特許7744454IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

導電材料およびその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

近年の自動車の自動運転化および電装化に伴い、車載用端子の更なる小型化が進んでいる。端子の小型化により、ばね構造が小さくなるため、端子の接触圧が低下する。そのため、低接触圧でも高い導電性（すなわち低接触抵抗）を示す導電材料が求められている。しかしながら、特許文献１に記載のような従来技術では、低接触圧下（＜２Ｎ）での接触抵抗の検討がなされておらず、更なる改善の余地があることが分かった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の態様１は、 銅又は銅合金からなる母材と、Ｎｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択されるいずれか１種以上から構成される１層以上である下地層と、Ｃｕ－Ｓｎ合金層と、Ｓｎ層と、をこの順に有する導電材料であって、 前記導電材料の前記Ｓｎ層側の表面のうち、前記Ｓｎ層を５０面積％以上含む２５０μｍ角の領域において、カットオフ値を２５μｍとして評価したスキューネスが－３．５０～３．５０である・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の実施形態によれば、十分な耐熱性を有しつつ、低接触圧下（＜２Ｎ）での接触抵抗を十分に低くできる導電材料およびその製造方法を提供することが可能である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 図１Ａは、試験Ｎｏ．１の導電材料のＳｎ層側の表面の光学顕微鏡像である。
【図1B】 図１Ｂは、試験Ｎｏ．２の導電材料のＳｎ層側の表面の光学顕微鏡像である。
【図1C】 図１Ｃは、試験Ｎｏ．３の導電材料のＳｎ層側の表面の光学顕微鏡像である。
【図1D】 図１Ｄは、試験Ｎｏ．７の導電材料のＳｎ層側の表面の光学顕微鏡像である。
【図2A】 図２Ａは、ＳＥＭによる、試験Ｎｏ．１の導電材料のＳｎ層側の表面の二次電子（ＳＥ）像である。
【図2B】 図２Ｂは、ＳＥＭによる、試験Ｎｏ．１の導電材料のＳｎ層側の表面の後方散乱電子（ＢＳＥ）像である。
【図3A】 図３Ａは、試験Ｎｏ．１の導電材料の各層の積層方向に平行な断面ＳＥＭ像である。
【図3B】 図３Ｂは、試験Ｎｏ．７の導電材料において、Ｓｎ層側の表面からＣｕ－Ｓｎ合金層の一部が露出している部分を含む、各層の積層方向に平行な断面ＳＥＭ像である。
【図3C】 図３Ｃは、試験Ｎｏ．７の導電材料において、Ｓｎ層側の表面からＣｕ－Ｓｎ合金層が露出していない部分の、各層の積層方向に平行な断面ＳＥＭ像である。
【図4】 図４は、動摩擦係数評価に用いた装置の模式図である。
１ Ｃｕ－Ｓｎ合金層 ２ Ｓｎ層 ２ａ 残留Ｓｎ層 ２ｂ 無光沢Ｓｎめっき層 ３ 下地層 １０ オス試験片 １１ 水平な台 １２ メス試験片 １３ 錘 １４ ロードセル

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