特許7896978IP Force 特許公報全文掲載

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半導体集積回路の製造に関し、より詳細には、集積回路内の電界効果トランジスタ(FET)デバイスの形成

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 例示的な1つまたは複数の実施形態による、第1の中間製造段階における半導体構造体の上面図である。
【図2】 図1の線2-2に沿って切った、第1の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図3】 第2の中間製造段階における半導体構造体の上面図である。
【図4】 図3の線4-4に沿って切った、第2の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図5】 第3の中間製造段階における半導体構造体の断面図である。
【図6】 第4の中間製造段階における半導体構造体の断面図である。
【図7】 第5の中間製造段階における半導体構造体の断面図である。
【図8】 第6の中間製造段階における半導体構造体の上面図である。
【図9】 図8の線9-9に沿って切った、第6の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図10】 図8の線10-10に沿って切った、第6の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図11】 図8の線11-11に沿って切った、第6の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図12】 第7の中間製造段階における半導体構造体の上面図である。
【図13】 図12の線13-13に沿って切った、第7の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図14】 図12の線14-14に沿って切った、第7の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図15】 図12の線15-15に沿って切った、第7の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図16】 第8の中間製造段階における半導体構造体の上面図である。
【図17】 図16の線17-17に沿って切った、第8の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図18】 図16の線18-18に沿って切った、第8の中間段階における半導体構造体の断面図である。
【図19】 図16の線19-19に沿って切った、第8の中間段階における半導体構造体の断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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