特許7920454IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

関連出願の相互参照 2014年9月30日に出願された、「Silicon carbide epitaxial wafer and preparation method therefor」という名称の中国特許出願第202211215338.X号の優先権を主張し、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

関連技術において存在する、炭化ケイ素エピタキシャル材料における少数キャリア寿命をいかにして効果的に改善するかの技術的問題を克服するために、本開示の目的は、炭化ケイ素エピタキシャルウエハおよびその製造方法を提供することである。本開示において、エピタキシャルプロセスは、洗浄プロセスと組み合わされ、少数キャリア寿命は、この2つのプロセスの連携によって増加され、それによりエピタキシャルウエハの品質を改善する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

目的を達成するために、本開示の第1の態様は、炭化ケイ素エピタキシャルウエハを製造するための方法を提供する。この製造方法は、以下のステップを含む:

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

の技術的解決策を通して、本開示は以下の有益な効果を有する。

本開示において、エピタキシャルプロセスおよび洗浄プロセスは密接に組み合わされ、エピタキシャルウエハにおける少数キャリア寿命は、この2つのプロセスの連携によって改善されることができる。特に、中電圧エピタキシャルウエハ(8μm~20μmの厚さを有する)では、少数キャリア寿命の改善が顕著であり、本開示の方法において他の外部汚染は導入されない。

本開示の例の利点は、一部は以下の説明において説明され、一部は明細書から明白であるか、または本開示の例の実践によって学習されてもよい。

添付の図面は、本開示のさらなる理解を提供することを意図し、本明細書の一部を構成し、以下の発明を実施するための形態とともに本開示を説明するのに役立つが、本開示の限定を構成しない。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示の実施例1において製造された炭化ケイ素エピタキシャル試料における少数キャリア寿命の試験結果のマッピング(mapping)を示す図である。
【図2】 図1における試験試料に対応する表面欠陥の試験結果のマッピングを示す図である。
【図3】 本開示の実施例1において製造された生成物の同じバッチ内の別の炭化ケイ素エピタキシャル試料における少数キャリア寿命の試験結果のマッピングを示す図である。
【図4】 図3における試験試料に対応する表面欠陥の試験結果のマッピングを示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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