特許7789972IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本発明の一態様は、半導体装置に関する。または本発明の一態様は、制御システム

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、新規な半導体装置、または新規な半導体装置の動作方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、半導体装置を含む新規なシステムまたは、半導体装置を含む新規なシステムの動作方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力を削減すること、例えば休止状態の電力を削減することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、休止状態から通常状態へ復帰する処理に要する時間を短縮すること、あるいは、それに要するエネルギーを削減することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、センサ素子を制御する回路の消費電力を低減することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、センサ素子により監視する対象物の安全性を高めることを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、対象物の監視を簡便に行うシステムを提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い制御回路を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、安全性の高いシステムを提供することを課題の一つとする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、センサ回路と、電源管理装置と、演算処理回路と、を有し、センサ回路は、センサ素子を有し、電源管理装置は、演算処理回路への電源供給を制御する機能を有し、演算処理回路は、第1記憶回路を有する第1回路と、第2記憶回路を有する第2回路と、を有し、第1回路は、演算処理回路に電力が供給されている期間中に第1データを保持する機能を有し、第2回路は、演算処理回路に電力が供給されている期間中に・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、新規な半導体装置、または新規な半導体装置の動作方法を提供することを可能にする。また、本発明の一態様は、半導体装置を含む新規なシステム、または、半導体装置を含む新規なシステムの動作方法を提供することを可能にする。また、本発明の一態様は、消費電力を削減すること、例えば休止状態の電力を削減することを可能にする。また、本発明の一態様は、休止状態から通常状態へ復帰する処理に要する時間を短縮すること、あるいは、それに要するエネルギーを削減することを可能にする。また、本発明の一態様は、センサ素子を制御する回路の消費電力を低減することを可能にする。また、本発明の一態様は、センサ素子により監視する対象物の安全性を高めることを可能にする。また、本発明の一態様は、対象物の監視を簡便に行うシステムを提供することを可能にする。また、本発明の一態様により、消費電力の低い半導体装置を提供することを可能にする。または、本発明の一態様により、消費電力の低い制御回路を提供することを可能にする。また、本発明の一態様により、安全性の高いシステムを提供することを可能にする。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。また、本発明の一態様は、必ずしも、例示した効果の全てを有する必要はない。また、本発明の一態様について、以外の課題、効果、および新規な特徴については、本明細書の記載および図面から自ずと明らかになるものである。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図1は、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図2】 図2Aは、半導体装置の構成例を示すブロック図である。図2Bは本発明の一態様の構成例を示す図である。
【図3】 図3は、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図4】 図4は、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図5】 図5は、半導体装置の動作例を説明するフロー図である。
【図6】 図6Aは、半導体装置の構成例を示す図である。図6Bは、制御装置に制御される複数の半導体装置の例を示す図である。図6Cは、制御装置に制御される複数の半導体装置および複数の対象物の例を示す図である。
【図7】 図7Aは、本発明の一態様の回路の構成例である。図7Bは、本発明の一態様の回路の構成例である。図7Cは、本発明の一態様の回路の動作の一例を示す図である。
