特許 7841703出願番号 特願 2022-54656
アイソレータ及びアイソレータの製造方法
出願人 京セラ株式会社（識別番号 6633）
2026年 特許公開件数ランキング 57位 283件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 32位 413件（※）
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学（識別番号 304027349）
2026年 特許公開件数ランキング 1624位 11件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1144位 21件（※）
公報発行日 2026年4月7
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7841703 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
アイソレータ及びアイソレータの製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
非相反性材料を用いたアイソレータを半導体基板上に形成する場合、非相反性材料による半導体基板上の素子に対する影響を低減することが求められる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一アイソレータは、基板と、前記基板の上に位置する導波路及び電子回路と、前記導波路及び前記電子回路の上に位置する非相反性部材とを備える。前記非相反性部材のうち前記電子回路から所定範囲内に位置する部分における非相反性は、前記導波路に接触する部分における非相反性よりも弱い状態になっている。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一アイソレータ及びその製造方法によれば、非相反性材料による基板上の素子に対する影響が低減され得る。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
一アイソレータの構成例を示す平面図である。
【図2】
図１のＡ－Ａ断面図である。
【図3】
導波路が略円形のレーザ照射領域内につづら折り状に配置される構成例を示す平面図である。
【図4】
レーザを照射する構成例を示す側面図である。
【図5】
非相反性部材に照射するレーザパワーと、レーザを照射された非相反性部材のファラデー回転角との関係を示すグラフである。
【図6】
非相反性部材にレーザを照射するときのレンズ位置と、レーザを照射された非相反性部材のファラデー回転角との関係を示すグラフである。
【図7】
ファラデー回転角が大きいときの非相反性部材の表面の写真例である。
【図8】
ファラデー回転角が小さいときの非相反性部材の表面の写真例である。
【図9】
結晶化した非相反性部材のＸＲＤ測定の結果の一例を示すグラフである。
【図10A】
基板の上に導波路と電子回路と絶縁層とを形成する工程を示す断面図である。
【図10B】
導波路の側面が露出するように絶縁層に溝を形成し、更に非相反性部材を成膜する工程を示す断面図である。
【図10C】
非相反性部材の一部にレーザを照射して結晶化させる工程を示す断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０ アイソレータ
２１ 第１導波路
２２ 第２導波路
３０ 溝
４０ 非相反性部材（４１：第１部分、４２：第２部分）
５０ 基板（５０Ａ：基板面、５２：ボックス層、５４：絶縁層）
６０ 電子回路（６２：影響範囲）
７０ 照射装置（７２：光源、７４：レンズ、７６：レーザ光、７８：ステージ）
８１ 第１分岐部
８２ 第２分岐部
ＬＳ レーザ照射範囲
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