特許 7819275出願番号特願 2024-206917
フラッシュメモリ内のデータのランダム化のためにセルフシード処理されたランダマイザ

出願人マイクロン　テクノロジー，　インク．（識別番号 595168543）

2026年特許公開件数ランキング 534位 33件（※）

2026年特許取得件数ランキング 2047位 5件（※）

公報発行日　2026年2月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7819275　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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優先権出願本出願は、２０２０年４月１日に出願された米国出願第１６／８３７，３１５号に優先権を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に援用される。

【図1】本開示のいくつかの例によるストレージデバイスなどのメモリデバイスの図を示す。

【図2】本開示のいくつかの例によるＮＡＮＤアーキテクチャ半導体メモリアレイの一部の例示的な概略図を示す。

【図3】本開示のいくつかの例による３ＤＮＡＮＤアーキテクチャ半導体メモリの例示的な概略図を示す。

【図4】本開示のいくつかの例によるメモリダイの例示的なブロック図を示す。

【図5】本開示のいくつかの例による書き込み操作のデータフローを示す。

【図6】本開示のいくつかの例による読み出し操作のデータフローを示す。

【図7】本開示のいくつかの例によるメモリデバイスにデータを書き込む方法のフローチャートを示す。

【図8】本開示のいくつかの例によるメモリデバイスからデータを読み出す方法のフローチャートを示す。

【図9】メタデータ及びホストデータが別々にエンコードされる、本開示のいくつかの例による書き込み操作のデータフローを示す。

【図10】メタデータ及びホストデータが別々にエンコードされる、本開示のいくつかの例によるメタデータ更新を伴う内部コピーバック操作のデータフローを示す。

【図11】本開示のいくつかの例によるメモリデバイスにデータを書き込む方法のフローチャートを示す。

【図12】本開示のいくつかの例による内部コピーバック操作中にメモリデバイスにデータを書き込む方法のフローチャートを示す。

【図13】本開示のいくつかの例によるメモリデバイス上での内部コピーバック操作方法のフローチャートを示す。

【図14】本明細書で論じられる技法（例えば、方法論）のうちの任意の１つ以上が実行され得る例示的なマシンのブロック図を示す。

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