特許7758413IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 三星電子株式会社 > 特許7758413

技術分野

高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

例示的な高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

一側面において、 第１半導体物質を含むチャネル層と、 第２半導体物質を含み、前記チャネル層に二次元電子ガス（２ＤＥＧ； ２－Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｇａｓ）を誘発するチャネル供給層と、 前記チャネル供給層の両側に設けられるソース電極及びドレイン電極と、 前記チャネル供給層上に設けられ、前記二次元電子ガスに空乏領域を形成する少なくとも一層の空乏形成層と、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す平面図である。
【図2】 図１のＡ－Ａ’線の断面図である。
【図3A】 図１に示した高電子移動度トランジスタにおいて、ゲート電極に印加されるターンオン電圧によるゲート漏れ電流のフローを示す図面である。
【図3B】 図１に示した高電子移動度トランジスタにおいて、ゲート電極に印加されるターンオン電圧によるゲート漏れ電流のフローを示す図面である。
【図4】 図１に示した高電子移動度トランジスタにおいて、ショットキーコンタクトの面積によるゲート漏れ電流を示すシミュレーション結果である。
【図5】 図１に示した高電子移動度トランジスタの製造方法を説明するための図面である。
【図6】 図１に示した高電子移動度トランジスタの製造方法を説明するための図面である。
【図7】 図１に示した高電子移動度トランジスタの製造方法を説明するための図面である。
【図8】 図１に示した高電子移動度トランジスタの製造方法を説明するための図面である。
【図9】 他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す図面である。
【図10】 さらに他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す平面図である。
【図11】 図１０のＢ－Ｂ’線の断面図である。
【図12】 図１０のＣ－Ｃ’線の断面図である。
【図13】 図１０のＤ－Ｄ’線の断面図である。
【図14】 さらに他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す平面図である。
【図15】 図１４のＥ－Ｅ’線の断面図である。
【図16】 図１４のＦ－Ｆ’線の断面図である。
【図17】 図１４のＧ－Ｇ’線の断面図である。
【図18】 さらに他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す平面図である。
【図19】 図１８のＨ－Ｈ’線の断面図である。
【図20】 図１８のＩ－Ｉ’線の断面図である。
【図21】 図１８のＪ－Ｊ’線の断面図である。
【図22】 さらに他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す平面図である。
【図23】 図２２のＫ－Ｋ’線の断面図である。
【図24】 図２２のＬ－Ｌ’線の断面図である。
【図25】 図２２のＭ－Ｍ’線の断面図である。
【図26】 さらに他の例示的な実施形態による高電子移動度トランジスタを示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

２ＤＥＧ 二次元電子ガス １００ 高電子移動度トランジスタ １１０ 基板 １２０ チャネル層 １３０ チャネル供給層 １４０ 空乏形成層 １４０ａ 突出部 １４５ 空乏領域 １５０ 第１ゲート電極 １６０ 第２ゲート電極 １７１ ソース電極 １７２ ドレイン電極

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.