マイクロ電子デバイスであって、
ダイであって、前記ダイの端子表面まで延在する端子を有する前記ダイ、
前記端子表面に沿って延在する第１の横方向導体であって、前記第１の横方向導体の少なくとも一部が前記端子の少なくとも一部に電気的に結合される、前記第１の横方向導体、
前記端子表面から離れて垂直に延在する、前記第１の横方向導体上の導電性カラム、及び、
前記第１の横方向導体とは反対側に位置し、前記端子表面と平行の面において横方向に延在する、前記導電性カラム上の第２の横方向導体、
を含み、
前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体の第１のセットが、前記マイクロ電子デバイスのバンプボンドを提供し、
前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体の第２のセットが、前記マイクロ電子デバイスのインダクタを形成するために直列に電気的に結合される、
マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記第１の横方向導体が銅を含む、マイクロ電子デバイス。 請求項２に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記第１の横方向導体の各々が、前記端子表面上に第１の導体シード層を含み、前記第１の導体シード層が、チタン、タングステン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記第１の横方向導体が３ミクロンから３０ミクロンの厚さを有する、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記導電性カラムが銅を含み、前記導電性カラムが、前記端子表面に対して平行に測定した場合に２５ミクロンから５０ミクロンの幅を有し、同じく前記端子表面に対して平行に測定した場合に２５ミクロンから３００ミクロンの長さを有し、前記端子表面に対して垂直に測定した場合に３０ミクロンから１００ミクロンの高さを有する、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記導電性カラムの各々が、前記第１の横方向導体上にカラムシード層を含み、前記カラムシード層が、チタン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記第２の横方向導体が銅を含み、
前記第２の横方向導体の各々が前記導電性カラム上に第２の導体シード層を含み、前記第２の導体シード層が、チタン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、
マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記第２の横方向導体が３ミクロンから３０ミクロンの厚さを有する、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記第２の横方向導体の少なくとも一部上にダイ取り付け材料を含み、前記ダイ取り付け材料が、はんだ及び接着剤から成るグループから選択される、マイクロ電子デバイス。 請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記インダクタに位置する磁性材料を含み、前記磁性材料が１より大きい平均比透磁率を有し、ここで、真空の比透磁率が１である、マイクロ電子デバイス。 請求項１０に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記磁性材料が、前記ダイ上に位置する磁性粒子を備える封入材料を含む、マイクロ電子デバイス。 請求項１０に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記インダクタが線形構成を有し、前記線形構成において、前記インダクタの前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体が線形アレイ状に配される、マイクロ電子デバイス。 請求項１０に記載のマイクロ電子デバイスであって、前記インダクタが環状構成を有し、前記環状構成において、前記インダクタの前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体が閉ループアレイ状に配される、マイクロ電子デバイス。 マイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
ダイであって、前記ダイの端子表面まで延在する端子を有する前記ダイを得ること、
前記端子表面に沿って延在する第１の横方向導体を、前記第１の横方向導体の少なくとも一部が前記端子の少なくとも一部に接するように形成すること、
前記第１の横方向導体上に導電性カラムを、前記端子表面から離れて垂直に延在するように形成すること、及び、
前記導電性カラム上に、前記第１の横方向導体とは反対側に位置する第２の横方向導体を、前記端子表面と平行の面において横方向に延在するように形成すること、
を含み、
前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体の第１のセットが、前記マイクロ電子デバイスのバンプボンドを提供し、
