特許7925796IP Force 特許公報全文掲載

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ガス検知装置及びガス検知方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

接触燃焼式ガスセンサでは、検知素子への被毒物質の付着により検知素子の熱容量が増加し、検知素子の温度が低下する。それにより、検知素子の両端電圧が低下し、検知素子と補償素子（以下、参照素子という）との間の中点電位が上昇するため、基準電位と当該中点電位との電位差を示すセンサ出力が低下する。従って、接触燃焼式ガスセンサでは、検知素子への被毒物質の付着に起因するエアベース（ゼロ点、エア値、Ｖａ）の低下が問題となる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のガス検知装置は、可燃性ガスの燃焼により抵抗値が増加する検知素子と、前記検知素子と直列に接続され前記可燃性ガスに対して抵抗値が一定である参照素子と、前記検知素子と前記参照素子とにパルス電圧を印加する電源と、基準電位を発生する基準電位発生部と、前記検知素子と前記参照素子との間の中点電位と、前記基準電位発生部により発生された前記基準電位との電位差を示す出力信号を出力する出力部と、前記出力部・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、可変抵抗の調整によらずにエアベースを適切に調整することが可能になる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の一ガス検知装置の構成を示す図である。
【図2】 図２は、図１に示す検知素子及び参照素子を示す断面図である。
【図3】 図３は、比較例の接触燃焼式ガスセンサの検出回路を示す図である。
【図4】 図４は、比較例の接触燃焼式ガスセンサの出力特性を示すグラフである。
【図5】 図５は、本実施形態のＭＣＵによるガス検知装置の駆動パターンを示す波形図である。
【図6】 図６は、本実施形態のガス検知装置の原理を説明するための図である。
【図7】 図７は、パルス幅を５０ｍｓｅｃと１００ｍｓｅｃとに設定した場合の接触燃焼式ガスセンサの駆動波形と応答波形とを示す図である。
【図8】 図８は、本実施形態のガス検知装置の温度特性を示すグラフである。
【図9】 図９は、図３に示す比較例の接触燃焼式ガスセンサの初期状態と被毒時の状態とを比較するための図である。
【図10】 図１０は、図３に示す比較例の接触燃焼式ガスセンサで生じるエアベースのマイナスドリフトを説明するための図である。
【図11】 図１１は、本実施形態のガス検知装置のエアベースの調整方法を説明するための図である。
【図12】 図１２は、本発明の他のガス検知装置の構成を示す図である。
【図13】 図１３は、図１２に示すガス検知装置のエアベースの調整方法を説明するための図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ガス検知装置 １１ 電源 １２ 差動増幅回路（出力部） ２０ 検知素子 ３０ 参照素子 ４０ Ｄ／Ａ変換回路（基準電位発生部） ５０ ＭＣＵ（制御部） １００ ガス検知装置 １１０ 検出回路（ブリッジ回路） １４０ 基準電位発生部 １５０ ＭＣＵ（制御部） ＲＡ 固定抵抗（第１固定抵抗） ＲＢ１ 固定抵抗（第２固定抵抗） ＲＢ２ 固定抵抗（第２固定抵抗） ＲＢ３ 固定抵抗（第２固定抵抗） Ｓ１ スイッチ Ｓ２ スイッチ Ｓ３ スイッチ Ｖｉｎ＋ 出力（基準電位） Ｖｉｎー 出力（中点電位） Ｖｏｕｔ 出力（出力信号） Ｖ０ 初期値（所定の設定値） ΔＶＳ 切替閾値（閾値）

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