【図8】 図8Aおよび図8Bは、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図9】 図9A乃至図9Dは、半導体装置の電源管理の動作例を説明する図である。
【図10】 図10は、半導体装置の電源管理の動作例を示すフローチャートである。
【図11】 図11Aおよび図11Bは、半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図12】 図12は、プロセッサコアの構成例を示すブロック図である。
【図13】 図13は、記憶回路の構成例を示す回路図である。
【図14】 図14は、記憶回路の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図15】 図15は、キャッシュのメモリセルの構成例を示す回路図である。
【図16】 図16は、メモリセルの動作例を説明するタイミングチャートである。
【図17】 図17Aは、NOSRAMの構成例を示す機能ブロック図である。図17Bは、メモリセルの構成例を示す回路図である。
【図18】 図18Aは、メモリセルアレイの構成例を示す回路図である。図18B、図18Cは、メモリセルの構成例を示す回路図である。
【図19】 図19Aは、DOSRAMのメモリセルの構成例を示す回路図である。図19Bは、DOSRAMの積層構造例を示す図である。
【図20】 図20Aは、ニューラルネットワークの構成例を示す図である。図20Bは、ニューラルネットワークの構成例を示す図である。
【図21】 図21は、半導体装置の構成例を示す図である。
【図22】 図22は、メモリセルの構成例を示す図である。
【図23】 図23は、オフセット回路の構成例を示す図である。
【図24】 図24は、タイミングチャートである。
【図25】 図25は、半導体装置の構成例を示す図である。
【図26】 図26は、半導体装置の構成例を示す図である。
【図27】 図27A乃至図27Cは、トランジスタの構成例を示す図である。
【図28】 図28A乃至図28Cは、トランジスタの構成例を示す図である。
【図29】 図29A乃至図29Cは、トランジスタの構成例を示す図である。
【図30】 図30AはIGZOの結晶構造の分類を説明する図である。図30BはCAAC-IGZO膜のXRDスペクトルを説明する図である。図30CはCAAC-IGZO膜の極微電子線回折パターンを説明する図である。
【図31】 図31Aは、半導体ウエハの上面図である。図31Bは、チップの上面図である。
【図32】 図32Aは、電子部品の作製工程例を説明するフローチャートである。図32Bは、電子部品の斜視模式図である。
【図33】 図33は電子機器の一例を示す図である。
【図34】 図34A乃至図34Fは、電子機器の一例を示す図である。
【図35】 図35は、半導体装置および複数の筐体の写真である。
【図36】 図36Aは半導体装置の写真である。図36Bは半導体装置の写真である。
【図37】 図37Aは加速度の測定結果である。図37Bは高速フーリエ変換の結果である。
【図38】 図38Aは加速度の測定結果である。図38Bは高速フーリエ変換の結果である。

代表図 図1本件の代表的な図

ACTV:活性化関数回路、BKC1:回路、BKC2:回路、BKC10:回路、BKC20:回路、C1:容量素子、C3:容量素子、C6:容量素子、C11:容量素子、C21:容量素子、CB1:容量素子、CB2:容量素子、CB11:容量素子、CB12:容量素子、CE:信号、CLD:回路、CLKM:基準クロック信号、CLK:クロック信号、CM:カレントミラー回路、CS:電流源回路、D:データ信号、DB:データ信号、FN1:ノード、FN2:ノード、GCLK2:クロック信号、INT:信号、INV11:インバータ回路、INV12:インバータ回路、M1:トランジスタ、M2:トランジスタ、M3:トランジスタ、M4:トランジスタ、M5:トランジスタ、M6:トランジスタ、M11:トランジスタ、M12:トランジスタ、MA1:トランジスタ、MAC:半導体装置、MC:メモリセル、MCref:メモリセル、MC1:トランジスタ、MC2:トランジスタ、MemC1:回路、MemC2:回路、MR1:トランジスタ、MW1:トランジスタ、MW11:トランジスタ、MW2:トランジスタ、MW12:トランジスタ、Na:ノード、Nb:ノード、NB1:ノード、ND:ノード、NET1:ノード、NET2:ノード、NK1:ノード、NM:ノード、NMref:ノード、NP:ノード、NPref:ノード、NR1:ノード、OC:回路、OFST:オフセット回路、OSC:信号、OSG:信号、OSR:信号、OSS:信号、RESET:信号、PCC10:回路、PSE5:信号、PSE6:信号、R1:抵抗素子、RTC10:回路、SLC:信号、SLP:信号、SMC20:回路、SN1:ノード、SN2:ノード、SN3:ノード、Tr11:トランジスタ、Tr12:トランジスタ、Tr21:トランジスタ、Tr22:トランジスタ、Tr23:トランジスタ、WDD:回路、WLD:回路、WE:信号、10:電源回路、11:メモリセル、15:メモリセル、16:メモリセル、20:PU、21:PU、30:プロセッサコア、31:記憶回路、32