特許7840494IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

電子パルスのシーケンスを含むパルス電子ビームを生成するための電子ビーム装置及び／又は方法に関する。本発明の用途は、例えば電子顕微鏡法又は電子リソグラフィによる材料加工の分野において利用可能である。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、電子ビームを生成するための従来技術の制限を回避することができる、パルス電子ビームを生成するための改良された電子ビーム装置及び／又は方法を提供することである。特に、パルス電子ビームは、調整されたパルス統計を用いて生成されるべきであり、したがって、特に、ノイズが低減され且つ／又はイメージングの質が改善された電子顕微鏡用途、及び／又は電子リソグラフィ及び／又は量子コンピューティングにおける改善された用途、及び／又は電子操作における新しい用途のような、広範囲の新しい用途を可能にする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

これらの目的は、それぞれ独立請求項の特徴を含む、パルス電子ビームを生成するための電子ビーム装置及び／又は方法によって解決される。本発明の有利な実施形態及び用途は、従属請求項に規定されている。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図2】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図3】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図4】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図5】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図6】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図7】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図8】 本発明の好ましい実施形態の特徴の図示である。
【図9】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図10】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11A】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11B】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11C】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11D】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11E】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11F】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11G】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図11H】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図12】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13A】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13B】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13C】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13D】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13E】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。
【図13F】 本発明の好ましい実施形態のさらなる特徴及び実験試験の図示である。

代表図 図1本件の代表的な図

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