特許7389543IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

窒化物半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

窒化物半導体装置では、イオン注入により形成されたＰ型領域の結晶欠陥密度を低減することが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、エピタキシャル層と、エピタキシャル層上において、深さ方向に１００ｎｍ以上連続して設けられ、１×１０１７ｃｍ－３以上であるＰ型のドーピング濃度を有するイオン注入層とを備え、イオン注入層は、エピタキシャル層とイオン注入層との界面から上面側に１００ｎｍ以内の範囲に結晶欠陥が１×１０１６ｃｍ－３以下である領域を有する窒化物半導体装置を提供する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例１に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。
【図2】 実施例１に係る窒化物半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
【図3】 比較例に係る窒化物半導体装置５００のＰＮ接合リークの一例を示す。
【図4】 図１に係る窒化物半導体装置１００のＰＮ接合リークの一例を示す。
【図5A】 実施例に係る窒化物半導体装置１００のＨＡＡＤＦ像の一例を示す。
【図5B】 実施例に係る窒化物半導体装置１００のＡＢＦ像の一例を示す。
【図6】 比較例に係るイオン注入層５３０の結晶欠陥密度を示す断面ＴＥＭ画像の一例である。
【図7】 イオン注入層３０の結晶欠陥密度を示す断面ＴＥＭ画像の一例である。
【図8】 イオン注入層３０におけるＭｇのＳＩＭＳ分析結果を示す。
【図9】 実施例２に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。
【図10A】 実施例３に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。
【図10B】 実施例３に係る窒化物半導体装置１００の他の例である。
【図11A】 実施例４に係る窒化物半導体装置１００の構成の一例を示す。
【図11B】 実施例４に係る窒化物半導体装置１００の他の例である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・基板、２０・・・エピタキシャル層、３０・・・イオン注入層、３２・・・イオン注入層、４０・・・絶縁層、４２・・・ゲート絶縁膜、５０・・・下面側電極、５２・・・上面側電極、５４・・・Ｎｉ層、５６・・・Ａｕ層、５８・・・ＰｔＰｄ層、６０・・・ソース領域、７０・・・イオン注入層、８０・・・ゲートトレンチ、１００・・・窒化物半導体装置、１１０・・・マスク、１２０・・・保護膜、５００・・・窒化物半導体装置、５３０・・・イオン注入層

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