特表2023-541724IP Force 特許公報全文掲載

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】
(54)【発明の名称】タッチ構造及びタッチ表示パネル、電子装置
(51)【国際特許分類】
   
   
【FI】
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】
(86)(22)【出願日】
(85)【翻訳文提出日】
(86)【国際出願番号】
(87)【国際公開番号】
(87)【国際公開日】
(31)【優先権主張番号】202010991793.3
(32)【優先日】
(33)【優先権主張国・地域又は機関】
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】No.10 Jiuxianqiao Rd.,Chaoyang District,Beijing 100015,CHINA
(74)【代理人】
【識別番号】110002000
【氏名又は名称】弁理士法人栄光事務所
(72)【発明者】
【氏名】ロン チュンピン
(57)【要約】
タッチ構造、タッチ表示パネル及び電子装置を提供する。該タッチ構造は第1方向に沿って延在する第1タッチ電極と、第2方向に沿って延在する第2タッチ電極とを含み、該第1タッチ電極は第1電極本体部及び第1接続部を含み、該第1電極本体部は第1導電層に位置し、該第1接続部は第2導電層に位置し、該第2タッチ電極は該第1導電層に位置する第2電極本体部及び第2接続部を含み、該第1接続部と該第2接続部は該第1導電層に垂直な方向において重なり、該第1導電層は複数の第1金属線により形成される複数の第1金属メッシュを含み、該第2導電層は複数の第2金属線を含み、該タッチ構造は該第2導電層に位置する仮想電極をさらに含み、該仮想電極は該第1接続部及び第2接続部のうちの少なくとも1つに結合される。該タッチ構造はタッチ感度を効果的に向上させることができる。
【選択図】図3A
【特許請求の範囲】
【請求項】
タッチ構造であって、
第1タッチ電極及び第2タッチ電極を含み、
前記第1タッチ電極は第1方向に沿って延在し、前記第2タッチ電極は第2方向に沿って延在し、前記第1方向と前記第2方向は異なり、
前記第1タッチ電極は前記第1方向に沿って順に配置される複数の第1電極本体部と、隣接する2つの第1電極本体部を電気的に接続する第1接続部とを含み、前記複数の第1電極本体部は第1導電層に位置し、前記第1接続部は前記第1導電層と異なる第2導電層に位置し、
前記第2タッチ電極は前記第2方向に沿って順に配置される第2電極本体部と、隣接する2つの第2電極本体部を電気的に接続する第2接続部とを含み、前記複数の第2電極本体部と前記第2接続部はいずれも前記第1導電層に位置し、
前記第1導電層と前記第2導電層は絶縁層により絶縁されており、前記第1接続部と前記第2接続部は前記第1導電層に垂直な方向において重なり、
前記第1導電層は複数の第1金属線により形成される複数の第1金属メッシュを含み、前記複数の第1電極本体部のそれぞれ、前記複数の第2電極本体部のそれぞれ及び前記第2接続部はそれぞれ前記複数の第1金属メッシュを含み、
前記第2導電層は複数の第2金属線を含み、
前記タッチ構造は前記第2導電層に位置する仮想電極をさらに含み、前記仮想電極は前記第1タッチ電極及び前記第2タッチ電極といずれも絶縁されており、
前記仮想電極は前記第1接続部及び前記第2接続部のうちの少なくとも1つに結合されるように構成される、
タッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極の面積はS1であり、前記仮想電極の前記第1導電層での射影と前記第1導電層における第1金属線とにより定義されたいずれか1つのメッシュの網孔の面積はS2であり、
a<S1/S2<b
を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである、
請求項1に記載のタッチ構造。
【請求項】
少なくとも1つの第1金属線の延在方向は前記仮想電極の延在方向と同じであり、且つ、前記第1導電層に垂直な方向において、前記仮想電極は前記少なくとも1つの第1金属線と重なる、
請求項1又は2に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極は矩形であり、前記仮想電極の長さと幅はそれぞれXDとYDであり、
前記いずれか1つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、
a<(XD×YD)/(X×Y)<b
を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである、
請求項2に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極は互いに接続されるn個の矩形を含み、前記n個の矩形の長さはそれぞれX1、X2…Xnであり、幅はいずれもYDであり、nが1より大きい整数であり、
前記いずれか1つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、
a<(XD×YD)/(X×Y)<b
を満たし、
ここで、XD=X1+X2+…+Xnであり、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである、
請求項2又は4に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極と前記第1接続部はそれぞれ少なくとも1つの第2金属線を含み、
前記第1接続部は少なくとも1つの第1接続線を含み、
各第1接続線は少なくとも1つの第2金属線を含み、且つ前記絶縁層におけるビアによって、前記隣接する2つの第1電極本体部に電気的に接続される、
請求項1~5のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
各前記第1接続線はそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において、前記第2接続部における同じ延在方向の1つの第1金属線と重なる、
請求項6に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記第1接続部は複数の第1接続線を含み、
前記仮想電極は前記複数の第1接続線のうちのいずれか2つの間に位置する、
請求項6又は7に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極の前記第1導電層での正射影と前記第2接続部は少なくとも部分的に重なる、
請求項6~8のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極における少なくとも1つの第2金属線のそれぞれは前記第1導電層に垂直な方向において、前記第2接続部における同じ延在方向の1つの第1金属線と重なる、
請求項6~9のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記第2接続部における前記仮想電極と重なる第1金属線は、隣接する第1電極本体部における第1金属線と、隙間により絶縁されており、
前記仮想電極はさらに前記隙間を覆い、前記第1導電層に垂直な方向において前記隣接する第1電極本体部における第1金属線と重なる、
請求項10に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記タッチ構造は複数の前記仮想電極を含み、
前記第1接続部は前記第1方向に沿って延在する複数の第1接続線を含み、
前記複数の仮想電極と前記複数の第1接続線は前記第2方向において交互に配列されている、
請求項6~11のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、前記複数の第2金属線は同一直線上にあり、
前記複数の第2金属線はそれぞれ第3方向に沿って延在し、前記仮想電極は隣接する2つの第2金属線の接続点から第4方向に沿って延在する分岐部をさらに含み、前記分岐部は前記第1導電層に垂直な方向において前記第2接続部における前記第4方向に沿って延在する第1金属線と重なり、前記第4方向が前記第3方向と異なる、
請求項6~12のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、
前記複数の第2金属線のうちの隣接する2つの第2金属線はそれぞれ異なる直線上にある、
請求項13に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、
前記複数の第2金属線のそれぞれは前記第2接続部における1つの第1金属メッシュに対応し、且つ対応する前記1つの第1金属メッシュにおける同じ延在方向の第1金属線と重なり、前記仮想電極の面積はS1であり、
前記仮想電極の複数の第2金属線に対応するいずれか1つの第1金属メッシュの網孔の面積はS2であり、
a<S1/S2<b
を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである、
請求項13又は14に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極と前記隣接する2つの第1電極本体部のうちの少なくとも1つは前記第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
請求項6~15のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記仮想電極と前記隣接する2つの第2電極本体部のうちの少なくとも1つは前記第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
請求項6~16のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記タッチ構造は折り曲げ可能エリアを含み、前記第1接続部は前記折り曲げ可能エリアに位置する折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部は少なくとも1つの第2金属線を含み、前記少なくとも1つの第2金属線に孔が設置され、前記孔径は前記第2金属線の線幅の25%~90%である、
請求項1~17のいずれか1項に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記第1接続部は複数の第2金属線を接続して形成した多角形を含み、前記多角形の少なくとも一部は前記折り曲げ部とされ、
前記複数の第2金属線はそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において前記複数の第1金属線と重なる、
請求項18に記載のタッチ構造。
【請求項】
前記第1接続部はそれぞれ前記多角形の複数の頂点に接続される複数の第2金属メッシュをさらに含み、
前記複数の第2金属メッシュはそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において前記第2接続部における複数の第1金属メッシュと重なり、
前記絶縁層における対応する各第2金属メッシュの頂点にいずれもビアが設置され、前記第2金属メッシュにおける第2金属線は前記ビアによって前記第1接続部に隣接する第1電極本体部に電気的に接続される、
請求項19に記載のタッチ構造。
【請求項】
タッチ表示パネルであって、
ベース基板と、
表示構造と、
請求項1~20のいずれか1項に記載のタッチ構造と、を含み、
前記表示構造と前記タッチ構造は前記ベース基板に積層設置される、
タッチ表示パネル。
【請求項】
前記表示構造は画素画定層と、アレイ状に配列される複数のサブ画素とを含み、
前記複数のサブ画素のそれぞれは発光素子と、前記発光素子を駆動する画素回路とを含み、前記発光素子は第1電極、発光層及び第2電極を含み、前記発光層は前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極は前記第2電極の前記ベース基板に近い側に位置し、
前記画素画定層は前記発光素子の第1電極を露出させる開口を含み、それにより前記サブ画素の画素開口エリアを定義し、
