特許7920394IP Force 特許公報全文掲載

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本発明の一態様は、表示装置、及びその駆動方法に関する。又は、本発明の一態様は、半導体装置、及びその駆動方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

表示素子として、有機ＥＬ素子等の発光素子を用いる場合、当該発光素子に流れる電流を制御することにより、表示部に画像を表示することができる。ここで、発光素子と電気的に接続され、画素に書き込まれた画像データに応じて発光素子に流れる電流を制御する機能を有する駆動トランジスタのしきい値電圧が、画素ごとにばらついている場合、表示むら等が発生する場合がある。よって、発光素子を有する表示装置は、駆動トランジスタのドレイン－ソース間を流れる電流の大きさを、モニタ電流データとして読み出す機能を有することが好ましい。モニタ電流データが表す電流値を基に、駆動トランジスタのしきい値電圧等を補正することにより、表示むら等を低減することができる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、画素と、ＩＣチップと、を有し、画素は、表示素子を有する第１の画素回路と、受光素子を有する第２の画素回路と、を有し、一のＩＣチップに、制御回路と、データドライバ回路と、読み出し回路と、が設けられ、第１の画素回路と、読み出し回路と、は第１の配線を介して電気的に接続され、第２の画素回路と、読み出し回路と、は第２の配線を介して電気的に接続され、制御回路は、データドライバ回路、及び読み出・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、センサとしての機能を有する表示装置を提供することができる。又は、低価格な表示装置を提供することができる。又は、高品位の画像を表示することができる表示装置を提供することができる。又は、駆動を簡易に制御できる表示装置を提供することができる。又は、高輝度の画像を表示することができる表示装置を提供することができる。又は、低消費電力の表示装置を提供することができる。又は、信頼性の高い表示装置を提供することができる。又は、新規な表示装置を提供することができる。又は、新規な半導体装置を提供することができる。

