特許7758195IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特許7758195

技術分野

半導体モジュール、半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、キャパシタを接続する半導体モジュールの端子部が、絶縁シートを正極及び負極の端子で挟んだ積層構造を有している場合、絶縁シート直上の端子に接続部材を重ね合わせ、接続部材側からレーザー照射等によって熱を加えて溶接を行うと、その溶接時の熱によって端子直下の絶縁シートが損傷する恐れがある。絶縁シートが損傷すると、本来の絶縁性能を保つことができなくなり、耐圧が低下してしまうことが起こり得る。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

１つの態様では、樹脂ケースと、第１面と前記第１面とは反対の第２面とを有し、前記樹脂ケースから外側へ延びる第１絶縁シートと、前記樹脂ケースから外側へ延び、平面視で前記第１絶縁シートと重なるように前記第１絶縁シートの前記第１面側に配置され、前記第１面から離隔した第１先端部を有する第１端子と、前記樹脂ケースから外側へ延び、平面視で前記第１絶縁シート及び前記第１端子と重なるように前記第１絶縁シートの・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

１つの側面では、半導体モジュールの端子を溶接する際の絶縁シートの損傷を抑えることが可能になる。

本発明の及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体装置の一例について説明する図である。
【図2】 半導体モジュールとキャパシタとの接続部の一例について説明する図である。
【図3】 半導体モジュールの第１端子と接続部材との溶接について説明する図である。
【図4】 第１の実施の形態に係る半導体モジュールの一例について説明する図である。
【図5】 第１の実施の形態に係る半導体装置の一例について説明する図である。
【図6】 第２の実施の形態に係る半導体モジュールの一例について説明する図である。
【図7】 第２の実施の形態に係る半導体装置の一例について説明する図である。
【図8】 第３の実施の形態に係る半導体モジュールの例について説明する図である。
【図9】 第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明する図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１Ａ、１Ｂ、１００ 半導体装置 ２ａ 第１溶接部位 ２ｂ 第２溶接部位 １０Ａ、１０Ａａ、１０Ａｂ、１０Ｂ、１１０ 半導体モジュール １１、２１、１１１、１２１ 樹脂ケース １１ａ 内縁 １１ｂ、２１ａ 外縁 １１ｃ 押さえ部 １１ｄ 側壁 １１ｅ リブ １２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ、１１２、１２２ 端子構造部 １３、１１３ 第１端子 １３ａ 第１先端部 １３ａａ 第１端面 １３ｂ 第１延在部 １４、２４、１１４、１２４ 絶縁シート １４ａ 第１面 １４ｂ 第２面 １５、１１５ 第２端子 １５ａ 第２先端部 １５ａａ 第２端面 １５ｂ 第２延在部 １６、１１６ 積層体 １７、１１７ テラス部 ２０Ａ、２０Ｂ、１２０ キャパシタ ２３、１２３ 第３端子 ２３ａ 第３先端部 ２３ａａ 第３端面 ２３ｂ 第３延在部 ２５、１２５ 第４端子 ２５ａ 第４先端部 ２５ａａ 第４端面 ２５ｂ 第４延在部 １０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ 溶接部位 １１５ａ 先端部 １３０ 接続部材 １４０ 熱 １４１ 損傷 Ｗ０、Ｗ１ 幅

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.