特許7563001IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、半導体モジュールとキャパシタとの接続に溶接による接合が用いられる場合がある。溶接接合では、例えば、重ねられた２枚の端子が溶接される。この際、溶接が、重ねられた２枚の端子を突き抜けてしまうと、これらの端子の下に設けられた部材が損傷を受けてしまう。損傷を受けてしまった部材は本来の機能を果たすことができなくなる。例えば、これらの端子の下に絶縁部材が配置されて、溶接により絶縁部材に孔が空いてしまうと絶縁部材の絶縁性が損なわれてしまう。これにより、半導体モジュールとキャパシタとを含む半導体装置の信頼性が低下してしまう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、キャパシタ及び半導体モジュールを含む半導体装置であって、前記キャパシタは、キャパシタ端子を含むケースと、第１おもて面と前記第１おもて面の反対側の第１裏面とを含む第１接続端子とを備え、前記第１接続端子が前記ケースから延出しており、前記半導体モジュールは、第１パワー端子と、第２おもて面を含む第１絶縁部材とを備え、前記第２おもて面に前記第１パワー端子が重なっており、前記第１・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、周囲に損傷を与えることなく端子間が接合されて、信頼性の低下を抑制することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態の半導体装置である。
【図2】 実施の形態の半導体モジュールである。
【図3】 実施の形態の半導体装置の半導体モジュールで構成される等価回路である。
【図4】 実施の形態のキャパシタである。
【図5】 実施の形態の半導体装置に含まれる接続機構を示す断面図である。
【図6】 実施の形態の半導体装置に含まれる溶接部の要部断面図である。
【図7】 実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図（その１）である。
【図8】 実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための斜視図（その１）である。
【図9】 実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図（その２）である。
【図10】 実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための斜視図（その２）である。
【図11】 実施の形態の半導体装置の接続方法におけるレーザ出力に対する絶縁良否を示す表である。
【図12】 実施の形態の半導体装置の接続方法におけるレーザ出力に対する溶接良否を示す表である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 半導体装置 ２０ 半導体モジュール ２１，３１ ケース ２１ａ 第１側部 ２１ａ１，２１ａ２，２１ａ３ 端子領域 ２１ｂ 第２側部 ２１ｃ，２１ｃ１，２１ｃ２，２１ｃ３ 収納領域 ２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ 第２パワー端子 ２３，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 第１絶縁シート ２４，２４ａ，２４ｂ，２４ｃ 第１パワー端子 ２５，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ 端子積層部 ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ 制御端子 ２７ａ Ｕ端子 ２７ｂ Ｖ端子 ２７ｃ Ｗ端子 ２８，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ テラス部 ３０ キャパシタ ３１ａ 第３側部 ３２ 第２接続端子 ３２ａ 第１接続部分 ３２ｂ 第２接続部分 ３２ｃ 第３接続部分 ３３ 第２絶縁シート ３３ａ 第１取付部分 ３３ｂ 第２取付部分 ３３ｃ 第３取付部分 ３４ 第１接続端子 ４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 連結部材 ４４ａ，４４ｂ，４４ｃ レーザ溶接痕 ５０ 溶接部 ５１ 最底部 ２２１ 第２接合領域 ２３１，４０１ おもて面 ２４１ 第１接合領域 ３２１ 第１導通部 ３２２ 第１配線部 ３４１ 第２導通部 ３４２ 第２配線部 ３４３ 第３接合領域 ４０２ 裏面

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