特許7792916IP Force 特許公報全文掲載

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一般にナノシートの分野、特に同じ基板上に厚膜ゲート酸化物ナノシート・デバイスと薄膜ゲート酸化物ナノシート・デバイスとを同時に形成すること

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本発明の実施形態による、薄膜ゲート酸化物ナノシート・デバイスの図である。
【図1B】 本発明の実施形態による、薄膜ゲート酸化物ナノシート・デバイスと同じ基板上に形成された厚膜ゲート酸化物デバイスの図である。
【図2A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図2B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図2C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図3A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図3B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図3C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図4A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図4B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図4C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図5A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図5B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図5C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図6A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図6B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図6C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図7A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図7B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図7C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図8A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図8B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図8C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図9A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図9B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図9C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図10A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図10B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図10C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図11A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図11B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図11C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図12A】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図12B】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。
【図12C】 本発明の実施形態による、製造ステージ中の同じ基板上のデバイスの異なる断面図である。

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