前記複数の第1金属線と前記複数の第2金属線の前記ベース基板での正射影はいずれも前記複数のサブ画素の複数の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影の外に位置する、
請求項21に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
各第1金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影は少なくとも1つの画素開口エリアの前記ベース基板での正射影を覆う、
請求項22に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記画素回路は蓄積コンデンサを含み、前記仮想電極と蓄積コンデンサの少なくとも1つの蓄積電極は少なくとも部分的に重なる、
請求項22又は23に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記発光素子の第1電極は前記画素回路に電気的に接続され、
前記仮想電極、前記発光素子の第1電極、前記蓄積電極はベース基板に垂直な方向において互いに重なる、
請求項24に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記表示構造は前記画素画定層の前記ベース基板から離れた側に設置されるスペーサをさらに含み、
前記仮想電極と前記スペーサは前記ベース基板に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる、
請求項22~25のいずれか1項に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記仮想電極と前記第1接続部は第2金属線における断口により絶縁されており、
前記断口は前記第2金属線を第1部分及び第2部分に分離し、前記第1部分は前記仮想電極に属し、前記第2部分は前記第1接続部に属し、
前記第2金属線の平均長さXD、平均幅YD、前記断口の寸法XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは、
0<YD/SGap<0.2、
0.1<XDGap/X<0.5
を満たす、
請求項22~26のいずれか1項に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記第1電極本体部と、隣接する第2タッチ電極は第1金属線における断口により絶縁されており、
前記断口は前記第1金属線を第1部分及び第2部分に分離し、前記第1部分は前記第1電極本体部に属し、前記第2部分は前記第2タッチ電極に属し、
前記第1金属線の平均長さXD、平均幅YD、前記断口の寸法XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは、
0<YD/SGap<0.2、
0.1<XDGap/X<0.5
を満たす、
請求項22~27のいずれか1項に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記複数のサブ画素は第1サブ画素を含み、前記第1サブ画素は第1色の光を発するように構成され、前記第1サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影の面積はS3であり、
前記第1サブ画素の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影は前記複数の第1金属メッシュにおける1つの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、前記第1金属メッシュの網孔の面積はS4である、
請求項22~28のいずれか1項に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記第1サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、
0<S4/S3<0.8
であり、
前記第1サブ画素が青色サブ画素である場合、
0.9<S4/S3<1
である、
請求項29に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記第1サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影は矩形であり、長さXFMM及び幅YFMMを有し、
前記第1金属メッシュの網孔は長さX及び幅Yを有し、
前記第1サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、
0<X/XFMM<0.9、
0<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<0.8
を満たし、
前記第1サブ画素が青色サブ画素である場合、
0.95<X/XFMM<1、
0.9<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<1
を満たす、
請求項30に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記発光素子の第1電極は本体部及び延在部を含み、
前記本体部と前記発光素子の属するサブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なり、前記延在部と前記サブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なっておらず、且つ前記延在部は前記サブ画素の画素回路に電気的に接続される、
請求項22~31のいずれか1項に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記複数のサブ画素は第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は異なる色の光を発するように構成され、
前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素の画素開口エリアの面積は順に減少する、
請求項32に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
前記第1サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第1重なり面積を有し、
前記第2サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第2重なり面積を有し、
前記第3サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第3重なり面積を有し、
前記第3重なり面積は前記第1重なり面積及び前記第2重なり面積のうちの少なくとも1つより大きい、
請求項33に記載のタッチ表示パネル。
【請求項】
請求項1~20のいずれか1項に記載のタッチ構造又は請求項21~34のいずれか1項に記載のタッチ表示パネルを含む、
電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【】
(関連出願の相互参照)
本願は、2020年9月21日に提出した中国特許出願第202010991793.3号の優先権を主張し、ここで、中国特許出願に開示されている全内容が本願の一部として援用される。
【】
本開示の実施例はタッチ構造及びタッチ表示パネル、電子装置
【背景技術】
【】
近年、携帯しやすく、操作しやすいなどの目的を実現するために、多くの電子製品は従来のキーボード又はマウスの代わりにタッチパネルを入力機器として使用している。これらの統合タッチパネルを入力機器とする電子装置の中で、タッチ及び表示機能を同時に持つタッチ表示装置は現在注目されている製品の1つである。タッチ機能を実現するためのタッチ電極構造の設置はユーザーエクスペリエンスを左右する重要な要素である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【】
本開示の少なくとも1つの実施例は第1タッチ電極及び第2タッチ電極を含むタッチ構造を提供する。前記第1タッチ電極は第1方向に沿って延在し、前記第2タッチ電極は第2方向に沿って延在し、前記第1方向と前記第2方向は異なり、前記第1タッチ電極は前記第1方向に沿って順に配置される複数の第1電極本体部と、隣接する2つの第1電極本体部を電気的に接続する第1接続部とを含み、前記複数の第1電極本体部は第1導電層に位置し、前記第1接続部は前記第1導電層と異なる第2導電層に位置し、前記第2タッチ電極は前記第2方向に沿って順に配置される第2電極本体部と、隣接する2つの第2電極本体部を電気的に接続する第2接続部とを含み、前記複数の第2電極本体部と前記第2接続部はいずれも前記第1導電層に位置し、前記第1導電層と前記第2導電層は絶縁層により絶縁されており、前記第1接続部と前記第2接続部は前記第1導電層に垂直な方向において重なり、前記第1導電層は複数の第1金属線により形成される複数の第1金属メッシュを含み、前記複数の第1電極本体部のそれぞれ、前記複数の第2電極本体部のそれぞれ及び前記第2接続部はそれぞれ複数の第1金属メッシュを含み、前記第2導電層は複数の第2金属線を含み、前記タッチ構造は前記第2導電層に位置する仮想電極をさらに含み、前記仮想電極は前記第1タッチ電極及び前記第2タッチ電極といずれも絶縁されており、前記仮想電極は前記第1接続部及び前記第2接続部のうちの少なくとも1つに結合されるように構成される。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極の面積はS1であり、前記仮想電極の前記第1導電層での射影と前記第1導電層における第1金属線とにより定義されたいずれか1つのメッシュの網孔の面積はS2であり、 a<S1/S2<b を満たし、ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。
【】
いくつかの例では、少なくとも1つの第1金属線の延在方向は前記仮想電極の延在方向と同じであり、且つ、前記第1導電層に垂直な方向において、前記仮想電極は前記少なくとも1つの第1金属線と重なる。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極は矩形であり、前記仮想電極の長さと幅はそれぞれXDとYDであり、前記いずれか1つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続されるn個の矩形を含み、前記n個の矩形の長さはそれぞれX1、X2…Xnであり、幅はいずれもYDであり、nは1より大きい整数であり、前記いずれか1つのメッシュの網孔は矩形であり、前記網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、ここで、XD=X1+X2+…+Xnであり、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極と前記第1接続部はそれぞれ少なくとも1つの第2金属線を含み、前記第1接続部は少なくとも1つの第1接続線を含み、各第1接続線は少なくとも1つの第2金属線を含み、且つ前記絶縁層におけるビアによって前記隣接する2つの第1電極本体部に電気的に接続される。
【】
いくつかの例では、各前記第1接続線はそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において、前記第2接続部における同じ延在方向の1つの第1金属線と重なる。
【】
いくつかの例では、前記第1接続部は複数の第1接続線を含み、前記仮想電極は前記複数の第1接続線のうちのいずれか2つの間に位置する。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極の前記第1導電層での正射影と前記第2接続部は少なくとも部分的に重なる。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極における少なくとも1つの第2金属線のそれぞれは前記第1導電層に垂直な方向において、前記第2接続部における同じ延在方向の1つの第1金属線と重なる。
