特許7872920IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

配線基板

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１におけるＳＭＴラジエターのような導体部は、例えば、基材と、基材を覆うメッキ層とによって構成され、メッキ層が配線パターンにはんだ付けされる。このような導体部は、下面だけでなく、下面から立ち上がる４面が配線パターンに接合されることで、配線パターンに対する接合強度がより高まる。しかし、４面を配線パターンに接合させるためには、配線パターンの露出部分で形成されるランド部を、導体部の下面の外周縁よりも外側に張り出すように形成し、当該張り出した部分に４面を接合させる必要がある。このため、基材をランド部の端に寄せて配置することが難しくなる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の配線基板は、 配線パターンを有する導体層と、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜を有する絶縁層と、を備え、前記配線パターンの一部領域が前記絶縁膜に覆われないランド部として構成される基板部と、 はんだによって前記ランド部に接合される導体部と、 を備えた配線基板であって、 前記導体部は、導電性の基材と、前記基材の一部を覆うメッキ層と、を有し、 前記基材は、前記基板部の厚さ方・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る技術は、導体部の配線パターンに対する接合強度の向上を図りつつ、導体部の基材をランド部における所定方向の端に寄せやすくすることができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、第１実施形態における配線基板の平面図である。
【図2】 図２は、第１実施形態における配線基板の正面図である。
【図3】 図３は、導体部周辺を図１のＡ－Ａ線で切断した断面図である。
【図4】 図４は、導体部周辺を図１のＢ－Ｂ線で切断した断面図である。
【図5】 図５は、第２実施形態における配線基板の導体部周辺を拡大した平面図である。
【図6】 図６は、図５のＣ－Ｃ線断面図である。
【図7】 図７は、第３実施形態における配線基板の導体部周辺を拡大した平面図である。
【図8】 図８は、図７のＤ－Ｄ線断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０…配線基板 １１…基板部 １２…導体部 １３…入力部 １４…出力部 １５…スイッチ部 １６…はんだ ２０…導体層 ２１…第１配線パターン（配線パターン） ２２…第２配線パターン ２３…ランド部 ２３Ａ…端 ２３Ｂ…端 ２３Ｃ…端 ２３Ｄ…端 ３０…絶縁層 ３１…基板本体 ３２…絶縁膜 ４０…基材 ４１…メッキ層 ４２…対向面 ４３…第１面 ４４…第１面 ４５…第２面 ４５Ａ…露出面 ４６…第２面 ４６Ａ…露出面 ４７…天面 ５１…フィレット ５２…フィレット ５３…フィレット ５４…フィレット ９０…電源部 ９１…負荷 ９２…配線 ９３…配線 ２１０…配線基板 ２１１…基板部 ２１６…はんだ ２１６Ａ…第１はんだ部 ２１６Ｂ…第２はんだ部 ２１６Ｃ…第３はんだ部 ２２３Ａ…ランド部 ２２３Ｂ…ランド部 ２３０…絶縁層 ２３２…絶縁膜 ２３２Ａ…中間絶縁膜 ３１０…配線基板 ３１１…基板部 ３１６…はんだ ３１６Ａ…第１はんだ部 ３１６Ｂ…第２はんだ部 ３１６Ｃ…第３はんだ部 ３２０…導体層 ３２１Ａ…配線パターン ３２１Ｂ…配線パターン ３２２…絶縁膜 ３２３Ａ…ランド部 ３２３Ｂ…ランド部 ３３０…絶縁層 ３３２…絶縁膜 Ｈ１…高さ Ｈ２…高さ ＨＣ１…高さ ＨＣ２…高さ Ｌ１…距離 Ｌ２…距離 Ｌ３…距離 Ｌ４…距離

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