ＡＲ 配置領域、ＢＩ 絶縁層、ＣＯ コア部、ＣＴ 切断用トランジスタ、ＣＴ１，ＣＴ２，ＶＣＡ，ＶＣＢ，ＶＣＣ，ＶＣＤ ビア導電層、Ｄ ドレイン、ＥＨ 電気ヒューズ素子、ＦＩ１～ＦＩ４，ＦＩ１１，ＦＩ１２，ＩＴ１～ＩＴ４，ＩＴＡ，ＩＴＢ，ＩＴＣ，ＩＴＤ，ＳＩ１，ＳＩ２，ＳＩ１１，ＳＩ１２ 配線層、Ｇ ゲート、ＧＤ 接地電源、Ｈ１，Ｈ２，Ｈｍ，ＨＳ ヒューズ、ＨＴ 伝熱体、ＨＴ１，ＨＴ２，ＨＴ３ 伝熱層、Ｉ１，Ｉ１ａ，Ｉ１ｂ，Ｉ１ｃ，Ｉ１ｄ，Ｉ２，ＩＡ，ＩＢ，ＩＣ，ＩＤ，ＩＥ 層間絶縁層、ＬＳ レベルシフタ、ＭＬ 金属層、Ｎ１，Ｎ２，Ｎｍ ブロック、Ｐ１ 第１部分、Ｐ２ 第２部分、Ｐ３ 第３部分、ＰＤ パッド電極、ＰＤ２，ＰＤ３ パッド部、ＰＤａ 試験用パッド電極、ＰＶ 電源、ＲＡ ＲＡＭ領域、ＲＢ 冗長回路領域、ＲＣ 電源回路領域、ＲＤ ＣＰＵ領域、ＲＥ 周辺回路領域、ＲＥＤ 冗長ブロック、ＲＦ 発振回路領域、ＲＬ 抵抗層、ＲＬａ，ＲＬｂ，ＲＬｃ 抵抗部、ＲＲ 抵抗、Ｓ ソース、ＳＢ 半導体基板、ＳＣ 半導体装置、ＴＰ２，ＴＰ３ テーパ部、ＴＲ トランジスタ、ＴＲＥ 溝、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，ＶＨＡ，ＶＨＢ ビアホール。