【図1】
MSスペクトルの概略図(強度(%)対m/z)を示す:本発明の化合物又は複合体、特に、前駆体及びフラグメンテーションの1回(単一)荷電分析物に対する、2回荷電標識分析物を含む複合体のフラグメンテーション挙動を記載している。複数の電荷は、結果として生じる正味電荷のそれぞれであり得、又はそれぞれである。
【図2】
MSスペクトルの概略図(強度(%)対m/z)を示す:+/-0.5ダルトン・ウインドウ(ウインドウは2つの破線の間に表されている)で1回荷電した比較化合物のフラグメンテーション挙動を記載している。
【図3】
MSスペクトルの概略図(強度(%)対m/z)を示す:+/-0.5ダルトン・ウインドウ(ウインドウは2つの破線の間に表されている)で2回荷電した本発明の化合物又は複合体のフラグメンテーション挙動を記載している。
【図4-1】
図4A~図4Eは、標識された2回荷電エストラジオールを含む複合体の定量下限(LLOQ)を示す。図4Aは、複合体(標識6とコンジュゲートしたエストラジオール)の構造を示す。図4Bは、それぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるMSブランククロマトグラムを示す。図4Cは、標識6とコンジュゲートしたエストラジオール(関連する0.5pg/mlのエストラジオール)のそれぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるクロマトグラムを示す。図4Dは、エストラジオールに関して0~0.01ng/mlの濃度範囲で標識6とコンジュゲートしたエストラジオールの検量線を示す。図4Eは、エストラジオールに関して標識6とコンジュゲートした0ng/ml~0.05ng/mlの範囲のエストラジオールの検量線のデータを示す。3回の個々の注入の絶対面積を示し、DIN 32645によるそれぞれの検出限界を報告する。NGは検出限界を意味し、EGは95%の正確性を有する検出限界を意味し、BGは定量限界(LOQ)を意味する。最良のモード/設定のためのネイティブ・エストラジオールのLLOQは、約5ng/mlである。
【図4-2】
図4A~図4Eは、標識された2回荷電エストラジオールを含む複合体の定量下限(LLOQ)を示す。図4Aは、複合体(標識6とコンジュゲートしたエストラジオール)の構造を示す。図4Bは、それぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるMSブランククロマトグラムを示す。図4Cは、標識6とコンジュゲートしたエストラジオール(関連する0.5pg/mlのエストラジオール)のそれぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるクロマトグラムを示す。図4Dは、エストラジオールに関して0~0.01ng/mlの濃度範囲で標識6とコンジュゲートしたエストラジオールの検量線を示す。図4Eは、エストラジオールに関して標識6とコンジュゲートした0ng/ml~0.05ng/mlの範囲のエストラジオールの検量線のデータを示す。3回の個々の注入の絶対面積を示し、DIN 32645によるそれぞれの検出限界を報告する。NGは検出限界を意味し、EGは95%の正確性を有する検出限界を意味し、BGは定量限界(LOQ)を意味する。最良のモード/設定のためのネイティブ・エストラジオールのLLOQは、約5ng/mlである。
【図4-3】
図4A~図4Eは、標識された2回荷電エストラジオールを含む複合体の定量下限(LLOQ)を示す。図4Aは、複合体(標識6とコンジュゲートしたエストラジオール)の構造を示す。図4Bは、それぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるMSブランククロマトグラムを示す。図4Cは、標識6とコンジュゲートしたエストラジオール(関連する0.5pg/mlのエストラジオール)のそれぞれの質量遷移(強度(%)対保持時間)におけるクロマトグラムを示す。図4Dは、エストラジオールに関して0~0.01ng/mlの濃度範囲で標識6とコンジュゲートしたエストラジオールの検量線を示す。図4Eは、エストラジオールに関して標識6とコンジュゲートした0ng/ml~0.05ng/mlの範囲のエストラジオールの検量線のデータを示す。3回の個々の注入の絶対面積を示し、DIN 32645によるそれぞれの検出限界を報告する。NGは検出限界を意味し、EGは95%の正確性を有する検出限界を意味し、BGは定量限界(LOQ)を意味する。最良のモード/設定のためのネイティブ・エストラジオールのLLOQは、約5ng/mlである。
【図5】
図5a~図5cは、ブランク注入のMSクロマトグラム、並びに、RHA139F2、RHA171F2及び標識6とコンジュゲートしたエストラジオールの(3つの実施形態の強度(%)対保持時間)のそれぞれの質量遷移の図をそれぞれ示す。
【図6】
結合分析物としてのエストラジオール又はそのフラグメントと、本発明による結合化合物としての標識6とコンジュゲートしたエストラジオール又はそのフラグメントとを含む、2回正に荷電した複合体のMSスペクトル(強度(%)対m/z)の図である。
【図7】
ピーク「分割」の概略図を示す。分析物分子の誘導体化反応から生じる異なる異性体を互いに分離するクロマトグラフィシステムの能力を説明している。
【図8】
非誘導体化分析物と比較して、増強係数を決定するワークフローの概略図を示す。
【図9】
図9A及び9Bは、二重荷電化合物/誘導体又はその複合体に対するTFAによるシグナル消光効果を示す。
【図10-1】
図10A~図10Dは、化合物及び/又は複合体のフラグメンテーションのパターンのMSスペクトル(強度(%)対m/z)を示す。
【図10-2】
図10A~図10Dは、化合物及び/又は複合体のフラグメンテーションのパターンのMSスペクトル(強度(%)対m/z)を示す。
【図10-3】
図10A~図10Dは、化合物及び/又は複合体のフラグメンテーションのパターンのMSスペクトル(強度(%)対m/z)を示す。
【図10-4】
図10A~図10Dは、化合物及び/又は複合体のフラグメンテーションのパターンのMSスペクトル(強度(%)対m/z)を示す。
【図11】
図11は、化合物及び/又は複合体のフラグメンテーションのパターンのMSスペクトル(強度(%)対m/z)を示す。