【】
いくつかの例では、前記第2接続部における前記仮想電極と重なる第1金属線は、隣接する第1電極本体部における第1金属線と、隙間により絶縁されており、前記仮想電極はさらに前記隙間を覆って、前記第1導電層に垂直な方向において前記隣接する第1電極本体部における第1金属線と重なる。
【】
いくつかの例では、前記タッチ構造は複数の前記仮想電極を含み、前記第1接続部は前記第1方向に沿って延在する複数の第1接続線を含み、前記複数の仮想電極と前記複数の第1接続線は前記第2方向において交互に配列されている。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、前記複数の第2金属線は同一直線上にあり、前記複数の第2金属線はそれぞれ第3方向に沿って延在し、前記仮想電極は隣接する2つの第2金属線の接続点から第4方向に沿って延在する分岐部をさらに含み、前記分岐部と前記第2接続部における前記第4方向に沿って延在する第1金属線は前記第1導電層に垂直な方向において重なり、前記第4方向が前記第3方向と異なる。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、前記複数の第2金属線のうちの隣接する2つの第2金属線はそれぞれ異なる直線上にある。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極は互いに接続される複数の第2金属線を含み、前記複数の第2金属線のそれぞれは前記第2接続部における1つの第1金属メッシュに対応し、且つ対応する前記1つの第1金属メッシュにおける同じ延在方向の第1金属線と重なり、前記仮想電極の面積はS1であり、前記仮想電極の複数の第2金属線に対応するいずれか1つの第1金属メッシュの網孔の面積はS2であり、 a<S1/S2<b を満たし、ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極と前記隣接する2つの第1電極本体部のうちの少なくとも1つは前記第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極と前記隣接する2つの第2電極本体部のうちの少なくとも1つは前記第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
【】
いくつかの例では、前記タッチ構造は折り曲げ可能エリアを含み、前記第1接続部は前記折り曲げ可能エリアに位置する折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部は少なくとも1つの第2金属線を含み、前記少なくとも1つの第2金属線に孔が設置され、前記孔径は前記第2金属線の線幅の25%~90%である。
【】
いくつかの例では、前記第1接続部は複数の第2金属線を接続して形成した多角形を含み、前記多角形の少なくとも一部は前記折り曲げ部とされ、前記複数の第2金属線はそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において前記複数の第1金属線と重なる。
【】
いくつかの例では、前記第1接続部はそれぞれ前記多角形の複数の頂点に接続される複数の第2金属メッシュをさらに含み、前記複数の第2金属メッシュはそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において前記第2接続部における複数の第1金属メッシュと重なり、前記絶縁層における対応する各第2金属メッシュの頂点にいずれもビアが設置され、前記第2金属メッシュにおける第2金属線は前記ビアによって前記第1接続部に隣接する第1電極本体部に電気的に接続される。
【】
本開示の少なくとも1つの実施例はさらにタッチ表示パネルを提供するものであり、ベース基板、表示構造及び以上に記載のタッチ構造を含み、前記表示構造と前記タッチ構造は前記ベース基板に積層設置される。
【】
いくつかの例では、前記表示構造は画素画定層と、アレイ状に配列される複数のサブ画素とを含み、前記複数のサブ画素のそれぞれは発光素子と、前記発光素子を駆動する画素回路とを含み、前記発光素子は第1電極、発光層及び第2電極を含み、前記発光層は前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1電極は前記第2電極の前記ベース基板に近い側に位置し、前記画素画定層は前記発光素子の第1電極を露出させる開口を含み、それにより前記サブ画素の画素開口エリアを定義し、前記複数の第1金属線と前記複数の第2金属線の前記ベース基板での正射影はいずれも前記複数のサブ画素の複数の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影の外に位置する。
【】
いくつかの例では、各第1金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影は少なくとも1つの画素開口エリアの前記ベース基板での正射影を覆う。
【】
いくつかの例では、前記画素回路は蓄積コンデンサを含み、前記仮想電極と蓄積コンデンサの少なくとも1つの蓄積電極は少なくとも部分的に重なる。
【】
いくつかの例では、前記発光素子の第1電極は前記画素回路に電気的に接続され、前記仮想電極、前記発光素子の第1電極、前記蓄積電極はベース基板に垂直な方向において互いに重なる。
【】
いくつかの例では、前記表示構造は前記画素画定層の前記ベース基板から離れた側に設置されるスペーサをさらに含み、前記仮想電極と前記スペーサは前記ベース基板に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
【】
いくつかの例では、前記仮想電極と前記第1接続部は第2金属線における断口により絶縁されており、前記断口は前記第2金属線を第1部分及び第2部分に分離し、前記第1部分は前記仮想電極に属し、前記第2部分は前記第1接続部に属し、前記第2金属線の平均長さXD、平均幅YD、前記断口の寸法XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは、 0<YD/SGap<0.2 、 0.1<XDGap/X<0.5 を満たす。
【】
いくつかの例では、前記第1電極本体部と隣接する第2タッチ電極は第1金属線における断口により絶縁されており、前記断口は前記第1金属線を第1部分及び第2部分に分離し、前記第1部分は前記第1電極本体部に属し、前記第2部分は前記第2タッチ電極に属し、前記第1金属線の平均長さXD、平均幅YD、前記断口の寸法XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは 0<YD/SGap<0.2 、 0.1<XDGap/X<0.5 を満たす。
【】
いくつかの例では、前記複数のサブ画素は第1サブ画素を含み、前記第1サブ画素は第1色の光を発するように構成され、前記第1サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影の面積はS3であり、前記第1サブ画素の画素開口エリアの前記ベース基板での正射影は前記複数の第1金属メッシュにおける1つの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、前記第1金属メッシュの網孔の面積はS4である。
【】
いくつかの例では、前記第1サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 0<S4/S3<0.8 であり、
前記第1サブ画素が青色サブ画素である場合、 0.9<S4/S3<1 である。
【】
いくつかの例では、前記第1サブ画素の発光素子の発光層の前記ベース基板での正射影は矩形であり、長さXFMM及び幅YFMMを有し、前記第1金属メッシュの網孔は長さX及び幅Yを有し、前記第1サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 0<X/XFMM<0.9 、 0<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<0.8 を満たし、前記第1サブ画素が青色サブ画素である場合、 0.95<X/XFMM<1 、 0.9<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<1 を満たす。
【】
いくつかの例では、前記発光素子の第1電極は本体部及び延在部を含み、前記本体部と前記発光素子の属するサブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なり、前記延在部と前記サブ画素の画素開口エリアは前記ベース基板に垂直な方向において重なっておらず、且つ前記延在部は前記サブ画素の画素回路に電気的に接続される。
【】
いくつかの例では、前記複数のサブ画素は第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素及び前記第3サブ画素は異なる色の光を発するように構成され、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素の画素開口エリアの面積は順に減少する。
【】
いくつかの例では、前記第1サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第1重なり面積を有し、前記第2サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第2重なり面積を有し、前記第3サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と前記第1導電層は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第3重なり面積を有し、前記第3重なり面積は前記第1重なり面積及び前記第2重なり面積のうちの少なくとも1つより大きい。
【】
本開示の少なくとも1つの実施例は以上に記載のタッチ構造又はタッチ表示パネルを含む電子装置をさらに提供する。
【図面の簡単な説明】
【】
本開示の実施例の技術案をさらに明確に説明するために、以下、実施例又は関連技術の説明に必要な図面について簡単に説明するが、明らかなように、下記に記載の図面は本開示のいくつかの実施例に係るものに過ぎず、本開示に対し制限するものではない。
【図】相互静電容量式タッチ構造の原理図
【図】相互静電容量式タッチ構造の原理図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図1
【図】本開示の実施例によるタッチ構造の原理図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図2
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図2
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図2
【図】本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図
【図】本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の断面図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の断面図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の断面図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図3
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図4
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図5
【図】図7の部分拡大模式図
【図】図7の部分拡大模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の模式図6
