技術分野
積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの実装構造
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
積層セラミックコンデンサの回路基板への接続の際、はんだのリフローが行われるが、はんだの濡れの時間差、左右のランド面積、はんだ量、温度、搭載位置等にバラツキがある場合がある。このようなバラツキがあると、一対の外部電極間において、はんだによる引張力がアンバランスになり、一方の外部電極側が浮き上がる、いわゆるツームストン現象が生じることがある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するために、本発明は、複数の内部電極層と複数の誘電体層とが交互に積層された積層体と、前記積層体の積層方向の両側の面を主面、前記積層方向と交差する長さ方向の両側の面を端面、前記積層方向及び前記長さ方向と交差する幅方向の両側の面を側面、としたときに、前記積層体における前記端面のそれぞれに配置された外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、前記外部電極は、それぞれ、前記幅・・・ 続きを
知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、ツームストン現象が生じにくい積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの実装構造を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施形態の積層セラミックコンデンサ1の概略斜視図である。
【図2】
図1の積層セラミックコンデンサ1の後述する最厚部30を通るII-II線に沿った断面図である。
【図3】
図1の積層セラミックコンデンサ1のIII-III線に沿った断面図である。
【図4】
第1最厚部30Aと第2最厚部30Bとの位置の例を示す図であり、図4(A)は実施形態、図4(B)、図4(C)、図4(D)は変形形態である。
【図5】
積層セラミックコンデンサ1の製造方法を説明するフローチャートである。
【図6】
回路基板60に実装された状態の実施形態の積層セラミックコンデンサ1の側面図である。
【図7】
端面に形成された外部電極103の中央部に最厚部130が形成された比較形態の積層セラミックコンデンサ100を示す図である。
【図8】
最厚部30が一方の側面側に偏った位置に形成されている本発明の積層セラミックコンデンサ1を示す図である。
【図9】
最厚部30が、実装面と反対の第1主面A1側に偏って形成されている積層セラミックコンデンサ1を示す図である。
A 主面
A1 第1主面
A2 第2主面
B 側面
B1 第1側面
B2 第2側面
C 端面
C1 第1端面
C2 第2端面
1 積層セラミックコンデンサ
2 積層体
3 外部電極
3A 第1外部電極
3B 第2外部電極
4 誘電体層
5 内部電極層
6 内層部
7 外層部
30 最厚部
30A 第1最厚部
30B 第2最厚部
50 実装構造
60 回路基板
62 コア材
64 実装ランド
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録