特許7601262IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体モジュール

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 半導体モジュール100の構成の概要を示す。
【図1B】 半導体組立体160の拡大図の一例である。
【図1C】 図1Bで示した半導体組立体160のa-a'断面の一例を示す。
【図1D】 実施例に係る半導体モジュール100の主回路図である。
【図2】 半導体モジュール100のスイッチング時の電流電圧特性を示す。
【図3A】 上アーム102に配置されたスイッチング素子10のオン状態を示す、図2における時刻T1での回路図である。
【図3B】 上アーム102に配置されたスイッチング素子10のオフ状態を示す、図2における時刻T2での回路図である。
【図3C】 上アーム102に配置されたスイッチング素子10のオン状態を示す、図2における時刻T3での回路図である。
【図3D】 上アーム102のオンに伴って、下アーム104に逆回復電流Irrが流れる半導体組立体160の上面図の一例である。
【図4A】 下アーム104に配置されたスイッチング素子20のオン状態を示す、図2における時刻T1での回路図である。
【図4B】 下アーム104に配置されたスイッチング素子20のオフ状態を示す、図2における時刻T2での回路図である。
【図4C】 下アーム104に配置されたスイッチング素子20のオン状態を示す、図2における時刻T2から時刻T3での回路図である。
【図4D】 下アーム104のオンに伴って、上アーム102に逆回復電流Irrが流れる半導体組立体160の上面図の一例である。
【図5A】 半導体組立体160の変形例の拡大図である。
【図5B】 半導体組立体160の変形例の拡大図である。
【図6A】 半導体組立体160の変形例の拡大図である。
【図6B】 半導体組立体160の変形例の拡大図である。
10・・・スイッチング素子、11・・・ゲート電極、12・・・ゲート配線部材、13・・・ソース電極、14・・・補助ソース配線部材、15・・・ダイオード素子、16・・・アノード電極、20・・・スイッチング素子、21・・・ゲート電極、22・・・ゲート配線部材、23・・・ソース電極、24・・・補助ソース配線部材、25・・・ダイオード素子、26・・・アノード電極、31・・・回路板、32・・・回路板、33・・・回路板、36・・・回路板、38・・・回路板、100・・・半導体モジュール、102・・・上アーム、104・・・下アーム、106・・・P型配線部、108・・・N型配線部、110・・・出力端子、112・・・ゲート外部端子、114・・・補助ソース外部端子、122・・・ゲート外部端子、124・・・補助ソース外部端子、132・・・正極端子、134・・・負極端子、150・・・積層基板、151・・・絶縁板、152・・・回路板、153・・・金属板、160・・・半導体組立体、170・・・筐体、181・・・第1配置領域、182・・・第2配置領域、183・・・第3配置領域、200・・・負荷、210・・・駆動部

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