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技術分野

本明細書が開示する技術は、半導体装置とその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

このような繰り返し層の厚みを大きくしたいことがある。例えば、繰り返し層がＳＪ層の場合、ＳＪ層の厚みを大きくすることで、半導体装置の低オン抵抗化と高耐圧化の間のトレードオフ関係をさらに改善することができる。しかしながら、厚みの大きい繰り返し層は、ｎ型カラム及びｐ型カラムのアスペクト比が大きくなるので、繰り返し層の全体を一括で作成することが困難となる。そこで、複数の積層工程を経て繰り返し層の全体を形成する製造方法が提案されている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本明細書は、半導体基板（１０）を平面視したときに、第１導電型カラム（１４）と第２導電型カラム（１５）が少なくとも１つの繰り返し方向に沿って交互に繰り返し配置された繰り返し層（１３）を有する半導体装置（１）の製造方法を開示する。この製造方法は、前記繰り返し層を形成する工程、を備えることができる。前記繰り返し層を形成する工程は、第１導電型の下側エピ層（１１４Ａ）内の一部を第２導電型の領域に置換す・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本実施形態の半導体装置の断面斜視図を模式的に示す。
【図2】 本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図3】 本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図であり、図２のIII-III線に沿った要部拡大断面図を模式的に示す。
【図4】 本実施形態の半導体装置の変形例が備える繰り返し層の要部拡大断面図であり、図２のIII-III線に沿った要部拡大断面図を模式的に示す。
【図5】 従来の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す図であり、下側繰り返し層と上側繰り返し層の間で位置ズレが生じたときに電流経路が狭窄される様子を説明する図を示す。
【図6】 本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す図であり、下側繰り返し層と上側繰り返し層の間で位置ズレが生じたときに電流経路が確保される様子を説明する図を示す。
【図7】 本実施形態の半導体装置の変形例が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図8】 本実施形態の半導体装置の変形例が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図9】 本実施形態の半導体装置の変形例が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図10】 本実施形態の半導体装置の変形例が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図11】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図12】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図13】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図14】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図15】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図16】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図17】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図18】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図19】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図20】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図21】 第１の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図22】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図23】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図24】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図25】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図26】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図27】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図28】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図29】 第２の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図30】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図31】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図32】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図33】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図34】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図35】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図36】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図37】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図38】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図39】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図40】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図41】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図42】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図43】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図44】 第３の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図45】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図46】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図47】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図48】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図49】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図50】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図51】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図52】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。
【図53】 第４の製造方法の製造過程における、本実施形態の半導体装置が備える繰り返し層の要部拡大断面図を模式的に示す。

代表図 図1本件の代表的な図

１：半導体装置、 １０：半導体基板、 １１：ドレイン領域、 １２：ドリフト領域、 １３：繰り返し層、 １３Ａ：下側繰り返し層、 １３Ｂ：上側繰り返し層、 １４：ｎ型カラム、 １４Ａ：ｎ型カラム下側部分、 １４Ｂ：ｎ型カラム上側部分、 １５：ｐ型カラム、 １５Ａ：ｐ型カラム下側部分、 １５Ｂ：ｐ型カラム上側部分、 １６：ボディ領域、 １７：ソース領域、 １８：ボディコンタクト領域、 ２２：ドレイン電極、 ２４：ソース電極、 ３０：トレンチゲート、 ３２：ゲート電極、 ３４：ゲート絶縁膜、 ４２，４８：中央部分、 ４４，４６：端部分

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