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチパネルの模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】図11Aの断面線III-III′に沿う断面図
【図】図11Aの部分拡大模式図
【図】図12Aの断面線IV-IV′に沿う断面図
【図】本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるファインメタルマスクの模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例によるファインメタルマスクの模式図
【図】本開示の少なくとも1つの実施例による電子装置の模式図
【発明を実施するための形態】
【】
以下、図面を参照して、本開示の実施例の技術案を明確且つ完全に説明し、図面に示され且つ以下の説明において詳しく説明される制限的ではない例示的な実施例を参照して、本開示の例示的な実施例及びそれらの複数の特徴や有利な細部をさらに網羅的に説明する。なお、図に示される特徴は必ずしも実際の縮尺で描かれたものであるとは限らない。本開示では、本開示の例示的な実施例を明確にするために、既知の材料、コンポーネント及びプロセス技術の説明は省略する。与えられた例は本開示の例示的な実施例の実施を理解しやすくし、さらに当業者が例示的な実施例を実施できるようにすることだけを意図している。従って、これらの例は本開示の実施例の範囲を制限するものであると理解されるべきではない。
【】
特に定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解される一般的な意味を有すると理解すべきである。本開示に使用される「第1」、「第2」及び類似の用語はいかなる順序、数又は重要性を示すものでもなく、異なる構成部分を区別するものに過ぎない。「含む」又は「包含」等の類似の用語とは該用語の前に出現する素子又は物品が該用語の後で列挙した素子又は物品及びその同等物を含むが、他の素子又は物品を排除しないことを意味する。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対位置関係を示すためのものに過ぎず、説明対象の絶対位置が変化すると、該相対位置関係も対応して変化する。
【】
有機発光ダイオード(OLED)表示パネルは自己発光で、コントラストが高く、消費電力が少なく、視野角が広く、応答速度が速く、フレキシブルパネルに使用でき、使用温度範囲が広く、製造しやすいという特徴を有し、将来性が期待される。ユーザーの多様化ニーズを満たすために、表示パネルにおいて複数の機能、例えばタッチ機能、指紋認識機能等が統合され、重要な意味を有する。例えば、OLED表示パネルにおいてオンセル(on-cell)タッチ構造を形成することは実現方式の1つであり、該方式はタッチ構造をOLED表示パネルのパッケージ膜に形成することにより、表示パネルのタッチ機能を実現する。
【】
例えば、相互静電容量式タッチ構造は複数のタッチ電極を含み、該複数のタッチ電極は異なる方向において延在するタッチ駆動電極及びタッチ感知電極を含み、タッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxは互いに交差する箇所でタッチ検知のための相互コンデンサを形成する。タッチ駆動電極Txは励起信号(タッチ駆動信号)を入力することに用いられ、タッチ感知電極Rxはタッチ検知信号を出力することに用いられる。例えば、縦方向において延在するタッチ駆動電極に励起信号を入力し、例えば横方向において延在するタッチ感知電極からタッチ検知信号を受信することにより、横方向及び縦方向の電極結合点(例えば、交差点)の容量値の大きさを示す検出信号を取得することができる。指がタッチパネル(例えば、カバーガラス)に触れるとき、タッチ点近傍のタッチ駆動電極とタッチ感知電極との結合に影響を与え、それによりこの2つの電極の交差点での相互コンデンサの容量を変化させ、これにより、タッチ検知信号が変化する。タッチ検知信号に基づくタッチパネルの2次元容量変化量のデータに基づいて、タッチ点の座標を計算することができる。
【】
図1A及び図1Bは相互静電容量式タッチ構造の原理図である。図1A及び図1Bに示すように、タッチ駆動回路130の駆動によって、タッチ駆動電極Txにタッチ駆動信号が印加され、これにより、電界線Eを生成し、該電界線Eがタッチ感知電極Rxにより受信されて参照容量C0を形成する。指がタッチパネル110に触れるとき、人体が導体であるため、タッチ駆動電極Txにより生成された一部の電界線Eは指にガイドされて指容量(Finger Capacitance)を形成し、タッチ感知電極Rxにより受信された電界線Eを減少させ、従って、タッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxとの間の容量値が減少する。タッチ駆動回路130はタッチ感知電極RXによって容量値の大きさを取得して、参照容量C0と比較することにより容量値変化量ΔCを取得し、該容量値変化量ΔCのデータ及び各タッチコンデンサの位置座標に基づいて、タッチ点の座標を計算することができる。
【】
いくつかのタッチ表示装置において、タッチ電極が表示効果を損なうことを回避するように、透明な金属酸化物材料、例えば酸化インジウムスズ(ITO)でタッチ検知のためのタッチ電極を形成する。しかし、インジウムは希少金属であり、入手されにくく且つ高価であるため、市場上の競争に不利になる。また、酸化インジウムスズはさらに、黄化されやすく、破損されやすく、可とう性がなく、抵抗値が高いという問題を有する。従って、近年、導電性細い配線により形成された金属メッシュ(metal mesh)でタッチ電極を形成することが開発されている。該金属メッシュは比較的低い抵抗を有するだけでなく、さらに良好な延性及び柔軟性を有し、タッチ電極の耐折り曲げ性及び加工性を向上させることができ、フレキシブル電子用途に適用される。
【】
発明者は、金属メッシュの金属線の抵抗がより低く、わずかに変化する容量に対して、より敏感であることを見出した。従って、金属メッシュにより形成されたタッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxはそれらの交差箇所でコンデンサを形成するとき、該コンデンサを流れる瞬時電流が比較的大きく(金属線の抵抗損失が小さいため)、それに対して、指容量(Finger Capacitance)による電流変化の占有する比率が比較的小さいため、参照容量C0に対する指のタッチによる容量変化量ΔCの占有比率が比較的小さく、それによりタッチ構造の検出感度及び検出効果を損なってしまう。
【】
タッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxとの間の結合容量は主にそれらの交差箇所で結合されることで形成されるため、本開示の少なくとも1つの実施例はタッチ構造を提供するものであり、該タッチ構造はタッチ駆動電極とタッチ感知電極との交差箇所又は近傍に仮想電極が設置され、該仮想電極はタッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxとの交差部分(即ち、接続部又はブリッジ部)に結合されるように構成され、それにより該タッチ駆動電極Txから該タッチ感知電極Rxに到達する電界線Eを減少することができ、例えば、該仮想電極は該タッチ駆動電極Txにより生じた一部の電界線を阻止し又は引き出すことができ、これにより、該タッチ感知電極Rxが受信した電界線を減少させる。そうすると、該タッチ駆動電極Txとタッチ感知電極Rxとの間の参照容量C0を低減することができ、これにより、該参照容量C0に対する指のタッチによる容量変化量ΔCの占有比率を増大させることができ、それにより該タッチ構造の検出感度及び検出効果を向上させる。例えば、該仮想電極と該ブリッジ部は該タッチ駆動電極Tx又は該タッチ感知電極Rxに垂直な方向において重なり、該仮想電極と該ブリッジ部は縦方向の電界線により互いに結合され、又は、該仮想電極と該ブリッジ部は該タッチ駆動電極Tx又は該タッチ感知電極Rxに垂直な方向において重なっておらず、該仮想電極と該ブリッジ部は横方向の電界線により互いに結合される。
【】
また、該仮想電極と該第1タッチ電極の第1接続部は同一層に絶縁して設置され、同一パターニングプロセスにおいて形成されてもよく、且つさらなるプロセスを追加する必要がない。
【】
図2Aは本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ構造の構造模式図である。図2Aに示すように、該タッチ電極構造は第1方向D1に沿って延在する複数の第1タッチ電極210(T1~Tn)と、第2方向D2に沿って延在する複数の第2タッチ電極220(R1~Rn)とを含む。例えば、該第1タッチ電極210は、例えば駆動回路(例えば、駆動IC)からのタッチ駆動信号を受信するタッチ駆動電極であり、第2タッチ電極220は、例えば駆動回路に戻るタッチ検知信号を伝送するタッチ感知電極である。しかし、本開示の実施例はこれを制限しない。他の例では、第1タッチ電極210はタッチ感知電極であってもよく、第2タッチ電極220はタッチ駆動電極である。
【】
該第1タッチ電極210は該第1方向D1に沿って順に配置される複数の第1電極本体部211と、隣接する2つの第1電極本体部211を電気的に接続する第1接続部212とを含み、これにより、複数の第1接続部212は複数の第1電極本体部211を第1方向D1に沿って順に直列接続する。該第2タッチ電極220は該第2方向D2に沿って順に配置される第2電極本体部221と、隣接する2つの第2電極本体部221を電気的に接続する第2接続部222とを含み、これにより、複数の第2接続部222は複数の第2電極本体部221を第1方向D1に沿って順に直列接続する。図2Aに示すように、各第1電極本体部211及び第2電極本体部221の本体の輪郭はいずれも菱形である。他の例では、該第1電極本体部211と第2電極本体部221は他の形状、例えば三角形、矩形、帯状等の形状であってもよい。例えば、本開示の実施例の第1接続部212と第2接続部222は第1タッチ電極210と第2タッチ電極220がベース基板に垂直な方向、又は該第1タッチ電極210の位置する導電層に垂直な方向において互いに重なる部分又は範囲であってもよい。
【】
各第1タッチ電極210と各第2タッチ電極220は互いに絶縁して交差して、交差箇所で複数のタッチユニット200を形成し、該複数のタッチユニット200は検出領域において例えばアレイ状に配列され、これにより、例えば2つの座標により位置決めを行うことができ、各タッチユニット200は交差箇所で接続される2つの第1電極本体部211のそれぞれの一部と、該交差箇所で接続される2つの第2電極本体部221のそれぞれの少なくとも一部とを含む。
【】
図2Aでは、右側に1つのタッチユニット200の拡大模式図を示す。図示のように、各タッチユニット200は互いに隣接する2つの第1電極本体部211のそれぞれの半分領域と、互いに隣接する2つの第2電極本体部221のそれぞれの半分領域とを含み、即ち、均等に1つの第1電極本体部211の領域及び1つの第2電極本体部221の領域を含み、各タッチユニット200の第1電極本体部211と第2電極本体部221との合流点(即ち、第1接続部と第2接続部との交差箇所)は座標を計算するための基準点を形成する。指がタッチパネルに触れるとき、タッチ点近傍の第1タッチ電極と第2タッチ電極との結合に影響を与え、それによりこの2つの電極間の相互容量を変化させる。生じたタッチ検知信号はタッチパネルの容量変化量ΔCに基づいて変化し、これにより、該基準点に基づいて各タッチ点の座標を計算することができる。例えば、各タッチユニット200の面積は人の指がタッチパネルに接触する面積に相当し、該タッチユニットの面積が大きすぎると、パネルにタッチ盲点があり、該タッチユニットの面積が小さすぎると、誤タッチ信号が生成される。
【】
