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特許 7925389出願番号 特願 2023-538507
レジスト補助膜組成物、及び該組成物を用いたパターンの形成方法
出願人 三菱瓦斯化学株式会社（識別番号 4466）
2026年 特許公開件数ランキング 451位 51件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 204位 115件（※）
公報発行日 2026年9月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7925389 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
レジスト補助膜組成物、及び該組成物を用いたパターンの形成方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
このように半導体素子や液晶素子等の各種デバイスを製造する際に用いられるフォトレジスト補助膜材料には、そのデバイスの種類によって、要求される特性が異なる。そのため、各種デバイスの製造に適したレジスト補助膜の形成が可能であるフォトレジスト補助膜材料が求められている。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者らは、課題を解決すべく鋭意検討した結果、樹脂と特定構造を有する化合物を含む溶媒とを含有し、有効成分の含有量を所定値以下に制限されたレジスト補助膜組成物によって、課題を解決することができることを見出した。即ち、本発明は以下の通りである。
[１] 樹脂（Ａ）、及び下記一般式（ｂ－１）で表される化合物（Ｂ１）を含む溶媒（Ｂ）を含有するレジスト補助膜組成物であって、
前記レジス・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の好適な一態様のレジスト補助剤組成物は、樹脂を含む有効成分の含有量が所定値以下に制限されているにも関わらず、各種デバイスの製造に適したレジスト補助膜の形成が可能である。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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