技術分野
固体撮像素子、及び固体撮像素子を備えた撮像装置に関するものである。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
そこで、本発明は、同一露光の信号に対して異なる読み出しゲインで複数回の読み出しが行われる固体撮像素子において、より広いダイナミックレンジを実現しつつ画像の劣化を抑えることができる固体撮像素子、及び固体撮像素子を備えた撮像装置、を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明に係る固体撮像素子は、
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図1は、本撮像装置の機能ブロック図である。
【図2】
図2は、前記撮像装置が備える固体撮像素子の構成を示す図である。
【図3】
図3は、前記固体撮像素子が備える画素の回路図である。
【図4】
図4は、前記画素での電圧信号の読み出しを説明するための図である。
【図5】
図5は、相関多重サンプリングが行われない固体撮像素子において電圧信号が読み出されたときの被写体からの照度とSNとの関係を示す図である。
【図6】
図6は、最低読み出しゲインでの読み出しでサンプリング回数が2回の相関多重サンプリングが行われる固体撮像素子において電圧信号が読み出されたときの被写体からの照度とSNとの関係を示す図である。
【図7】
図7は、前記画素での電圧信号の読み出しを説明するための図である。
【図8】
図8は、他画素での電圧信号の読み出しを説明するための図である。
【図9】
図9は、最低読み出しゲインでの読み出しでサンプリング回数が4回の相関多重サンプリングが行われる固体撮像素子において電圧信号が読み出されたときの被写体からの照度とSNとの関係を示す図である。
【図10】
図10は、他画素での電圧信号の読み出しを説明するための図である。
【図11】
図11は、他画素での電圧信号の読み出しを説明するための図である。
1…固体撮像素子、2…画素、21…光電変換素子、22…フローティングノード、23…保持容量、24…転送トランジスタ、25…保持スイッチトランジスタ、26…リセットトランジスタ、27…増幅トランジスタ、28…選択トランジスタ、3…行信号線、4…列信号線、5…信号処理部、100…撮像装置、101…撮像部、101a…光学系、102…制御部、102A…露光制御ユニット、103…不揮発性メモリ、104…作業用メモリ、105…操作部、106…表示部、107…記録媒体、108…接続部、109…近距離無線通信部、110…公衆網接続部、111…マイク、112…スピーカ、SF…ソースフォロワ、α…SNR段差(SNR dip)
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