特許 7896987出願番号特願 2024-527729
二金属極厚金属（ＵＴＭ）構造体

出願人インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション（識別番号 390009531）

2026年特許公開件数ランキング 133位 156件（※）

2026年特許取得件数ランキング 32位 396件（※）

公報発行日　2026年7月29

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7896987　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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一般に半導体デバイスに関し、より詳細には、二金属（dual-metal）極厚金属（ＵＴＭ、ultra thick metal）構造体

【図1】本発明のある実施形態による、誘電体層の上に形成された導電性材料を含む半導体構造体の断面図である。

【図2】本発明のある実施形態による、導電性材料が平坦化されて誘電体層内に導電性ラインが画定された、図１の半導体構造体の断面図である。

【図3】本発明のある実施形態による、導電性ラインを後退させた、図２の半導体構造体の断面図である。

【図4】本発明のある実施形態による、導電性ラインの上に金属層が形成された、図３の半導体構造体の断面図である。

【図5】本発明のある実施形態による、リソグラフィ・スタックが付着された、図４の半導体構造体の断面図である。

【図6】本発明のある実施形態による、リソグラフィ・スタックがパターニングされた、図５の半導体構造体の断面図である。

【図7】本発明のある実施形態による、金属層がエッチングされた、図６の半導体構造体の断面図である。

【図8】本発明のある実施形態による、第２のメタライゼーション層が表面に形成された、図７の半導体構造体の断面図である。

【図9】本発明の別の実施形態による、導電性ラインを後退させた半導体構造体の断面図である。

【図10】本発明のある実施形態による、導電性ラインの上に第１の金属層が形成された、図９の半導体構造体の断面図である。

【図11】本発明のある実施形態による、第１の金属層の上に第２の金属層が形成された、図１０の半導体構造体の断面図である。

【図12】本発明のある実施形態による、リソグラフィ・スタックが付着された、図１１の半導体構造体の断面図である。

【図13】本発明のある実施形態による、リソグラフィ・スタックがパターニングされた、図１２の半導体構造体の断面図である。

【図14】本発明のある実施形態による、第２の金属層がエッチングされた、図１３の半導体構造体の断面図である。

【図15】本発明のある実施形態による、第２のメタライゼーション層が表面に形成された、図１４の半導体構造体の断面図である。

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