１００ 強誘電体ナノ粒子キャパシタデバイス １０２、１１２ 導電性素子の（対） １０４ａ、１０４ｂ 強誘電体ナノ粒子 １０６ 分極状態 １０８、１１８ 導電性素子の互いに対向する表面 １１０ａ、１２０ａ 強誘電体ナノ粒子１０４ａに関連する導電性素子の第１のセクション部分（第１の第１のセクション） １１０ｂ、１２０ｂ 強誘電体ナノ粒子１０４ｂに関連する導電性素子の第１のセクション部分（第２の第１のセクション） １１０、１２０ 強誘電体ナノ粒子の全表面投影面積 １１４ 電荷制御デバイス １１４ａ 電気接続 １２２ 誘電体セパレータ材料 １２４、１２６、１２８ 第１、第２、第３の強誘電体キャパシタ １３０ 誘電体キャパシタ １３２ 電荷 Ｃｆ （第１の）強誘電体キャパシタのキャパシタンス Ｃｄ 誘電体キャパシタのキャパシタンス １０２’、１１２’ 誘電体セパレータ材料の上下の導電性素子のセクション ２０２ 追加の導電性素子 ２０４ 誘電体スペーサ ２０６ ヒータ、温度制御素子 ２０８ 基板 ２１０ 力制御素子 ２１２ 機械的変形 ２１４ 電荷制御デバイス、直列キャパシタ ３００ トランジスタ ３０２ チャネル ３０４ 半導体基板 ３０６ ソース／ドレイン領域 ３０８ ゲートスタック ３１０ ゲート電極 ３１２ 底部電極 ５０２ 導線 ５０４ 検知電極 ５０６ 空間分解入出力デバイス ５０８ パルス ５１０ パルスシーケンス ６００ 方法 ６０２ データリザーバ ６０４ データリザーバの入力 ６０６ データリザーバの出力 ６０８ 人工ニューラルネットワーク ６１０ 人工ニューラルネットワークの出力