各タッチユニット200の平均辺長はPであり、該タッチ構造のピッチ(Pitch)と称される。例えば、該ピッチPの大きさの範囲は3.7mm~5mmであり、例えば約4mmであり、それは普通の人の指がタッチパネルに接触する平均直径が約4mm程度であるためである。例えば、該ピッチの大きさは各第1電極本体部211の平均辺長及び各第2電極本体部221の平均辺長と同じであり、隣接する第1電極本体部211の中心距離、隣接する第2電極本体部221の中心距離とも同じである。図3Aは該タッチ構造の該第1タッチ電極と第2タッチ電極との合流点での拡大模式図であり、図3Bに第1導電層201を示し、図3Cに第2導電層202を示す。該第1導電層201は複数の第1金属線21により形成される複数の第1金属メッシュ213を含み、複数の第1電極本体部211のそれぞれ、複数の第2電極本体部221のそれぞれ及び該第2接続部222はそれぞれ複数の第1金属メッシュ213を含む。該第2導電層202は複数の第2金属線22を含む。明確のために、図3Aでは、より太いラインで第2導電層における第2金属線を示すが、本開示を制限するものではなく、第2金属線の平均線幅は第1金属線の平均線幅より大きく、第1金属線の平均線幅より小さく、又は第1金属線の平均線幅に等しくてもよい。以下の各実施例はそれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。
【】
図3Bでは、破線で第1電極本体部211と第2タッチ電極220との隙間を示し、以下の実施例はそれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。第1電極本体部211における第1金属線と第2タッチ電極220における第1金属線は第1金属線における断口260により互いに絶縁されており、該断口は位置する第1金属線260を互いに絶縁される2つの部分に分離し、該2つの部分はそれぞれ第1電極本体部211及び第2タッチ電極220に属する。
【】
図3A~図3Cを参照すれば、該複数の第1電極本体部211、複数の第2電極本体部221及び第2接続部222は第1導電層201に位置し、該第1接続部212は第2導電層202に位置する。該第1導電層201と該第2導電層202は絶縁層203により隔てられ、第1接続部212は絶縁層203におけるビア240によって隣接する第1電極本体部211に電気的に接続される。
【】
例えば、該第1導電層201、絶縁層203及び第2導電層202は基板30に順に設置される。例えば、該基板30はフレキシブル基板又は剛性基板であってもよい。例えば、該基板30は1つの表示パネルであってもよく、又は1つの表示パネルに含まれる平面構造、例えば表示側の基板であり、該基板に他の構造、回路又は機能モジュールがさらに形成されてもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。該基板30は該タッチ構造20を形成するベースを提供し、本開示の実施例は基板の具体的な構造を制限しない。
【】
図4Aは図3Aの断面線I-I′に沿う断面図であり、図4Bは図3Aの断面線II-II′に沿う断面図である。図4A~図4Bに示すように、該第1導電層201は第2導電層202より該基板30に近い。該第1導電層201は該タッチ構造20におけるほとんどの構造を含むため、該第1導電層201を該基板30に近く設置することにより、第2導電層202におけるパターンが該第1導電層201の平坦度を損なうことを回避することができ、第1導電層201における電極構造の品質を向上させる。他の例では、該第2導電層202を基板30に近く設置してもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
図3A及び図4Aを参照すれば、該第1接続部212と該第2接続部222はタッチ検出のための参照容量C0を形成するように、第1導電層201に垂直な方向において重なる。
【】
該第1金属メッシュ213の形状は例えば矩形であり、該矩形の2つの辺はそれぞれ第3方向及び第4方向に沿って延在し、該第3方向と第4方向はそれぞれ第1方向D1及び第2方向D2と同じであってもよく、第1方向D1及び第2方向D2といずれも異なってもよい。本開示はこれを制限しない。以下、該第3方向と第4方向は第1方向D1及び第2方向D2と同じである場合を例として説明する。
【】
図3A及び図4Bを参照すれば、該タッチ構造20は該第2導電層202に位置する仮想電極230をさらに含み、該仮想電極230は隣接する2つの第1電極本体部211の間に位置し、且つ該第1タッチ電極210及び該第2タッチ電極220といずれも絶縁されている。
【】
図2Bは本開示の実施例によるタッチ構造の原理図である。図2Bに示すように、第1タッチ電極と第2タッチ電極との交差箇所又は近傍(例えば、第1接続部212と第2接続部222との間)に該仮想電極230を設置することにより、該第1接続部212が発する電界線の一部は該仮想電極230により受信され、それにより該仮想電極は例えば第1接続部212との効果的な結合を形成することができ、第1接続部212と第2接続部222との間の結合容量Cbを低減し、それにより第1タッチ電極と第2タッチ電極との間の参照容量を低減する。本開示の実施例は該仮想電極の具体的な位置を制限せず、該仮想電極は第1タッチ電極と第2タッチ電極との交差箇所に位置してもよく、交差箇所近傍に位置してもよく、該仮想電極は該第1接続部212及び第2接続部222のうちの少なくとも1つとの結合を形成し、第1接続部212と第2接続部222との間の結合容量Cbを効果的に低減すればよい。例えば、第1接続部212と第2接続部222との交差箇所又は近傍において、該仮想電極230は第1接続部212の内部に位置し第1導電層に垂直な方向において第2接続部222と重なってもよく、該仮想電極230は第1接続部の外部に位置してもよく(即ち、該第1接続部と重なっていない)、例えば、第1導電層に垂直な方向において該第1接続部212に隣接する2つの第1本体部211のうちの少なくとも1つと重なり、又は第1導電層に垂直な方向において該第1接続部に隣接する2つの第2本体部222のうちの少なくとも1つと重なる。例えば、仮想電極230が第1接続部の外部に位置してもよい場合、第1接続部での金属線がより密集することを回避することができ、プロセス難度を低減する。
【】
本開示の実施例は仮想電極の具体的な位置を制限せず、該仮想電極は該第1接続部及び該第2接続部のうちの少なくとも1つとの結合を形成すればよい(例えば、電界により結合される)。このような設置によって、仮想電極の位置をより柔軟にし、設置しやすくする。
【】
例えば、少なくとも1つの第1金属線231の延在方向と仮想電極の延在方向は同じであり、且つ、該第1導電層201に垂直な方向において、該仮想電極は該少なくとも1つの第1金属線231と重なる。
【】
例えば、該仮想電極230は1つ又は複数の第2金属線232を含み、該仮想電極230における各第2金属線232はいずれも、第1導電層201に垂直な方向において1つの同じ延在方向の第1金属線231と重なる。
【】
例えば、該仮想電極230と該第1接続部212はそれぞれ少なくとも1つの第2金属線22を含み、該仮想電極230の該第1導電層201での正射影と該第2接続部222は少なくとも部分的に重なる。このような設置は該仮想電極230を第1接続部212と第2接続部222との合流箇所又は近傍に位置させ、それにより該仮想電極230は第1タッチ電極210と第2タッチ電極220との間の結合電界及び結合容量(即ち、参照容量C0)を効果的に減少させることができ、該タッチ構造の検出感度及び検出効果を向上させる。例えば、該仮想電極230はフローティング電極であり、即ち、いかなる電気信号を読み込まない。
【】
例えば、該第1接続部212は互いに分離する複数の接続線を含んでもよく、又は互いに接続される複数の接続線からなる多角形を含み、第1方向D1における隣接する2つの第1電極本体部を電気的に接続すればよく、本開示の実施例は該第1接続部212の具体的なパターンを制限しない。
【】
例えば、図3A及び図4Aに示すように、該第1接続部212は第3方向に沿って延在する少なくとも1つの第1接続線215を含み、該第1接続線215は少なくとも1つの第2金属線22を含み、且つ絶縁層203におけるビア240によって隣接する2つの第1電極本体部211に電気的に接続される。以下、該第3方向及び第1方向D1を例として説明するが、これは本開示の実施例を制限するものではない。他の例では、該第3方向及び以下の第4方向は第1方向D1、第2方向D2といずれも異なってもよい。別の例では、該仮想電極と該第1接続線はそれぞれ折れ線形状であってもよい。本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
例えば、該第1接続部212における各第2金属線22と第2接続部222における第1方向D1に沿って延在する第1金属線21は第1導電層201に垂直な方向において重なる。例えば、基板30が1つの表示パネルである場合、このような設置は表示パネルの表示光に対するタッチ構造中の金属線の遮蔽をできる限り低減し、表示パネルの開口率を増大させることができる。
【】
なお、本開示の少なくともいくつかの実施例では、第1金属線とは第1金属メッシュの隣接する2つの頂点の間に接続される金属線を指し、即ち各第1金属線は第1金属メッシュの1つの辺に対応し、第2金属線とは第1導電層に垂直な方向において第1金属メッシュの1つの辺(即ち、1つの第1金属線)と重なる第2導電層における金属線部を指し、即ち各第2金属線は1つの第1金属線に対応する。以下の各実施例はこれと同じであり、ここで詳細な説明は省略する。
【】
例えば、該第1金属メッシュ213の形状は矩形であり、他の例では、該第1金属メッシュ213の形状はさらに他の四角形(例えば、菱形)又は他の多角形(例えば、五角形、六角形等)であってもよく、別の実施例では、該第1金属メッシュ213はさらに折れ線又は円弧線(例えば、円形、半円形又は楕円形)を含んでもよい。本開示の実施例は第1金属メッシュ213の形状を制限せず、その形状は実際の必要に応じて設計されてもよい。例えば、該タッチ構造20はタッチ表示パネルに適用されるとき、該第1金属メッシュはその対応するサブ画素の画素開口エリアの形状にマッチングすればよい。同様に、該第1金属線21と第2金属線22は折れ線又は円弧又はその対応するサブ画素の画素開口エリアの形状にマッチングする任意の曲線を含んでもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。以下、該第1金属メッシュが矩形である場合を例として本開示の実施例について説明し、該第1金属メッシュを形成する第1金属線はそれぞれ第3方向及び第4方向に沿って延在し、該第3方向と第4方向はそれぞれ第1方向D1及び第2方向D2と同じであってもよく、第1方向D1及び第2方向D2といずれも異なってもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
例えば、該仮想電極230は該第1接続線の延在方向と同じく、且つ、第1導電層201に垂直な方向において第2接続部222における同じ延在方向の第1金属線21と重なる。例えば、仮想電極230は互いに接続される複数の第2金属線22を含み、該複数の第2金属線22はそれぞれ第1導電層201に垂直な方向において第2接続部222における複数の第1金属線21と重なる。図3A及び図4Bに示すように、各第2金属線22はそれぞれ該第2接続部222における1つの第1金属メッシュ213に対応し、該第2金属線22は対応する第1金属メッシュ213における同じ延在方向の第1金属線と重なる。例えば、該仮想電極230と該第1接続線はいずれも第1方向に沿って延在する。他の例では、該仮想電極及び該第1接続線の延在方向は第1金属線の延在方向が変化するにつれて適応的に変化し、それにより第2金属線と第1金属線ができる限り重なるように確保する。
【】
例えば、該仮想電極230は該第1接続部212における2つの第1接続線215の間に位置する。しかし、本開示の実施例はこれを制限せず、他の例では、該仮想電極230は第1接続部212外に位置してもよい。
【】
図3A及び図4Bに示すように、第2接続部222における第1金属線21は、隣接する第1電極本体部211における第1金属線21と、隙間250により絶縁されており、該仮想電極230に該隙間250の少なくとも一部が露出する。他の例では、図4Cに示すように、該仮想電極はさらに該隙間250を覆い、第1導電層201に垂直な方向において該隣接する第1電極本体部211における第1金属線21と重なる。
【】