:回路、35:電源線、40:キャッシュ、41:メモリアレイ、42:周辺回路、43:制御回路、45:メモリセル、60:PMU、61:回路、65:クロック制御回路、70:PSW、71:PSW、80:端子、81:端子、82:端子、83:端子、90:端子、91:端子、92:端子、93:端子、93a:端子、93b:端子、94:端子、100:記憶回路、110:FF、120:メモリセル、121:バッファ回路、122:トランジスタ、123:容量素子、130:プロセッサコア、131:制御装置、132:プログラムカウンタ、133:パイプラインレジスタ、134:パイプラインレジスタ、135:レジスタファイル、136:ALU、137:データバス、202:キャッシュメモリ装置、203:キャッシュメモリ装置、240:NOSRAM、242:パワードメイン、243:パワードメイン、245:パワースイッチ、247:パワースイッチ、250:メモリセルアレイ、251:制御回路、252:行回路、253:列回路、301:センサ回路、301a:センサ回路、301b:センサ回路、311:基板、313:半導体領域、314a:低抵抗領域、314b:低抵抗領域、315:絶縁体、316:導電体、320:絶縁体、322:絶縁体、324:絶縁体、326:絶縁体、328:導電体、330:導電体、350:絶縁体、351:DOSRAM、352:絶縁体、354:絶縁体、356:導電体、360:絶縁体、361:メモリセルアレイ、362:絶縁体、364:絶縁体、365:周辺回路、366:導電体、370:絶縁体、371:パワースイッチ、372:絶縁体、373:パワースイッチ、374:絶縁体、376:導電体、380:絶縁体、382:絶縁体、384:絶縁体、386:導電体、401:アンテナ、402:通信回路、404:絶縁体、500:トランジスタ、500A:トランジスタ、500B:トランジスタ、503:導電体、503a:導電体、503b:導電体、510:絶縁体、512:絶縁体、513:絶縁体、514:絶縁体、516:絶縁体、518:導電体、520:絶縁体、522:絶縁体、524:絶縁体、530:酸化物、530a:酸化物、530b:酸化物、540a:導電体、540b:導電体、542:導電体、542a:導電体、542b:導電体、543a:領域、543b:領域、544:絶縁体、545:絶縁体、546:導電体、548:導電体、550:トランジスタ、552:絶縁体、560:導電体、560a:導電体、560b:導電体、574:絶縁体、580:絶縁体、581:絶縁体、582:絶縁体、586:絶縁体、600:容量、610:導電体、612:導電体、620:導電体、630:絶縁体、640:絶縁体、700:半導体装置、701:基板、702:回路領域、703:分離領域、704:分離線、705:チップ、710:センサ素子、710c:センサ素子、710d:センサ素子、711:検出部、711a:検出部、711b:検出部、712:判定回路、712a:判定回路、712b:判定回路、713:アナログデジタル変換回路、713a:アナログデジタル変換回路、713b:アナログデジタル変換回路、714:サンプルホールド回路、714A:サンプルホールド回路、714B:サンプルホールド回路、714c:サンプルホールド回路、714C:サンプルホールド回路、714d:サンプルホールド回路、715:メモリ、717:制御装置、750:電子部品、752:プリント基板、753:半導体装置、754:実装基板、755:リード、799:対象物、900:半導体装置、900A:ブロック、900B:ブロック、900C:ブロック、901:筐体、902:筐体、903:センサ回路、904:処理装置、905:ソケット、6100:携帯情報端末、6101:筐体、6102:表示部、6103:バンド、6105:操作ボタン、6200:携帯情報端末、6201:筐体、6202:表示部、6203:操作ボタン、6204:スピーカ、6205:マイクロフォン、6209:指紋センサ、6300:掃除ロボット、6301:筐体、6302:表示部、6303:カメラ、6304:ブラシ、6305:操作ボタン、6310:ゴミ、6400:ロボット、6401:照度センサ、6402:マイクロフォン、6403:上部カメラ、6404:スピーカ、6405:表示部、6406:下部カメラ、6407:障害物センサ、6408:移動機構、6409:演算装置、6500:飛行体、6501:プロペラ、6502:カメラ、6503:バッテリ、6504:電子部品、7160:自動車、8000:表示装置、8001:筐体、8002:表示部、8003:スピーカ部、8004:半導体装置、8005:蓄電装置、8100:照明装置、8101:筐体、8102:光源、8103:半導体装置、8104:天井、8105:蓄電装置、8200:室内機、8201:筐体、8202:送風口、8203:半導体装置、8204:室外機、8205:蓄電装置、8300:電気冷凍冷蔵庫、8301:筐体、8302:冷蔵室用扉、8303:冷凍室用扉、8304:半導体装置、8305:蓄電装置、8405:側壁、8406:床、8407:窓

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