特許7783940IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

光電変換素子と有機センサ及び電子装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、電荷抽出効率を改善させた光電変換素子、光電変換素子を含む有機センサ、及び光電変換素子又は前記有機センサを含む電子装置を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するためになされた本発明の一態様による光電変換素子は、互いに対向する第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、少なくとも一部の波長領域の光を吸収して電気的信号に変換する光電変換層と、前記第1電極と前記光電変換層との間に位置し、前記光電変換層の電荷移動度よりも高い電荷移動度を有する有機補助層と、を備え、前記光電変換層は、第1有機物を含み、前記有機補助層は、・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、電荷移動性を改善して残留電荷を減らすことによって、光電変換素子の電荷抽出効率を高めることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の第1実施形態による光電変換素子の一例を示す断面図である。
【図2】 本発明の第2実施形態による光電変換素子の一例を示す断面図である。
【図3】 本発明の第3実施形態による光電変換素子の一例を示す断面図である。
【図4】 本発明の第4実施形態による光電変換素子の一例を示す断面図である。
【図5】 本発明の一実施形態による有機センサの一例を概略的に示す断面図である。
【図6】 本発明の一実施形態による有機センサの他の例を概略的に示す断面図である。
【図7】 本発明の一実施形態による有機センサの一例を概略的に示す平面図である。
【図8】 図7の有機センサの一例を概略的に示す断面図である。
【図9】 図7の有機センサの他の例を概略的に示す断面図である。
【図10】 本発明の他の実施形態による有機センサの一例を概略的に示す断面図である。
【図11】 本発明の他の実施形態による有機センサの他の例を概略的に示す断面図である。
【図12】 本発明の他の実施形態による有機センサの一例を概略的に示す平面図である。
【図13】 図12の有機センサの一例を概略的に示す断面図である。
【図14】 図12の有機センサの他の例を概略的に示す断面図である。
【図15】 本発明の一実施形態による有機CMOSイメージセンサを概略的に示す平面図である。
【図16】 図15の有機CMOSイメージセンサの一例を示す断面図である。
【図17】 有機CMOSイメージセンサの他の例を示す断面図である。
【図18】 有機CMOSイメージセンサの更に他の例を示す断面図である。
【図19】 本発明の一実施形態による電子装置の概略的なブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10、10a、10b、10c 第1電極 20、20a、20b、20c 第2電極 30、30a、30b、30c 光電変換層 40、40a、40b、40c 有機補助層 45、45a、45b、45c 無機ナノ層 48 電荷遮断層 50a、50b、50c 光感知素子 55、55a、55b、55c 電荷貯蔵所 60 下部絶縁層 65 中間絶縁層 70 色フィルタ層 70a、70b、70c 青色、赤色、緑色フィルタ 80 上部絶縁層、絶縁層 85 トレンチ 90、90-1、90-2、90-3、91、100、200、300、400 光電変換素子 100a、100b、100c 第1~第3光電変換素子 110 半導体基板 110a 半導体基板の表面 500、600、700、800、900、1000、1100、1200 イメージセンサ(有機センサ) 1300、1400、1500、1740 有機CMOSイメージセンサ 1700 電子装置 1710 バス(bus) 1720 プロセッサー 1730 メモリ

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