特許 7384277出願番号 特願 2022-516984
圧電デバイス
出願人 株式会社村田製作所（識別番号 6231）
2026年 特許公開件数ランキング 57位 333件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 35位 437件（※）
公報発行日 2023年11月21
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7384277 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
圧電デバイスに関し、より特定的には、圧電デバイスにおいて生じる高次モードのスプリアスを低減するための技術
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
国際公開第２０１５／０９８６７８号明細書（特許文献１）に開示されているような多層膜を有する弾性波装置（圧電デバイス）においては、ＩＤＴ電極の共振周波数に基づくメインモードの信号とともに、多層膜の厚みに起因する積層方向の共振モードが発生する。この共振モードによって、ＩＤＴ電極の共振周波数よりも高い周波数を有する高次モードの不要波（スプリアス）が不可避的に生じ得る。このようなスプリアスが生じると、ＩＤＴ電極によって伝播するメインモードの高周波信号にノイズとなって重畳し、圧電デバイスの特性劣化の要因となり得る。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示に係る圧電デバイスは、支持基板と、支持基板上の第１領域に配置された中間層と、中間層上に配置された圧電層と、圧電層上に形成された機能素子と、絶縁層とを備える。絶縁層は、支持基板上において、第１領域に隣接する第２領域に配置される。第２領における支持基板の表面粗さは、第１領域おける支持基板の表面粗さよりも大きい。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示による圧電デバイスによれば、支持基板において、圧電層および中間層が形成される第１領域の表面粗さよりも、絶縁層が形成される第２領域の表面粗さが大きくなるように構成される。これにより、表面粗さが大きくなると当該領域の厚みのばらつきが増えるため、表面粗さが小さい場合に比べて、発生したスプリアスに合致する共振モードが生じにくくなる。したがって、漏洩した高次モードのスプリアスが減衰されやすくなるので、スプリアスに伴う特性劣化を抑制することが可能となる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態１に係る圧電デバイスの断面図である。
【図2】
図１の圧電デバイスの部分断面図である。
【図3】
実施の形態２に係る圧電デバイスの部分断面図である。
【図4】
実施の形態３に係る圧電デバイスの部分断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１００，１００Ａ，１００Ｂ 圧電デバイス、１０５ 積層体、１１０，１１０Ａ，１１０Ｂ 支持基板、１２０ 機能素子、１３０ 圧電層、１４０ 中間層、１４１ 低音速層、１４２ 高音速層、１５０ 絶縁層、１６０，１６１ 配線電極、１７０ 支持層、１７５ カバー層、１８０ 柱状電極、１８１ 第１端部、１８２ 第２端部、１８５ 接続電極、１９０ 中空空間。
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