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表示装置及び波長変換基板

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来の、液晶表示装置、マイクロＬＥＤ、及び有機ＥＬ表示装置においては、いずれも、表示機能層からの出射光が画素開口部に向かう光の直線性が十分に得られていない。従って、隣接する画素に対する迷光（斜め方向の光）が発生してしまい、表示コントラストが低下する。画素サイズの微細化が進むに従って、迷光に起因する表示コントラスト低下が問題となる。また、表示装置が明るい環境下で使用される際、外部から表示装置に入射する入射光に起因する表示コントラスト低下も問題となる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１態様に関わる表示装置は、透明な第１基板と、前記第１基板の厚さ方向において前記第１基板と対向するカラーフィルタと、前記カラーフィルタを挟んで前記第１基板と対向して配置され、前記カラーフィルタに向かって開口する複数の画素開口部が形成された第１ブラックマトリクス層と、前記第１ブラックマトリクス層における前記第１基板と反対側の表面において前記複数の画素開口部を除く範囲に積層した光反射性マ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の表示装置及び波長変換基板によれば、高精細化がさらに要求されるマイクロＬＥＤ（ＬＥＤディスプレイ）、及びミニＬＥＤ、液晶表示装置などの表示装置において、表示の明るさを向上することができる表示装置および波長変換基板を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第１実施形態に関わる表示装置の部分断面図である。
【図2】 本発明の第２実施形態に関わる表示装置の部分断面図である。
【図3】 図２におけるＦ３部の拡大図である。
【図4】 図２に示す光反射性マトリクス層の変形例１である。
【図5】 図２に示す光反射性マトリクス層の変形例２である。
【図6】 図２におけるＦ６部の拡大図である。
【図7】 発光素子を薄膜トランジスタなどで駆動する回路図の例である。
【図8】 図２における補助導体、光反射性マトリクス層、および第１ブラックマトリクス層の平面視形状を示す部分平面図である。
【図9】 本発明の第３実施形態に関わる表示装置の部分断面図である。
【図10】 本発明の第４実施形態に関わる表示装置の部分断面図である。
【図11】 青色ＬＥＤを発光素子とする直下型バックライトユニットを具備する従来の表示装置の模式断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 第１ブラックマトリクス層 ２ カラーフィルタ ３、４、５ 波長変換層 ３Ｂ 光散乱層 ３Ｇ 緑色変換層 ３Ｒ 赤色変換層 ６ 光反射性マトリクス層 ７ 透過率調整層 ８ 第２ブラックマトリクス層 １０ 放熱膜 １１ 円偏光板 １２ 赤変換粒子 １３ 緑変換粒子 １７ 光散乱粒子 １８ 第１導電性酸化物薄膜 １９、２２ 金属薄膜 ２０ 第２導電性酸化物薄膜 ２１ 薄膜 ２３ 上部電極 ２４ 発光素子(ＬＥＤ) ２８ 下部電極 ２９ 反射電極 ３１ 補助導体 ３７ 隔壁 ４９ 薄膜トランジスタ ５０ 第１薄膜トランジスタ ５１ 第２薄膜トランジスタ ５２ 容量素子 ５９ 観察者 １００、２００、３００、４００ 表示装置 １００Ａ 上部積層体 １００Ｂ 下部積層体 １１０ 第１基板 １２０ 第２基板 １３０ 波長変換基板 Ｂ 青フィルタ Ｇ 緑フィルタ ｏｒ、ｏｇ、ｏｂ 開口部 Ｏｒ、Ｏｇ、Ｏｂ 画素開口部 Ｒ 赤フィルタ

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