前記第１の横方向導体、前記導電性カラム、及び前記第２の横方向導体の第２のセットが、前記マイクロ電子デバイスのインダクタを形成するために直列に電気的に結合される、
方法。 請求項１４に記載の方法であって、前記第１の横方向導体を形成することが、
前記端子表面上に第１の導体シード層を、前記第１の導体シード層が前記端子に接するように形成すること、
前記第１の導体シード層の上に第１の導体めっきマスクを、前記第１の導体めっきマスクが、前記第１の横方向導体のためのエリアにおける前記第１の導体シード層を露出させるように形成すること、
前記第１の導体めっきマスクによって露出された箇所の前記第１の導体シード層上に、めっきプロセスを用いて第１のメイン導体を形成すること、
前記第１の導体めっきマスクを除去すること、及び、
前記第１のメイン導体と、前記第１のメイン導体及び前記端子表面間の前記第１の導体シード層とが、前記第１の横方向導体を提供するように、前記第１のメイン導体によって露出された箇所の前記第１の導体シード層を除去すること、
を含み、
前記第１の導体シード層が、チタン、タングステン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、
方法。 請求項１４に記載の方法であって、前記導電性カラムを形成することが、
前記第１の横方向導体に接するカラムシード層を形成すること、
前記カラムシード層の上にカラムめっきマスクを、前記カラムめっきマスクが、前記導電性カラムのためのエリアにおける前記カラムシード層を露出させるように形成すること、
前記カラムめっきマスクによって露出された箇所の前記カラムシード層上に、めっきプロセスを用いてメインカラムを形成すること、
前記カラムめっきマスクを除去すること、及び、
前記メインカラムと、前記メインカラム及び前記第１の横方向導体間の前記カラムシード層とが、前記導電性カラムを提供するように、前記メインカラムによって露出された箇所の前記カラムシード層を除去すること、
を含み、
前記カラムシード層が、チタン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、
方法。 請求項１４に記載の方法であって、前記第２の横方向導体を形成することが、
前記導電性カラムに接する第２の導体シード層を形成すること、
前記第２の導体シード層の上に第２の導体めっきマスクを、前記第２の導体めっきマスクが前記第２の横方向導体のためのエリアにおける前記第２の導体シード層を露出させるように形成すること、
前記第２の導体めっきマスクによって露出された箇所の前記第２の導体シード層上に、めっきプロセスを用いて第２のメイン導体を形成すること、
前記第２の導体めっきマスクを除去すること、及び、
前記第２のメイン導体と、前記第２のメイン導体及び前記導電性カラム間の前記第２の導体シード層とが、前記第２の横方向導体を提供するように、前記第２のメイン導体によって露出された箇所の前記第２の導体シード層を除去すること、
を含み、
前記第２の導体シード層が、チタン、タングステン、クロム、及びニッケルから成るグループから選択される少なくとも一つの金属を含む、
方法。 請求項１４に記載の方法であって、前記導電性カラムを形成すること及び前記第２の横方向導体を形成することが、
前記第１の横方向導体の上にカラムめっきマスクを、前記カラムめっきマスクが前記導電性カラムのためのエリアにおける前記第１の横方向導体を露出するように形成すること、
前記カラムめっきマスク上に第２の導体シード層を、前記第２の導体シード層が、前記カラムめっきマスクによって露出された箇所の前記第１の横方向導体に接するように形成すること、
前記第２の導体シード層の上に第２の導体めっきマスクを、前記第２の導体めっきマスクが前記第２の横方向導体のためのエリアにおける前記第２の導体シード層を露出させるように形成すること、
前記第２の導体めっきマスクによって露出された箇所の前記第２の導体シード層上に、めっきプロセスを用いて第２のメイン導体を形成することであって、そのため、
前記カラムめっきマスクによって横方向に囲まれた前記第２の導体シード層の一部が、前記カラムめっきマスクによって横方向に囲まれた前記第２のメイン導体の一部と組み合わされて、前記導電性カラムを提供し、
前記第２の導体めっきマスクによって横方向に囲まれた前記第２の導体シード層の一部が、前記第２の導体めっきマスクによって横方向に囲まれた前記第２のメイン導体の一部と組み合わされて、前記第２の横方向導体を提供するようにする、前記第２のメイン導体を形成すること、
前記第２の導体めっきマスクを除去すること、
前記第２のメイン導体によって露出された箇所の前記第２の導体シード層を除去すること、及び、
前記カラムめっきマスクを除去すること、
を含む、方法。 請求項１４に記載の方法であって、前記インダクタにおいて磁性材料を形成することを含み、前記磁性材料が１より大きい平均比透磁率を有し、ここで、真空の比透磁率が１である、方法。 請求項１４に記載の方法であって、
前記第２の横方向導体の少なくとも一部上にダイ取り付け材料を形成すること、及び、
前記バンプボンドを、前記ダイ取り付け材料を介して外部リードに電気的に結合すること、
を含み、
前記ダイ取り付け材料が、はんだ及び接着剤から成るグループから選択される、
方法。