表示パネル、７００Ａ：領域、７００Ｂ：領域、７００Ｃ：領域、７００ＴＰ：入出力パネル、７０２：画素、７０３：画素、７２０：機能層、７７０：基材、７７０Ｐ：機能膜、７７１：絶縁膜、７７５：検知素子、７９１：部材、７９１Ａ：弾性体、７９１Ｂ：弾性体、７９１Ｃ：弾性体、７９２：部材
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