本開示のの特徴を詳細に理解することができるように、先に簡潔に要約した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによってなされ得、それらのいくつかが添付の図面に例示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示し、したがって、その範囲を限定するものと見なされるべきではなく、本開示が他の同等に有効な実施形態を認め得ることに留意すべきである。
【図1A】
図1A~図1Cは、ドーパント元素を含むBiSb合金層の概略図である。
【図1B】
図1A~図1Cは、ドーパント元素を含むBiSb合金層の概略図である。
【図1C】
図1A~図1Cは、ドーパント元素を含むBiSb合金層の概略図である。
【図2A】
図2A~図2Bは、複数のBiSbラメラ層を含み、各BiSbラメラ層の間にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2B】
図2A~図2Bは、複数のBiSbラメラ層を含み、各BiSbラメラ層の間にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2C】
図2C~図2Dは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁及び上部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2D】
図2C~図2Dは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁及び上部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2E】
図2E~図2Fは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁、中央、及び上部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2F】
図2E~図2Fは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁、中央、及び上部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2G】
図2G~図2Hは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図2H】
図2G~図2Hは、複数のBiSbラメラ層を含み、BiSbE合金層の下部縁にドーパント元素ラメラ層を含むBiSbE合金層の概略図である。
【図3】
図3は、非金属ドーパント元素Siを含むBiSbE合金層の様々なスタックのBiSb方位の強度の対数に対する2シータXRDスキャンを示す。
【図4】
図4は、金属ドーパント元素CuAgNiを含むBiSbE合金層の様々なスタックのBiSb方位の強度の対数に対する2シータXRDスキャンを示す。
【図5】
図5は、ドーパント元素NiFe、Si、及びCuAgNiについてのBiSbE合金層にわたるドーパントE-Cs+クラスタのTOF-SIMSのネット強度を示す。
【図6】
図6は、シリサイドキャップ層、金属ドーパントCuAgNiを含むBiSbE合金層、及びシリサイドシード層を含むBiSbEスタックにわたるTEM Cu EELSスキャンを示す。
【図7】
図7は、金属ドーパントを含む様々なBiSbE合金層の厚さに対する導電率を示す。
【図8】
図8は、非金属ドーパント元素を含む様々なBiSbE合金層の厚さに対する導電率を示す。
【図9】
図9は、様々なSiドーパント元素濃度の1度の入射角で得られた面内XRDパターンによって測定されたBiSbSi粒径に対する、室温で堆積時のBiSbSi合金の非金属ドーパント元素Siの濃度を示す。
【図10】
図10は、XRRによって決定されるBiSbE合金層の表面粗さを、非金属ドーパント元素Siの原子パーセント含有量の関数として示す。
【図11】
図11は、非金属ドーパント元素及び金属ドーパント元素についてのBiSbEの推定厚さに対するBiSbE合金の推定粒径を示す。
【図12】
図12は、BiSbEスタックの面外又は結合スキャンの2シータXRDに対する強度の対数のプロットである。
【図13A】
図13Aは、SOTベースの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスを形成する(012)方位を有するBiSbE合金層を有するSOTデバイスの特定の実施形態の概略断面図である。
【図13B】
図13Bは、磁気記録に使用されるSOTベースのエネルギー支援磁気記録(EAMR)ライトヘッドの一部又は構成要素を形成する(012)方位を有するBiSbE合金層を有するSOTデバイスの特定の実施形態の概略断面図である。
理解を容易にするために、図面に共通する同一の要素を示すために、可能な限り、同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示される要素は、特に断ることなく、他の実施形態に有益に利用され得ることが企図される。