特許 7870920出願番号 特願 2024-543767
レーザダイオード
出願人 旭化成株式会社（識別番号 33）
2026年 特許公開件数ランキング 116位 181件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 65位 231件（※）
出願人 国立大学法人名古屋大学（識別番号 504139662）
2026年 特許公開件数ランキング 238位 131件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 282位 122件（※）
公報発行日 2026年6月8
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7870920 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
レーザダイオード
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した紫外レーザダイオードは低温連続発振であり、実際のアプリケーションへの応用には室温連続発振が必要とされる。この室温連続発振には、発振閾値電流の低減と、駆動電圧の低減が必要とされる。
本開示の目的は、発振閾値電流および駆動電圧の低いレーザダイオードを提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した課題を解決するために、本開示の一態様に係るレーザダイオードは、Ａｌを含む窒化物半導体基板と、窒化物半導体基板上に配置される半導体積層部と、を備え、半導体積層部は、窒化物半導体基板上に配置され、第１導電型窒化物半導体層を含む第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成され、一つ以上の量子井戸を含む窒化物半導体構造の発光層と、発光層上に配置され、第２導電型窒化物半導体層を含む第２・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、発振閾値電流および駆動電圧の低いレーザダイオードを提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本開示の第１のレーザダイオードの一構成例を示す平面模式図である。
【図2】
本開示の第１のレーザダイオードの一構成例を示す断面模式図である。
【図3】
本開示の第２のレーザダイオードの他の構成例を示す断面模式図である。
【図4】
本開示の第３のレーザダイオードの他の構成例を示す断面模式図である。
【図5】
本開示の第４のレーザダイオードの他の構成例を示す断面模式図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１，２，３，４ レーザダイオード
１０ 半導体積層部
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 半導体積層部
１０１ 第１導電型クラッド層
１０２ 発光層
１０３，１０３Ｃ 第２導電型クラッド層
１０３Ａ 第２導電型縦伝導層
１０３Ｂ 第２導電型横伝導層
１１ 基板
１２ 第１導波路層
１３ 第２導波路層
１４ 第２導電型コンタクト層
２０，２０Ａ，２０Ｂ メサ構造
２０１，２０１Ａ 傾斜面
２０２ 始点
２０３ 終点
２１ 第１電極
２２ 第２電極
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります