特許7790575IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

積層セラミックコンデンサ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、セラミック電子部品において、特許文献１に記載の方法では、エレクトロケミカルマイグレーションの抑制は十分ではない。すなわち、Ｆを官能基に持つシランカップリング剤を用いた場合、シランカップリング剤の直鎖による立体障害を小さくでき、より高い撥水性を発現できるが、その緻密性は十分ではなかった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、前記複数の誘電体層上に配置され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極層と、前記複数の誘電体層上に配置され、前記第・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を抑制できる積層セラミックコンデンサを提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１実施形態の積層セラミックコンデンサの外観傾斜図である。
【図2】 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。
【図3】 図２に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図4A】 図２に示す積層セラミックコンデンサのＩＶＡ－ＩＶＡ線に沿った断面図である。
【図4B】 図２に示す積層セラミックコンデンサのＩＶＢ－ＩＶＢ線に沿った断面図である。
【図5】 図２に示す積層セラミックコンデンサのＶ－Ｖ線に沿った断面図である。
【図6】 図２に示す積層セラミックコンデンサのＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。
【図7】 図１に示す積層セラミックコンデンサを矢印ＶＩＩの方向に沿って第１の主面側を見たときの矢印図である。
【図8A】 ２連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。
【図8B】 ３連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。
【図8C】 ４連構造の積層セラミックコンデンサを示す図である。
【図9】 第２実施形態の積層セラミックコンデンサを示す図であって、図７に対応する図である。
【図10】 第２実施形態の積層セラミックコンデンサを示す図であって、図１に示す矢印Ｘの方向に沿って第２の主面側を見たときの矢印図である。
【図11】 第３実施形態の積層セラミックコンデンサを示す図であって、図７に対応する図である。
【図12】 第４実施形態の積層セラミックコンデンサを示す図であって、図７に対応する図である。
【図13】 図１２に示す積層セラミックコンデンサを矢印ＸＩＩＩの方向に沿って第２の端面側を見たときの仮想的な矢印図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 積層セラミックコンデンサ １０ 積層体 １１ 内層部 １２ 第１の主面側外層部 １３ 第２の主面側外層部 ２０ 誘電体層 ３１ 第１の内部電極層 ３２ 第２の内部電極層 ４０Ａ 第１の外部電極 ４０Ｂ 第２の外部電極 ７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ 疎水部 ７１ 第１の主面側疎水部 ７２ 第２の主面側疎水部 ７３ 第１の側面側疎水部 ７４ 第２の側面側疎水部 ８０、８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ 親水部 ８１ 第１の主面側親水部 ８２ 第２の主面側親水部 ８３ 第１の側面側親水部 ８４ 第２の側面側親水部 Ｌ 長さ方向 ＬＳ１ 第１の端面 ＬＳ２ 第２の端面 Ｔ 積層方向 ＴＳ１ 第１の主面 ＴＳ２ 第２の主面 Ｗ 幅方向 ＷＳ１ 第１の側面 ＷＳ２ 第２の側面

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