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特許 7339486出願番号 特願 2020-536657
腐食を防止するための犠牲導電性スタックを用いる方法
出願人 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド（識別番号 507107291）
2026年 特許公開件数ランキング 399位 66件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 494位 42件（※）
公報発行日 2023年9月6
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7339486 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
本願は概して、銅接続の腐食を防止することに関し、より詳細には腐食を防止するために犠牲導電性スタックを用いる方法
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
一実施例に従った、腐食を防止するために犠牲導電性スタックによって銅メタライゼーション層が保護されるウェハの例を示す。
【図2A】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2B】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2C】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2D】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2E】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2F】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図2G】
一実施例に従って形成される、或るタイプの相互接続又はアンダーバンプメタライゼーションを有するＩＣチップの一部を示す。
【図3】
一実施例に従った、腐食を防止するために犠牲導電性スタックを形成する方法を示す。
【図4】
一実施例に従った、銅メタライゼーション層の上に相互接続を形成する方法を示す。
【図5】
従来技術に従った、ワイヤボンディングを受け取る銅メタライゼーション層が腐食から保護されているウェハを示す。
【図6】
バンプアレイの形成のためにバンプショップに送られる銅メタライゼーション層が従来技術に従って腐食から保護されているウェハを示す。
代表図 図1本件の代表的な図
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