技術分野
半導体装置、及びその製造方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ファンナウト型の半導体装置には、半導体チップを、その後のプロセスで発生する熱履歴から保護するだけでなく、保護層側と、再配線層中の絶縁層側と、の間の高い密着性も求められる。しかし、従来のファンナウト型の半導体装置は、保護層側と、再配線層中の絶縁層側と、の間の密着性が十分ではなかった。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者は、以下の技術的手段によって課題を解決することができることを見出した。
[1]
半導体チップと、
前記半導体チップに接する封止材と、
平面視で前記半導体チップよりも面積が大きい再配線層と、
前記半導体チップを保護するための保護層と、を備え、
前記保護層は、前記半導体チップと前記再配線層の絶縁層との間に配され、
前記保護層のヤング率と、前記絶縁層のヤング率と・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、半導体チップの保護と、保護層側、及び再配線層中の絶縁層側の密着性の向上と、を図ることができる半導体装置、及びその製造方法を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本半導体装置の断面模式図である。
【図2】
本半導体装置の平面模式図である。
【図3】
本半導体装置の製造工程の一例である。
1 半導体装置
2 半導体チップ
2a 端子
3 封止材
4 再配線層
5 配線
6 層間絶縁膜(絶縁層)
7 外部接続端子
8 保護層
8a 孔
10 ウェハ
11 支持体
12 モールド樹脂
13 感光性樹脂組成物
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