特許7920411IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシ ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特 に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それら の駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、例えば、トランジス タを有する半導体装置の作製方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

市場で販売されている表示装置は、画面サイズが対角４０インチ以上と大型化する傾向 にあり、さらには、対角１２０インチ以上の画面サイズも視野に入れた開発が行われてい る。このため、表示装置に用いられるガラス基板においては、第８世代以上の大面積化が 進んでいる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、多階調フォトマスクを用いた工程により形成されるマスクを用いて 、チャネル領域を有する金属酸化物膜と、画素電極として機能する金属酸化物膜と、ソー ス電極及びドレイン電極とを形成することを特徴とする。多階調フォトマスクを用いるこ とで、第１の厚さ及び該第１の厚さより厚い第２の厚さを有する第１の形状のマスクが形 成される。該第１の形状のマスクを用いて、基板上の金属酸化物膜及び導電・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様により、開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素
子を有する半導体装置の作製方法において、コストを削減することができる。消費電力を
低減する可能な半導体装置の作製方法において、コストを削減することができる。または
、本発明の一態様により、新規な半導体装置を提供することができる。または、本発明の
一態様により、新規な表示装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、
他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効
果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの
記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これ
ら以外の効果を抽出することが可能である。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体装置の一形態を説明するブロック図及び回路図である。
【図2】 画素の一形態を説明する上面図である。
【図3】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図4】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図5】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図6】 画素の一形態を説明する上面図である。
【図7】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図8】 画素の一形態を説明する上面図である。
【図9】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図10】 素子基板の作製方法の一形態を説明する断面図である。
【図11】 トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図12】 電子機器を説明する図である。
【図13】 素子基板の一形態を説明する断面図である。
【図14】 画素の一形態を説明する上面図である。
【図15】 トランジスタの一形態を説明する断面図である。
【図16】 表示モジュールを説明する図である。
【図17】 抵抗率の温度依存性を説明する図である。
【図18】 試料の構造を説明する上面図及び断面図である。
【図19】 金属酸化物膜の抵抗値を説明する図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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