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特許 7699259出願番号 特願 2024-49037
モノリシックフォトモスリレー及びその製造方法
出願人 台亞半導體股▲フン▼有限公司（識別番号 523433790）
2026年 特許公開件数ランキング 743位 24件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1413位 9件（※）
公報発行日 2025年6月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7699259 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
モノリシックフォトモスリレー（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｏｐｔｏ－ｍｏｓｆｅｔ ｒｅｌａｙ）及びその製造方法に関する。具体的には、本発明は、モノリシックフォトモスリレーの構成要素を作製するために同じプロセスと同じ低ドープの炭化ケイ素基板を使用する。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの回路を示す模式図
【図2】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図3】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図4】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図5】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図6】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図7】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造工程を示す断面図
【図8】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの回路レイアウトを示す上面図
【図9】
本発明のパッケージング後のモノリシックフォトモスリレーを示す断面図
【図10】
本発明のパッケージング後のモノリシックフォトモスリレーを示す断面図
【図11】
本発明のパッケージング後のモノリシックフォトモスリレーを示す断面図
【図12】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの制御回路を示す模式図
【図13】
本発明に係るモノリシックフォトモスリレーの製造方法を示すフローチャート
代表図 図1本件の代表的な図
１００ モノリシックフォトモスリレー
１１０ 発光ダイオード
１１１ 光
１１３ 反射光
１３０ フォトダイオード
１５０ 第１金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
１５１ 第１ゲート
１５３ 第１ソース
１５５ 第１ドレイン
１７０ 第２金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
１７１ 第２ゲート
１７３ 第２ソース
１７５ 第２ドレイン
１９１ 基板
１９２ エピタキシャル層
１９２１ 第１のＰ－Ｎ構造
１９２２ 第２のＰ－Ｎ構造
１９２３ Ｎ－Ｐ－Ｎ構造
１９２４ トレンチ
１９２５ 高電圧領域
１９２６ 低電圧領域
１９４ 隔離層
１９５ 金属層
２００ 入力回路
３００ 出力回路
４００ 封止剤
５００ 青色紫外線反射フィルム
６００ 金属ケース
７００ 制御回路
Ｓ１３０２～Ｓ１３１４ ステップ
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