特許7758079IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような半導体装置では、ダイオード部のみならず、トランジスタ部のダイオード部隣接領域にもライフタイム制御領域を設けることにより、逆回復時における正孔注入を抑制する。しかしながら、トランジスタ部においてライフタイム制御領域が設けられた領域は、トランジスタとして動作しない無効領域となってしまうという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、トランジスタ部およびダイオード部を有する半導体基板と、半導体基板のおもて面の上方に設けられたエミッタ電極およびゲート電極とを備え、トランジスタ部は、ゲート電極と電気的に接続された複数のトレンチ部と、半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上方に設けられた第２導電型のベース領域と、ドリフト領域とベース領域・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本半導体装置１００の上面の一例を示す図である。
【図2A】 図１における領域Ａの一例を示す拡大図である。
【図2B】 図２Ａにおけるａ－ａ'断面を示す図である。
【図2C】 図２Ａにおけるｂ－ｂ'断面を示す図である。
【図2D】 図２Ａにおけるｃ－ｃ'断面を示す図である。
【図3A】 図１における領域Ｂの一例を示す拡大図である。
【図3B】 図３Ａにおけるｄ－ｄ'断面を示す図である。
【図4】 逆回復時におけるコレクタ電流Ｉｃの時間変化を示すグラフである。
【図5A】 図１における領域Ａの他の一例を示す拡大図である。
【図5B】 図５Ａにおけるａ－ａ'断面を示す図である。
【図6A】 図１における領域Ａの他の一例を示す拡大図である。
【図6B】 図６Ａにおけるｅ－ｅ'断面を示す図である。
【図6C】 図６Ａにおけるｆ－ｆ'断面を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・プラグ領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、２９・・・直線部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、４８・・・ゲートランナー、４９・・・コンタクトホール、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、６０・・・メサ部、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、７５・・・トレンチボトムバリア領域、７７・・・フローティングバリア領域、８０・・・ダイオード部、８２・・・カソード領域、９２・・・ガードリング、９４・・・フィールドプレート、９６・・・チャネルストッパ、１００・・・半導体装置、１０２・・・端辺、１６０・・・活性領域、１９０・・・エッジ終端構造部

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