特許7930522IP Force 特許公報全文掲載

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パワー半導体モジュール

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献２に記載のようなパワー半導体素子を用いて、両面放熱構造を有するパワー半導体モジュールを作製した場合には、次のような問題があることが分かった。すなわち、パワー半導体モジュールの小型化（低背化）が求められている。この場合には、パワー半導体素子を介して向かい合う配線同士の間隔が短くなる。さらに、バッテリー電圧の上昇などの要求もあり、向かい合う配線同士により高い電圧がかかるが、このような場合の絶縁破壊を確実に防止する必要がある。一方で、配線同士の空間を、充填材などで埋めようとしても、内部に泡などが発生しやすく、絶縁破壊を十分に防止できない可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、以下に示すパワー半導体モジュールが提供される。 ［１］ それぞれ基材および配線を備える、２枚の配線基板と、 ２枚の前記配線基板の間に、前記配線同士を接続するように設けられているパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体モジュールであって、 前記パワー半導体素子が、 第一面に、第一電極および第二電極を備え、前記第一面の反対側の第二面に、第三電極を備えるパワー半導体チ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、絶縁破壊を防止できるパワー半導体モジュールを提供できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の実施形態に用いるパワー半導体素子の一態様を示す概略図である。
【図2】 図１のII－II断面を示す断面図である。
【図3】 本発明の実施形態に用いるパワー半導体素子の一態様を示す断面図である。
【図4】 本発明の第一パワー半導体モジュールを示す断面図である。
【図5】 本発明の第二パワー半導体モジュールを示す断面図である。
【図6】 本発明の第三パワー半導体モジュールを示す断面図である。
【図7】 本発明の第四パワー半導体モジュールを示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…パワー半導体チップ １１…第一電極 １２…第二電極 １３…半導体チップ本体 １４…第三電極 ２…第一接続部材 ２１…第一導通部 ２２…第二導通部 ２３…第一絶縁層 ３…第二接続部材 ３１…第三導通部 ３２…第二絶縁層 ４…封止樹脂層 ５…第一配線基板 ５１…第一基材 ５２…第一配線 ５２１…凸部 ５２２…凹部 ６…第二配線基板 ６１…第二基材 ６２…第二配線 ６２１…凸部 ７…接合材 ８…絶縁膜 ９…受動部品 １００，１００Ａ…パワー半導体素子 ２００，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ…パワー半導体モジュール

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