特許7902258IP Force 特許公報全文掲載

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チップ相互接続技術に関し、特に、チップ同士の間の外部接続部を削除するスルー・ビアを有するブリッジ・チップを使用してチップ同士を相互接続するための技術

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施形態にしたがって基板にパターニングされているビアを図説する断面図である。
【図2】 本発明の実施形態にしたがって犠牲材料で埋められているビアを図説する断面図である。
【図3】 本発明の実施形態による、ビア／犠牲材料を覆って基板上に形成されている（第１の）キャッピング層、第１のキャッピング層上に形成されているメタル・ラインを有する配線層、およびメタル・ラインを覆う配線層上に形成されている（第２の）キャッピング層を図説する断面図である。
【図4】 本発明の実施形態による、配線層とは反対の第２のキャッピング層の側に取り付けられているハンドル・ウェハ、およびブリッジ・チップを形成するために基板の他方の側に開口されているビアを図説する断面図である。
【図5】 本発明の実施形態による、ひっくり返されているブリッジ・チップ、およびビアの開口部をマーキングし基板上に形成されているブロック・マスクを図説する断面図である。
【図6】 本発明の実施形態による、フィクスチャ（ｆｉｘｔｕｒｅ）上に存在する金属パッドを有する（第１／第２の）チップ、および第１／第２のチップを覆いそしてまたがって設置されているブリッジ・チップを図説する断面図である。
【図7】 本発明の実施形態にしたがって、金属パッドがビアの直下にどのように設置されるかを図説する拡大図である。
【図8】 本発明の実施形態にしたがって、ブリッジ・チップおよび第１／第２のチップを覆ってフィクスチャ上へと堆積され、埋め込んでいる封止材を図説する断面図である。
【図9】 本発明の実施形態にしたがって、平坦化され、ビアを覆うブロック・マスクから取り除かれている堆積されたままの封止材を図説する断面図である。
【図10】 本発明の実施形態にしたがって、犠牲材料が選択的に除去され、それによりビアを再び開口することを図説する断面図である。
【図11】 本発明の実施形態にしたがって、金属パッドに至るまで第１／第２のキャッピング層および配線層を貫通してビアを延伸するように実行されているエッチ（ｅｔｃｈ）を図説する断面図である。
【図12】 本発明の実施形態にしたがって、第１／第２のチップの金属パッド、ならびにメタル・ラインの上面および側壁（すなわち、肩）と直に接触する導電性スルー・ビアを形成するためにある金属または複数の金属の組み合わせで埋められているビアを図説する断面図である。
【図13A】 本発明の実施形態にしたがって導電性スルー・ビアが互いに隣接して整列されるメタル・ラインに対する導電性スルー・ビアの例示的な配置を図説するトップ・ダウン図である。
【図13B】 本発明の実施形態にしたがって導電性スルー・ビアが相互にオフセットされるメタル・ラインに対する導電性スルー・ビアの、代替実施形態による、配置を図説するトップ・ダウン図である。
【図14】 本発明の実施形態にしたがって第１／第２のチップを覆う封止材にパターニングされているスルー・モールド・ビアを図説する断面図である。
【図15】 本発明の実施形態による、ブリッジ・チップの両側に第１／第２のチップと直に接触する導電性モールド・ビアを形成するために金属で埋められているスルー・モールド・ビアと、ひっくり返されているアセンブリと、導電性スルー・ビア／導電性モールド・ビアとラミネート・パッケージとの間に形成されているはんだボンド部と、フィクスチャが除去されていることとを図説する断面図である。
【図16】 本発明の実施形態による最終アセンブリを図説するトップ・ダウン図である。
【図17】 本発明の実施形態にしたがってブロック・マスクを覆うブリッジ・チップに取り付けられており金属パッドとは反対の導電性スルー・ビアの端部に直に接触している（第３の）チップを、もう１つの代替実施形態にしたがって図説する図１２から続く断面図である。
【図18】 本発明の実施形態にしたがって第１／第２のチップを覆う封止材にパターニングされているスルー・モールド・ビアを図説する断面図である。
【図19】 本発明の実施形態による、第１／第２のチップをブリッジ・チップ／第３のチップの両側と直に接触する導電性モールド・ビアを形成するために金属で埋められているスルー・モールド・ビアと、ひっくり返されているアセンブリと、導電性モールド・ビアとラミネート・パッケージとの間に形成されているはんだボンド部と、フィクスチャが除去されていることとを図説する断面図である。
【図20】 本発明の実施形態による最終アセンブリを図説するトップ・ダウン図である。
【図21】 さらにもう１つの代替の実施形態にしたがって、本発明の実施形態による第１／第２のチップの金属パッド、ならびにメタル・ラインの側壁だけに直に接触する（すなわち、スキム・バイ（ｓｋｉｍ－ｂｙ）接続）導電性スルー・ビアを図説する断面図である。
【図22】 さらにまたもう１つの代替実施形態にしたがって、本発明の実施形態による様々な高さのチップを収容するためのリセスを含み、採用されてきている修正したフィクスチャを図説する断面図である。
【図23】 本発明の実施形態にしたがって、様々な高さのチップと接触して形成されている導電性スルー・ビアを図説する断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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