又は、センサとしての機能を有する表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、低価格な表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、高品位の画像を表示することができる表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、簡易に制御できる表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、高輝度の画像を表示することができる表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、低消費電力の表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、信頼性の高い表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、新規な表示装置の駆動方法を提供することができる。又は、新規な半導体装置の駆動方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項等の記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項等の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１Ａ及び図１Ｂは、表示装置の構成例を示す模式図である。
【図2】 図２Ａ及び図２Ｂは、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図3】 図３Ａ、及び図３Ｄ乃至図３Ｆは、画素の構成例を示す模式図である。図３Ｂ及び図３Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図4】 図４は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図5】 図５は、表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図6】 図６は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図7】 図７は、表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図8】 図８は、画素の構成例を示す回路図である。
【図9】 図９は、画素の構成例を示す回路図である。
【図10】 図１０は、画素の構成例を示す回路図である。
【図11】 図１１Ａは、画素の構成例を示す回路図である。図１１Ｂは、画素の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図12】 図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示装置の構成例を示す回路図である。
【図13】 図１３は、表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図14】 図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の構成例を示す回路図である。
【図15】 図１５は、表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図16】 図１６は、表示装置の駆動方法の一例を示す回路図である。
【図17】 図１７Ａ及び図１７Ｂは、表示装置の駆動方法の一例を示す回路図である。
【図18】 図１８Ａ及び図１８Ｂは、表示装置の駆動方法の一例を示す回路図である。
【図19】 図１９は、表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図20】 図２０Ａ及び図２０Ｂは、表示装置の駆動方法の一例を示す回路図である。
【図21】 図２１は、表示装置の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。
【図22】 図２２Ａ及び図２２Ｂは、表示装置の駆動方法の一例を示す回路図である。
【図23】 図２３Ａ乃至図２３Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図24】 図２４Ａ乃至図２４Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図25】 図２５Ａ乃至図２５Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図26】 図２６Ａ乃至図２６Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図27】 図２７は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図28】 図２８Ａ、及び図２８Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図29】 図２９Ａ、及び図２９Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図30】 図３０は、表示装置の構成例を示す断面図である。
【図31】 図３１は、半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図32】 図３２は、半導体装置の構成例を示す断面図ある。
【図33】 図３３Ａ乃至図３３Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図34】 図３４Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図３４Ｂ、及び図３４Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図35】 図３５Ａは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図３５Ｂ、及び図３５Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
【図36】 図３６ＡはＩＧＺＯの結晶構造の分類を説明する図である。図３６ＢはＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＸＲＤスペクトルを説明する図である。図３６ＣはＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の極微電子線回折パターンを説明する図である。
【図37】 図３７Ａは、電子機器の一例を示す斜視図である。図３７Ｂは、電子機器の一例を示す断面図である。
【図38】 図３８Ａ乃至図３８Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
【図39】 図３９Ａ乃至図３９Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０：表示装置、１０Ａ：表示装置、１０Ｂ：表示装置、１０Ｃ：表示装置、１０Ｄ：表示装置、１０Ｅ：表示装置、１０Ｆ：表示装置、１０Ｋ：表示装置、１０Ｌ：表示装置、１０Ｍ：表示装置、１１：表示部、１２：画素、１３：ゲートドライバ回路、１４：画素回路、１４Ｂ：画素回路、１４Ｇ：画素回路、１４ＩＲ：画素回路、１４Ｒ：画素回路、１４Ｗ：画素回路、１５：画素回路、１６：光、１６Ｂ：光、１６Ｇ：光、１６Ｒ：光、１７：光、１８：基板、１９：行ドライバ回路、２０：ＩＣ、２１：インターフェース回路、２２：制御回路、２３：データドライバ回路、２４：回路、２５：ＦＰＣ、２６：メモリ回路、３１：配線、３１ａ：配線、３１ｂ：配線、３２：配線、３３：配線、３４：配線、３５：配線、３６：配線、３７：配線、３８：配線、４１：参照信号生成回路、４２：Ａ／Ｄ変換回路、４３：シフトレジスタ回路、４４：クロック信号生成回路、５１ａ：トランジスタ、５１ｂ：トランジスタ、５２：容量素子、５３：比較回路、５４：カウンタ回路、５５ａ：配線、５５ｂ：配線、５６：配線、５７：配線、５９：配線、６０：発光素子、６１：トランジスタ、６１ａ：トランジスタ、６１ｂ：トランジスタ、６２：トランジスタ、６３：トランジスタ、６４：容量素子、６５：配線、６６：トランジスタ、６７：容量素子、６８：配線、７０：受光素子、７１：トランジスタ、７２：トランジスタ、７３：トランジスタ、７４：トランジスタ、７５：容量素子、７６：容量素子、７７：トランジスタ、７８：トランジスタ、７９：トランジスタ、８０：ＣＤＳ回路、８１：トランジスタ、８２ａ：トランジスタ、８２ｂ：トランジスタ、８３ａ：トランジスタ、８３ｂ：トランジスタ、８４ａ：容量素子、８４ｂ：容量素子、８５：トランジスタ、８６：トランジスタ、９１：配線、９２：配線、９３：配線、９４：配線、９５：配線、９６：配線、９７：配線、１０１：タイミング信号生成回路、１０２：レベルシフト回路、１１１：シフトレジスタ回路、１１２：ラッチ回路、１１３：レベルシフト回路、１１４：Ｄ／Ａ変換回路、１１５：アンプ回路、１２１：基板、１２２：指、１２３：目、１３１：電流源、１４０：層、１５０：層、１５１：絶縁膜、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１８２：バッファ層、１８４：バッファ層、１９１：画素電極、１９２：バッファ層、１９３：発光層、１９４：バッファ層、１９５：保護層、１９５ａ：無機絶縁層、１９５ｂ：有機絶縁層、１９５ｃ：無機絶縁層、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０６：トランジスタ、２０８：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１２：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１６：隔壁、２１７：隔壁、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４２：接続層、３１１：基板、３１３：半導体領域、３１４ａ：低抵抗領域、３１４ｂ：低抵抗領域、３１５：絶縁体、３１６：導電体、３２０：絶縁体、３２２：絶縁体、３２４：絶縁体、３２６：絶縁体、３２８：導電体、３３０：導電体、３４１：トランジスタ、３４２：トランジスタ、３５０：絶縁体、３５２：絶縁体、３５４：絶縁体、３５６：導電体、３６０：絶縁体、３６２：絶縁体、３６４：絶縁体、３６６：導電体、３７０：絶縁体、３７２：絶縁体、３７４：絶縁体、３７６：導電体、３８０：絶縁体、３８２：絶縁体、３８４：絶縁体、３８６：導電体、４００Ａ：表示装置、４００Ｂ：表示装置、４００Ｃ：表示装置、４００Ｄ：表示装置、４０４：絶縁体、４１１：画素電極、４１２：共通層、４１３：活性層、４１４：共通層、４１５：共通電極、４２３ａ：光、４２３ｂ：反射光、４２３ｃ：光、４２３ｄ：反射光、４４２：接着層、４４３：空間、４４６：レンズアレイ、４４９：レンズ、４５１：基板、４５２：基板、４５３：基板、４５４：基板、４５５：接着層、４６０：カラーフィルタ、４６１：レンズ、４６２：レンズアレイ、５００：トランジスタ、５００Ａ：トランジスタ、５００Ｂ：トランジスタ、５０３：導電体、５０３ａ：導電体、５０３ｂ：導電体、５１０：絶縁体、５１２：絶縁体、５１３：絶縁体、５１４：絶縁体、５１６：絶縁体、５１８：導電体、５２０：絶縁体、５２２：絶縁体、５２４：絶縁体、５３０：酸化物、５３０ａ：酸化物、５３０ｂ：酸化物、５４０ａ：導電体、５４０ｂ：導電体、５４２ａ：導電体、５４２ｂ：導電体、５４３ａ：領域、５４３ｂ：領域、５４４：絶縁体、５４５：絶縁体、５４６：導電体、５４８：導電体、５５０：トランジスタ、５５２：絶縁体、５６０：導電体、５６０ａ：導電体、５６０ｂ：導電体、５７４：絶縁体、５８０：絶縁体、５８１：絶縁体、５８２：絶縁体、５８６：絶縁体、６００：容量、６１０：導電体、６１２：導電体、６２０：導電体、６３０：絶縁体、６４０：絶縁体、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

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