例えば、該タッチ構造20は複数の仮想電極230を含んでもよく、該複数の仮想電極230は第3方向に沿って延在し、複数の仮想電極230と複数の第1接続線215は第4方向において交互に配列されている。例えば、該仮想電極230と隣接する第1接続線215との間隔は1つの第1金属メッシュ213の辺長に対応する。例えば、該第3方向は第1方向D1と同じであり、第4方向は第2方向D2と同じであるが、これは本開示の実施例を制限するものではない。
【】
図3D及び図3Eは本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図である。図3Dに示すように、該仮想電極230と第2本体部222は第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。例えば、該仮想電極は該第2本体部における同じ延在方向の第1金属線と重なる。例えば、該仮想電極230は第1方向に沿って延在し、且つ第1導電層での正射影と第1接続部における該仮想電極に最も近い第1金属線との間に多くとも4行の金属メッシュが存在し、それにより該仮想電極が第1接続部及び/又は第2接続部に効果的に結合されるように確保する。
【】
図3Eに示すように、該仮想電極230と第1本体部211は第1導電層に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。例えば、該仮想電極は該第1本体部における同じ延在方向の第1金属線と重なる。例えば、該仮想電極230は第2方向に沿って延在し、且つ第1導電層での正射影と第2接続部における該仮想電極に最も近い第1金属線との間に多くとも3列の金属メッシュが存在し、それにより該仮想電極が第1接続部及び/又は第2接続部に効果的に結合されるように確保する。他の例では、図5に示すように、仮想電極230は第4方向に沿って延在し、該第4方向は第3方向と異なる。例えば、該第3方向は第1方向と同じであり、第4方向は第2方向と同じであるが、これは本開示の実施例を制限するものではない。図5に示すように、該仮想電極230は第1導電層203に垂直な方向において、第2接続部222における同じ延在方向の第1金属線21と重なる。例えば、該仮想電極は隣接する第1接続線215の間に位置してもよく、且つ絶縁のために該隣接する第1接続線215と間隔を置いて設置される。
【】
別の例では、該仮想電極230は第1方向D1に沿って延在する第2金属線22と、第2方向D2に沿って延在する第2金属線22とをさらに同時に含んでもよく、例えば、該仮想電極における第1方向D1に沿って延在する第2金属線22と第2方向D2に沿って延在する第2金属線22はそれぞれ第1導電層201に垂直な方向において、第2接続部222における第1方向D1に沿って延在する第1金属線21、第2方向D2に沿って延在する第1金属線21と重なる。このような設置は有効な空間内で仮想電極の面積を増大することができ、それにより第1タッチ電極210と第2タッチ電極220との間の電界線に対してより良い遮蔽作用を果たし、参照容量C0を更に低減し、これにより、タッチ感度を向上させる。例えば、該仮想電極はL型又は十字型であり、本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
図6は本開示の他の実施例によるタッチ構造の模式図である。図6に示すように、仮想電極230は互いに接続され且つ第1方向D1に沿って延在する複数の第2金属線22を含み、各第2金属線22はそれぞれ第2接続部222における1つの第1金属メッシュ213に対応し、該第2金属線22は対応する第1金属メッシュ213における第1方向D1に沿って延在する第1金属線21と重なる。
【】
図6では、右側に該仮想電極の拡大模式図を示し、図示のように、該仮想電極230における第1方向D1に沿って延在する複数の第2金属線22は同一直線上にある。該仮想電極230は隣接する2つの第2金属線22の接続点から第2方向D2に沿って延在する分岐部231をさらに含み、該分岐部231は該第1導電層201に垂直な方向において、該第2接続部222における第2方向D2に沿って延在する第1金属線21と重なる。例えば、第1導電層201に垂直な方向において、各接続点はそれぞれ第1金属メッシュの頂点と重なる。例えば、第2方向D2において、該分岐部231の長さは対応する第1金属メッシュ213の辺長より小さく、それにより第1接続線214と間隔を置いて絶縁されている。
【】
このような設置は有効な空間内で仮想電極の面積を増大することができ、それにより第1タッチ電極210と第2タッチ電極220との間の電界線に対してより良い遮蔽作用を果たし、参照容量C0を更に低減し、これにより、タッチ感度を向上させる。
【】
例えば、図6に示すように、該仮想電極230は隣接する第1電極本体部211と第2接続部222との間の隙間を覆い、該第1電極本体部211における第1金属線21と重なるように第1方向D1において延在する。
【】
図7は本開示の別の実施例によるタッチ構造の模式図である。図6に示される実施例との相違点は、図6に示される仮想電極230における第1方向D1に沿って延在する複数の第2金属線22のうち隣接する2つの第2金属線22が同一直線上ではなく、即ちそれぞれ異なる直線上にあることである。例えば、該仮想電極230は折れ線状である。例えば、該仮想電極230に対応する、第1方向D1において順に接続される複数の第1金属メッシュ213のサイズは同じではなく、例えば、第2方向D2における寸法が同じではなく、又は該複数の第1金属メッシュ213の配列にずれが存在し、これらはいずれも該複数の第1金属メッシュ213の隣接する頂点が一点に合流しないことを引き起こし、従って、該複数の第1金属メッシュの輪郭は折れ線状である。それに対応して、第1導電層203に垂直な方向において該複数の第1金属メッシュの輪郭と重なるように、該仮想電極230も折れ線状である。例えば、該第1接続部212における第1接続線215も折れ線状である。
【】
例えば、仮想電極230の面積はS1であり、該仮想電極230の該第1導電層での射影と該第1導電層における第1金属線21とにより定義されたいずれか1つのメッシュの網孔の面積はS2であって、 a<S1/S2<b を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
ここのメッシュは仮想電極と第1導電層における第1金属線21とにより定義されたものであり、該第1導電層には該仮想電極と重なる第1金属線21が存在してもよく、又は該仮想電極と重なる第1金属線21が存在しなくてもよく、本開示の実施例はこれを制限せず、即ち、該メッシュは第1金属線21を接続して形成した実際に存在するメッシュであってもよく、仮想電極の第1導電層での射影と第1導電層における第1金属線とにより定義された仮想メッシュであってもよく、本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
例えば、図3A及び図3Cに示すように、仮想電極230は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれXDとYDであり、該仮想電極230の第1導電層での射影と第1導電層における第1金属線とにより定義されたいずれか1つのメッシュの網孔の面積はS2であり、図3Aに示すように、該仮想電極230の第1導電層での射影と第1導電層における第1金属線はA、B、C、Dの4つのメッシュを定義し、従って、S2は該4つのメッシュのうちのいずれか1つの網孔の面積であってもよい。該メッシュの網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bであり、例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
他の例では、該仮想電極230は互いに接続されるn個の矩形を含み、該n個の矩形の長さはそれぞれX1、X2…Xnであり、幅はいずれもYDであり、nは1より大きい整数であり、メッシュの網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれXとYであり、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、
ここで、XD=X1+X2+…+Xnであり、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、a<bである。例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
図8Aは図7における領域Aの拡大模式図である。図7及び図8Aに示すように、該仮想電極230は互いに接続される3つの第2金属線22を含み、該仮想電極230の面積は該3つの第2金属線22の総面積にほぼ等しくてもよく、該3つの第2金属線22の長さはそれぞれX1、X2及びX3であり、各第2金属線22の幅はYDである。ここで、第2金属線22とは第2導電層における1つの第1金属メッシュの1つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、各第2金属線22の長さ範囲は該第1金属メッシュに対応し、該第2金属線の長さとはその延在方向に沿う寸法を指し、幅とはその延在方向に直交する方向に沿う寸法を指す。各第2金属線22に対応する第1金属メッシュ213の網孔は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれXとYである。従って、S1=XD*YD、XD=X1+X2+X3、S2=X*Yであり、且つ、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
例えば、該仮想電極230における複数の第2金属線22に対応するいずれか1つの第1金属メッシュの網孔の面積はS2であり、 a<S1/S2<b を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。第2金属線22が第1金属メッシュ213に対応することとは、該第2金属線22が第1導電層201に垂直な方向において該第1金属メッシュ213における該第1金属線21に平行する第1金属線21と重なることを意味する。ここのS1とは仮想電極230の総面積を指し、S2とは第1導電層201に垂直な方向において該仮想電極230と重なるいずれか1つの第1金属メッシュ213の面積を指す。本実施例では、仮想電極の下方に第1金属線が存在し、該仮想電極と該第1導電層における第1金属線とにより定義されたメッシュは該仮想電極に対応する第1金属メッシュとして見なされてもよい。
【】
図8Bに該領域Aにおける第1導電層のパターンを示す。図8A~図8Bには隣接する第1接続線215及び仮想電極230、並びにそれらの間に位置する第1金属メッシュ213を示す。該仮想電極230は3つの第2金属線22を含み、延在範囲は同一行に位置する隣接する3つの第1金属メッシュ213に対応する。該3つの第1金属メッシュ213のサイズは互いに異なり、隣接する金属メッシュの頂点が重なっていない。該3つの第1金属メッシュ213は互いに絶縁され且つ第1方向D1において順に配列される3つの部分を含み、中間の部分は第2接続部222に属し、両側の部分はそれぞれ該第2接続部222に隣接し且つ絶縁される第1電極本体部211に属する。該第2接続部222はそれぞれ第1金属線21における断口260によって該第1電極本体部211と間隔を置いて絶縁されている。ここで、各第2金属線22とは第2導電層における1つの第1金属メッシュの1つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、該第2金属線22の長さ範囲は該第1金属メッシュに対応する。
【】
図8A~図8Bに示すように、該仮想電極230は互いに接続される複数の矩形構造を含み、該仮想電極230の面積は該3つの第2金属線22の総面積にほぼ等しくてもよく、該3つの第2金属線22の長さはそれぞれX1、X2及びX3であり、各第2金属線22の幅はYDである。ここで、第2金属線22とは第2導電層における1つの第1金属メッシュの1つの辺に平行し且つ重なる導線範囲を指し、該第2金属線22の長さ範囲は該第1金属メッシュに対応し、該第2金属線の長さとはその延在方向に沿う寸法を指し、幅とはその延在方向に直交する方向に沿う寸法を指す。各第2金属線22に対応する第1金属メッシュ213の網孔は矩形であり、該矩形の長さと幅はそれぞれXとYである。従って、S1=XD*YD、XD=X1+X2+X3、S2=X*Yであり、且つ、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、
