特許 7783041出願番号 特願 2021-206799
半導体装置
公報発行日 2025年12月9
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7783041 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体発光素子は、例えば、導電部との間に介在されているダイボンディングペーストにより導電部に接続されている。半導体発光素子と導電部とを接続する際、ダイボンディングペーストが滲んでしまうことがある。ダイボンディングペーストの滲みがワイヤの第２端に接続される導電部の部分にまで及ぶと、ワイヤの第２端と導電部との間の接続に不良が生じることがある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の半導体装置は、基板と、半導体チップと、接続材と、ボンディングワイヤと、隔壁とを備える。半導体チップは、接続材を介在させて基板上に配置されている。ボンディングワイヤは、第１端及び第２端を有し、かつ第１端において半導体チップに接続されているとともに第２端において基板に接続されている。隔壁は、平面視において半導体チップと第２端との間に位置するように基板上に配置されている。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の半導体装置によると、ボンディングワイヤと基板との間の接続不良を抑制可能である。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、半導体装置１００の平面図である。
【図2】
図２は、図１中のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
【図3】
図３は、半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。
【図4】
図４は、準備工程Ｓ１を説明する断面図である。
【図5】
図５は、リフレクタ形成工程Ｓ２を説明する断面図である。
【図6】
図６は、ダイボンディング工程Ｓ３を説明する断面図である。
【図7】
図７は、ワイヤボンディング工程Ｓ４を説明する断面図である。
【図8】
図８は、樹脂封止工程Ｓ５を説明する断面図である。
【図9】
図９は、半導体装置２００の断面図である。
【図10】
図１０は、変形例に係る半導体装置１００の断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ 基板、１１ 基材、１１ａ 第１主面、１１ｂ 第２主面、１２，１３，１４，１５ 導体パターン、１６ レジスト、１７ リードフレーム、１７ａ 第１部分、１７ｂ 第２部分、２０ 半導体チップ、２０ａ 底面、２０ｂ 上面、２１，２２ ボンディングパッド、３０ 接続材、４１，４２ ボンディングワイヤ、４１ａ，４２ａ 第１端、４１ｂ，４２ｂ 第２端、５０ リフレクタ、６１，６２，６３ 隔壁、７０ 封止樹脂、８０ 基板、９０ 金型、１００，２００ 半導体装置、ＤＲ１ 第１方向、ＤＲ２ 第２方向、ＤＲ３ 第３方向、Ｓ１ 準備工程、Ｓ２ リフレクタ形成工程、Ｓ３ ダイボンディング工程、Ｓ４ ワイヤボンディング工程、Ｓ５ 樹脂封止工程、Ｓ６ 個片化工程。
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります