特許 7588638出願番号特願 2022-515984
カプセル化トポグラフィ支援自己整合型ＭＲＡＭトップ・コンタクト

出願人インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション（識別番号 390009531）

2026年特許公開件数ランキング 133位 156件（※）

2026年特許取得件数ランキング 32位 396件（※）

公報発行日　2024年11月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7588638　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスに関し、とりわけ、ＭＲＡＭデバイスにおいて自己整合型トップ・コンタクトを形成するためのカプセル化トポグラフィ支援技術

【図1】本発明の実施形態による、下地基板を覆う誘電体中に形成されているキャッピング層をともなうインターコネクトを図示する断面図である。

【図2】本発明の実施形態による、インターコネクト上でキャッピング層の上に形成されている磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、ＭＴＪを覆って堆積されているコンフォーマル・カプセル化層と、ＭＴＪを覆って堆積されている／囲んでいる第２の誘電体（例えば、層間絶縁膜（ＩＬＤ））とを図示する断面図である。

【図3】本発明の実施形態による、ＭＴＪの上方の第２の誘電体にパターニングされており、トレンチの底部のところにトポグラフィを作り出すトレンチ内部の（カプセル化された）ＭＴＪを露出させるトレンチを図示する断面図である。

【図4】本発明の実施形態による、トレンチの中へと堆積されておりトレンチをライニングするコンフォーマル・バリア層、およびＭＴＪの上方のトレンチ内のバリア層を覆う金属配線を形成するために金属で埋められているトレンチを図示する断面図である。

【図5】本発明の実施形態による、ＭＴＪの最上部のところのカプセル化層の露出したピークによって区切られたセグメントへと金属配線を分断する、カプセル化層までリセスされている金属配線を図示する断面図である。

【図6】本発明の実施形態による、ＭＴＪの最上部のところにリセスを形成するためにエッチングされているカプセル化層の露出したピークを図示する断面図である。

【図7】本発明の実施形態による、ＭＴＪの各々の最上部のリセス内に形成されているコンタクトを図示する断面図である。

【図8】代替の実施形態にしたがって、本発明の実施形態によるＭＴＪの上方の第２の誘電体にパターニングされており、トレンチの底部のところにトポグラフィを作り出すトレンチ内部の（カプセル化された）ＭＴＪを露出させるオフセット・トレンチを図示する図２から続く断面図である。

【図9】本発明の実施形態による、トレンチの中へと堆積されておりトレンチをライニングするコンフォーマル・バリア層、およびＭＴＪの上方のトレンチ内のバリア層を覆う金属配線を形成するために金属で埋められているトレンチを図示する断面図である。

【図10】本発明の実施形態による、カプセル化層がＭＴＪの最上部のところでカプセル化層の露出したピークよって区切られたセグメントへと金属配線を分断する、カプセル化層までリセスされている金属配線を図示する断面図である。

【図11】本発明の実施形態による、ＭＴＪの最上部のところにリセスを形成するためにエッチングされているカプセル化層の露出したピークを図示する断面図である。

【図12】本発明の実施形態による、ＭＴＪの各々の最上部のリセス内に形成されているコンタクトを図示する断面図である。

【図13】本発明の実施形態による、例示的なＭＴＪを図示する断面図である。

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