ここで、0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
以上は該第1金属メッシュが矩形である場合を例として説明したが、該第1金属メッシュが他の形状である場合、関係を満たすために、その網孔の面積を対応して計算して対応する設計を行うことができる。
【】
なお、ここの第1金属メッシュは完全なメッシュではない可能性があり、その少なくとも1つの辺上の第1金属線に断口が存在する可能性があり、このような場合、該第1金属メッシュの網孔の面積とは該第1金属メッシュの各辺により定義された完全なメッシュの網孔の面積を指す。
【】
該タッチ構造は表示装置に適用されるとき、設計によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示装置の開口率を向上させることにも役立ち、以下にこれを詳しく説明する。
【】
図9は本開示の別の実施例によるタッチ構造の模式図である。例えば、該タッチ構造は折り曲げ可能エリア281を含み、該折り曲げ可能エリア281は例えば使用時に折り曲げられる領域である。該第1接続部212は該折り曲げ可能エリア281に位置する折り曲げ部271を含み、該折り曲げ部は少なくとも1つの第2金属線22を含み、該少なくとも1つの第2金属線に孔270が設置され、その孔径は位置する第2金属線22の線幅の25%~90%である。該孔は貫通孔である。
【】
例えば、該仮想電極230に孔232が設置されてもよく、その孔径は例えば位置する第2金属線22の線幅の25%~90%である。該孔は貫通孔である。
【】
折り曲げ可能エリア281に位置する第2金属線22に貫通孔を設置することにより、折り曲げ過程で該第2金属線22が受けた応力を効果的に解放することができ、それにより該タッチ構造の耐折り曲げ性を向上させる。
【】
例えば、図9に示すように、該第1接続部212は複数の第2金属線22を接続して形成した多角形を含み、該多角形の少なくとも一部は該折り曲げ部271とされ、複数の第2金属線22はそれぞれ第1導電層201に垂直な方向において複数の第1金属線21と重なる。
【】
例えば、該第1接続部はそれぞれ該多角形の複数の頂点に接続される複数の第2金属メッシュ272をさらに含み、複数の第2金属メッシュ272はそれぞれ前記第1導電層に垂直な方向において該第2接続部222における複数の第1金属メッシュと重なる。
【】
例えば、絶縁層203における対応する各第2金属メッシュ272の頂点にはいずれもビア240が設置され、該第2金属メッシュ272における第2金属線22は該ビア240によって該第1接続部212に隣接する第1電極本体部211に電気的に接続される。
【】
例えば、図9に示すように、該第1接続部212に含まれる多角形は矩形であり、該矩形の4つの頂点にそれぞれ1つの第2金属メッシュ272が接続される。該第2金属メッシュ272は矩形であり、該第2金属メッシュ272の4つの頂点はそれぞれ第1金属メッシュ213の4つの頂点と重なり、第1接続部212と第1電極本体部211を電気的に接続するように、該第2金属メッシュ272の4つの頂点にそれぞれ1つのビア240が設置される。
【】
このような設置によって、第1接続部212及び第1電極本体部211の接続ビアの数を増加させることができ、第1接続部212の耐折り曲げ性を向上させる。
【】
例えば、各第2金属メッシュ272の少なくとも1つの頂点は折り曲げ可能エリア281外の非折り曲げエリアに位置する。例えば、各第2金属メッシュ272はいずれも非折り曲げエリアに位置する。
【】
本開示の実施例はタッチ構造20を含むタッチパネルをさらに提供する。図10は本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチパネルの模式図である。図10に示すように、該タッチパネル40はタッチエリア301と、該タッチエリア301外に位置する非タッチエリア302とを含み、該タッチ構造20は該タッチエリア301に位置する。例えば、該第1タッチ電極210は該矩形の長さ方向に沿って延在し、該第2タッチ電極220は該矩形の幅方向に沿って延在する。明確のために、図中には該第1タッチ電極及び第2タッチ電極の構造を詳しく示さない。
【】
例えば、図10に示すように、該タッチパネル40は該非タッチエリア302に位置する複数の信号線450をさらに含む。各第1タッチ電極210と各第2タッチ電極220はそれぞれ1つの信号線450に電気的に接続され、且つ該信号線によってタッチコントローラ又はタッチ集積回路(図示せず)に接続される。例えば、第1タッチ電極210はタッチ駆動電極であり、第2タッチ電極220はタッチ感知電極であるが、本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
該タッチ集積回路は例えばタッチチップであり、該タッチパネル40における第1タッチ電極210にタッチ駆動信号を提供して該第2タッチ電極220からタッチ検知信号を受信し、該タッチ検知信号を処理することに用いられ、例えば、タッチセンシング機能を実現するように、処理されたデータ/信号をシステムコントローラに提供する。
【】
例えば、図10に示すように、該複数の信号線450の該タッチ集積回路に接続される一端はいずれも該タッチエリア301の同一側(例えば、図10の下側)に配置されてもよく、そうすると、該タッチ集積回路との接続を容易に実現することができる。
【】
例えば、図10に示すように、第1タッチ電極210は第2タッチ電極220より長く、負荷がより大きいので、信号伝送速度を向上させるために、1つの第1タッチ電極210の両端にそれぞれ1つの信号線450を設置することができ、動作時に該タッチ集積回路は同時に2つの信号線450によって1つの第1タッチ電極210にタッチ駆動信号を双方向に入力し(デュアルパス駆動)、第1タッチ電極210における信号を読み込む速度を向上させ、それにより検出速度を向上させることができる。
【】
例えば、該第1導電層201又は第2導電層202の材料はアルミニウム、モリブデン、銅、銀等の金属材料又はこれらの金属材料の合金材料、例えば銀パラジウム銅合金(APC)材料を含む。
【】
例えば、第1金属線21又は第2金属線22の平均線幅は3マイクロメートルである。例えば、金属線における断口260の幅(位置する金属線の長さ方向に沿う寸法)は5.2マイクロメートルである。
【】
例えば、該絶縁層203の材料は無機絶縁材料であってもよく、例えば、該無機絶縁材料は透明材料である。例えば、該無機絶縁材料は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等のシリコンの酸化物、シリコンの窒化物又はシリコンの窒素酸化物、又は酸化アルミニウム、窒化チタン等の金属窒素酸化物含有絶縁材料である。
【】
例えば、該絶縁層203の材料は良好な耐折り曲げ性を得るように、有機絶縁材料であってもよい。例えば、該有機絶縁材料は透明材料である。例えば、該有機絶縁材料はOCA光学用接着剤である。例えば、該有機絶縁材料はポリイミド(PI)、アクリル酸エステル、エポキシ樹脂、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)等を含んでもよい。
【】
本開示の少なくとも1つの実施例はいずれか1つの実施例によるタッチ構造20を含むタッチ表示パネルをさらに提供する。
【】
図11Aは本開示の少なくとも1つの実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図11Bは図11Aの断面線III-III′に沿う断面図である。
【】
図11A~図11Bを参照すれば、該タッチ表示パネル60はベース基板101と、該ベース基板101に積層設置される表示構造50及びタッチ構造20とを含み、タッチ構造20は表示構造50上に位置し、且つ使用過程においてユーザー側により近い。
【】
例えば、該タッチ表示パネルはOLED表示パネルであり、表示構造50はアレイ状に配列される複数のサブ画素を含む。例えば、該複数のサブ画素は赤色サブ画素(R)、緑色サブ画素(G)及び青色サブ画素(B)を含む。各サブ画素は発光素子51を含む。該表示構造は画素画定層54をさらに含み、該画素画定層は各発光素子51を露出させる第1電極の開口を含み、それにより各発光素子の位置するサブ画素の画素開口エリア540を定義する。該発光素子51は例えば有機発光ダイオード(OLED)である。
【】
本開示の実施例はサブ画素の配列方式を制限せず、図11Aでは帯状(Stripe)画素配列方式で例示的に説明し、他の例では、該サブ画素はさらにモザイク(Mosaic)配列方式、Delta配列方式、Pentile及び他の画素レンダリング方式(Sub-Pixel Rendering、SPR)で配列されてもよい。
【】
図11Aには矩形枠で各サブ画素の画素開口エリア540を模式的に示す。しかし、本開示の実施例は画素開口エリアの形状を制限せず、他の例では、該画素開口エリア540の平面形状はさらに他の多角形(菱形、五角形、六角形等)又は他の形状であってもよい。
【】
複数の第1金属線21と複数の第2金属線22のベース基板101での正射影はいずれも複数のサブ画素の複数の画素開口エリア540のベース基板101での正射影の外に位置し、即ち画素開口エリアの間の画素分離エリア541のベース基板101での正射影内に位置し、該画素分離エリア541は該画素画定層54の非開口エリアである。該画素分離エリア541は複数のサブ画素の画素開口エリアを分離し、各サブ画素の発光層を分離し、クロスカラーを防止することに用いられる。
【】
例えば、該金属メッシュにより形成されるタッチ電極を表示パネルに統合するとき、金属線が光を遮蔽して、画素開口率が低下することを回避するように、金属メッシュにおける金属線は表示パネルの画素開口エリア外に設置される必要がある。例えば、金属メッシュにおける金属線は画素開口エリアの間の画素分離エリアに対応して設置される。例えば、各第1金属メッシュ213の網孔のベース基板101での正射影は少なくとも1つの画素開口エリア540の正射影を覆う。例えば、第1金属メッシュ213の網孔は各サブ画素の発光素子の画素開口エリア540を露出させるように、画素開口エリアに1対1で対応して設置される。他の例では、少なくとも1つの第1金属メッシュ213の網孔は少なくとも2つのサブ画素の画素開口エリアを覆う。本開示の実施例はこれを制限しない。
【】
例えば、該表示構造50はスペーサ層(spacer layer)55をさらに含み、該スペーサ層55は蒸着によって有機発光層513を形成する際に蒸着マスクを支えることに用いられてもよく、それにより画素画定層54と蒸着マスクを分離して画素画定層54を保護し、スペーサ層55はさらに隣接する有機発光層をさらに分離する役割を果たすことができる。スペーサ層55は一般的に間隔を置いて設置される複数のスペーサ550を含み、スペーサ550の形状は一般的に矩形、柱状、球状、半球状であるが、それらに限らない。
【】
例えば、該画素画定層54とスペーサ層55はそれぞれ1μm~5μm厚さのポリイミド(PI)又はアクリル(PMMA)等の材料であってもよい。
【】
例えば、図11Bに示すように、仮想電極230とスペーサ550はベース基板101に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。このような設置はタッチ表示パネルの開口率をさらに向上させることができる。
【】
各サブ画素は発光素子51と、該発光素子51を駆動して発光させる画素駆動回路とを含む。本開示の実施例は画素駆動回路のタイプ及び具体的な構成を制限せず、例えば、該画素駆動回路は電流駆動型であってもよく、電圧駆動型であってもよく、2T1C(即ち、2つのトランジスタ及び1つのコンデンサ、該2つのトランジスタは駆動トランジスタ及びデータ書込みトランジスタを含む)駆動回路であってもよく、2T1Cのほか、さらに補償回路(補償トランジスタ)、発光制御回路(発光制御トランジスタ)、リセット回路(リセットトランジスタ)等を含む駆動回路であってもよい。
