特許7901419IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

コンピュータ・メモリに関し、より具体的には、複数層を有する相変化材料メモリ・デバイス

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本開示の実施形態による、多結晶構造のドープ層を有するマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図1B】 本開示の実施形態による、ドープ相変化層の非晶質化部分を含むドープ相変化材料層を有するマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図1C】 本開示の実施形態による、ドープ相変化層の非晶質化部分を含むドープ相変化材料層と、非ドープ相変化層の非晶質化部分を含む非ドープ相変化材料層とを有するマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2A】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2B】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2C】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2D】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2E】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図2F】 本開示の実施形態による、代替実施形態のマッシュルームＰＣＭセルの断面図である。
【図3A】 本開示の実施形態による、代替実施形態のブリッジＰＣＭセルの断面図である。
【図3B】 本開示の実施形態による、代替実施形態のブリッジＰＣＭセルの断面図である。
【図3C】 本開示の実施形態による、代替実施形態のブリッジＰＣＭセルの断面図である。
【図4】 本開示の実施形態による、代替実施形態のピラーＰＣＭセルの断面図である。
【図5A】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5B】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5C】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5D】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5E】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5F】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。
【図5G】 本開示の実施形態による、代替実施形態の閉じ込めＰＣＭセルの断面図である。

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