【図1】
RMCIの前(左の略図)及び後(右の略図)の本発明によるDNAエレメントのスキーム。
【図2】
本発明による2つのDNAエレメントを含む本発明によるDNAのスキーム
【図3】
RMCIの前(上の略図)及び後(下の略図)の本発明によるDNAのスキーム。
【図4】
本発明によるDNAにおける逐次転写活性化のスキーム。
【図5】
E1A、E1B、E2A及びE4(ORF6)に対する4つのオープンリーディングフレームの同時転写活性化のための本発明によるDNAの例示的な使用。
【図6】
E2A及びE4(ORF6)に対する2つのオープンリーディングフレームの同時転写活性化のための本発明によるDNAエレメントの例示的な使用。
【図7】
repとcap(左)、rep78とrep52/40(中央)、及び、rep78とrep52(右)の2つのオープンリーディングフレームの同時転写活性化のための本発明によるDNAエレメントの例示的な使用。
【図8】
VA RNA遺伝子に対する1つのオープンリーディングフレームの転写活性化のための本発明によるDNAエレメントの例示的な使用。
【図9】
RMCIの前のE1A及びE1Bに対するオープンリーディングフレームの同時転写活性のための本発明によるDNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図10】
RMCI後のE1A及びE1Bに対する転写的に活性なオープンリーディングフレームを有する本発明による反転DNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図11】
RMCIの前のE2A及びE4orf6に対するオープンリーディングフレームの同時転写活性のための本発明によるDNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図12】
RMCI後のE2A及びE4orf6に対する転写的に活性なオープンリーディングフレームを有する本発明による反転DNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図13】
RMCIの前のRep78及びRep52/40に対するオープンリーディングフレームの同時転写活性のための本発明によるDNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図14】
RMCI後のRep78及びRep52/40に対する転写的に活性なオープンリーディングフレームを有する本発明による反転DNAエレメントの例示的な略図。クローニングの制限部位を示す。
【図15】
VA RNA及びVA RNA G58T/G59T/C68Aバリアントのアラインメント。
【図16】
RMCI前の本発明によるVA RNA。
【図17】
RMCI後の本発明によるVA RNA。
【図18】
RMCI前のmCherry及びEGFPに対するオープンリーディングフレームの同時転写活性化のための本発明による例示的な転写不活性DNAエレメントの略図。クローニングの制限部位を示す。
【図19】
RMCI後のmCherry及びEGFPに対する転写的に活性なオープンリーディングフレームを有する図18の本発明による反転DNAエレメントの略図。クローニングの制限部位を示す。
【図20】
一過性トランスフェクトHEK293T細胞におけるRMCIのサイトメトリー分析。GFP及びmCherry発現細胞の平均パーセンテージを標準偏差(エラーバー)と共に示す。各条件を生物学的に三連で試験した。表5によるナンバリング。