【】
明確のために、図11Bには該画素駆動回路における該発光素子51に直接電気的に接続される第1トランジスタ53のみを示し、該第1トランジスタ53は駆動トランジスタであってもよく、飽和状態において動作し、発光素子51の発光を駆動する電流の大きさを制御するように構成される。例えば、該第1トランジスタ53は発光制御トランジスタであってもよく、発光素子51の発光を駆動する電流が流れるかどうかを制御することに用いられる。本開示の実施例は第1トランジスタの具体的なタイプを制限しない。
【】
例えば、発光素子51は有機発光ダイオードであり、第1電極511、発光層513及び第2電極512を含む。第1電極511と第2電極512のうちの一方は陽極であり、他方は陰極であり、例えば、第1電極511は陽極であり、第2電極512は陰極である。例えば、発光層233は有機発光層又は量子ドット発光層である。例えば、発光素子51は発光層513のほか、さらに正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の補助機能層を含んでもよい。例えば、発光素子51はトップエミッション構造であり、第1電極511は反射性を有するが、第2電極512は透過性又は半透過性を有する。例えば、第1電極511は高仕事関数の材料であり、陽極として機能し、例えばITO/Ag/ITO積層構造であり、第2電極512は低仕事関数の材料であり、陰極として機能し、例えば半透過性金属又は金属合金材料であり、例えばAg/Mg合金材料である。
【】
例えば、該発光層513は一重項状態の蛍光有機発光材料、又は三重項状態の燐光有機発光材料であってもよい。燐光有機発光材料は一般的に発光層と電子輸送層との間に正孔阻止層(Hole Blocking Layer、HBL)を追加する必要があり、又は、発光層と正孔輸送層(Hole Transport Layer、HTL)との間に電子阻止層(Electron Blocking Layer、EBL)を追加し、従って、一重項状態の励起子と比べて、三重項状態の励起子は耐用年数がより長く、拡散長さがより長い。
【】
図11Bに示すように、該画素画定層54、スペーサ層55は順に該発光素子51の第1電極511に設置される。発光素子51の第1電極511の少なくとも一部を含むように画素画定層54に開口を形成し、該サブ画素の有効発光領域、即ち画素開口エリア540を形成するように発光層513は画素画定層54の開口に形成される。
【】
第1トランジスタ53はゲート531、ゲート絶縁層532、活性層533、第1極534及び第2極535を含み、該第2極535は絶縁層90におけるビア91によって発光素子51の第1電極511に電気的に接続され、該絶縁層90は例えば平坦化層である。本開示の実施例は第1トランジスタ53のタイプ、材料、構造を制限せず、例えば、トップゲート型、ボトムゲート型等であってもよく、第1トランジスタ53の活性層533はアモルファスシリコン、多結晶シリコン(低温多結晶シリコン及び高温多結晶シリコン)、酸化物半導体(例えば、酸化インジウムガリウムスズ(IGZO))等であってもよく、且つ第1トランジスタ53はN型又はP型であってもよい。
【】
本開示の実施例に採用されるトランジスタはいずれも薄膜トランジスタ又は電界効果トランジスタ又は他の同じ特性のスイッチングデバイスであってもよく、本開示の実施例はいずれも薄膜トランジスタを例として説明する。ここで採用されるトランジスタのソース、ドレインは構造的に対称であってもよく、従って、そのソース、ドレインは構造的に同じであってもよい。本開示の実施例では、トランジスタのゲート以外の両極を区別するために、そのうちの一方の極が第1極であり、他方の極が第2極であると直接説明される。
【】
例えば、図11Bに示すように、該表示構造50は該発光素子51と該タッチ構造20との間に位置するパッケージ層56をさらに含み、該パッケージ層56は、外部の湿気や酸素が該発光素子及び駆動回路に侵入して、例えば発光素子51等のデバイスが破損することを防止するように、発光素子51をシールするように構成される。例えば、パッケージ層56は単層構造又は多層構造であってもよく、例えば、有機薄膜、無機薄膜を含み、又は有機薄膜と無機薄膜を交互に積層してなる多層構造を含む。
【】
図11Bに示すように、該タッチ表示パネル60は表示構造50とタッチ構造20との間に位置するバッファ層204をさらに含む。例えば、該バッファ層204は該パッケージ層56上に形成され、タッチ構造20と表示構造50との接着力を向上させることに用いられる。例えば、該バッファ層204は無機絶縁層であり、例えば、該バッファ層204の材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素又はシリコンの窒素酸化物であってもよい。例えば、該バッファ層204は酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を交互に積層してなる構造を含んでもよい。
【】
例えば、該ベース基板101はガラス基板、シリコン基板又はフレキシブル基板であってもよく、例えば、優れた耐熱性及び耐久性を有する塑性材料、例えばポリイミド(PI)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタル酸グリコールエステル(PET)、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレングリコールテレフタル酸エステル(PET)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスルホン(PSF)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、三酢酸セルロース(TAC)、シクロアルケン重合体(COP)及びシクロアルケン共重合体(COC)等で形成されてもよい。
【】
図12Aは図11AにおけるD領域の拡大模式図であり、図12Bは図12Aの断面線IV-IV′に沿う断面図である。
【】
図11A及び図12Aを参照すれば、図12Aには各サブ画素の発光層の境界線LG、LR、LBを示し、例えば、図12Aに示すように、該境界線のベース基板での正射影は第1金属線21又は第2金属線22のベース基板での正射影内に位置する。
【】
図12A~図12Bを参照すれば、該表示構造50は順にベース基板101に設置される半導体パターン層102、第1導電性パターン層501、第2導電性パターン層502、第3導電性パターン層503、第4導電性パターン層504を含む。
【】
例えば、該半導体パターン層102は画素回路における各トランジスタの活性層を含んでもよく、該活性層は例えばトランジスタのチャネルエリア及び導体化されたソースドレイン接触エリアを含んでもよい。
【】
例えば、該第1導電性パターン層501は画素回路における各トランジスタのゲートと、該ゲートに接続されるいくつかの走査制御線(例えば、発光制御信号線、リセット制御信号線等)とを含んでもよい。
【】
例えば、該第2導電性パターン層502は電源線、容量電極及びリセット電圧線等を含んでもよい。
【】
例えば、該第3導電性パターン層503はデータ線、電源線等を含んでもよい。該第3導電性パターン層503はさらにいくつかの接続電極を含んでもよい。
【】
例えば、該第4導電性パターン層504は各サブ画素の発光素子の第1電極511を含んでもよい。
【】
例えば、各サブ画素の画素回路は蓄積コンデンサ57をさらに含み、該蓄積コンデンサ57は例えば駆動トランジスタに電気的に接続され、且つデータ信号及び駆動トランジスタの閾値電圧の関連情報を蓄積するように構成され、それにより駆動トランジスタの閾値補償を実現する。例えば、該蓄積コンデンサ57は互いに正対する第1容量電極571及び第2容量電極572を含み、例えば、該第1容量電極571と第2容量電極572はそれぞれ第2導電性パターン層502と第1導電性パターン層501内に位置する。
【】
例えば、各サブ画素の画素回路は駆動トランジスタ(図示せず)をさらに含み、該駆動トランジスタは発光素子を流れる駆動電流を制御するように構成される。例えば、該第2容量電極572は同時に該駆動トランジスタのゲートとして機能する。
【】
例えば、図12Bに示すように、発光素子51の第1電極511は絶縁層90におけるビア91によって第1トランジスタ53の第2極535に電気的に接続される。仮想電極230、発光素子51の第1電極511、第1容量電極571はベース基板101に垂直な方向において互いに重なる。このような設置は表示パネルの開口率をできる限り向上させることができる。
【】
図12Cは本開示の他の実施例によるタッチ表示パネルの模式図である。図12Cに示すように、各サブ画素は第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素を含み、該第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素はそれぞれ異なる色の光を発する。該第1サブ画素、第2サブ画素及び第3サブ画素の画素開口エリア540の面積は順に減少する。例えば、該第1サブ画素は青色サブ画素(B)であり、第2サブ画素は赤色サブ画素(R)であり、第3サブ画素は緑色サブ画素(G)である。これは、緑色発光材料の発光効率が比較的高く、開口エリアの面積がより小さく設定されてもよいが、青色発光材料の耐用年数が最も短く、従って、より大きな発光面積で表示基板の発光安定性を向上させる必要があるためである。
【】
例えば、各サブ画素の発光素子の第1電極は本体部511a及び延在部511bを含み、本体部511aは主に発光層を駆動して発光させることに用いられ、本体部511aはベース基板に垂直な方向において、該発光素子の属するサブ画素の画素開口エリア450と重なる。図12Cに示すように、該発光素子の第1電極の本体部511aのベース基板での正射影は該発光素子の属するサブ画素の画素開口エリア450の前記ベース基板での正射影を覆う。例えば、該第1電極の本体部511aの平面形状は多角形であり、例えば、四角形(例えば、矩形)、五角形又は六角形等である。
【】
例えば、延在部511bはビア91によって画素回路に電気的に接続されることに用いられる(図12B参照)。該延在部511bとサブ画素の画素開口エリアはベース基板に垂直な方向において重なっておらず、それによりビア91が発光層の平坦度を損なって色かぶり等の問題が発生することを回避する。
【】
例えば、図12Cに示すように、該第1サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511aと該第2サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511bはいずれも第1方向D1に沿って延在し、該第3サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511bは第2方向D2に沿って延在する。
【】
図12Cに示すように、第1サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511bと第1導電層201は前記ベース基板に垂直な方向において重なり、第1重なり面積M1を有し、第2サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511bと第1導電層201はベース基板に垂直な方向において重なり、第2重なり面積M2を有し、第3サブ画素の発光素子の第1電極の延在部と第1導電層201はベース基板に垂直な方向において重なり、第3重なり面積M3を有する。このような設置は表示パネルの開口率をできる限り向上させることができる。
【】
例えば、該第3重なり面積M3は第1重なり面積M1及び第2重なり面積M2のうちの少なくとも1つより大きい。例えば、該第1重なり面積M1、第2重なり面積M2、第3重なり面積M3は順に増大する。図12Cに示すように、該第3重なり面積M3は第1重なり面積M1より大きく、且つ第2重なり面積M2より大きい。
【】
例えば、発光素子の第1電極の延在部(非発光領域)は外部環境光又は発光層の発する光を隣接するサブ画素の画素開口エリアに反射しやすく、それによりクロストーク発光又は低い光混合効果の問題が発生し、従って、第1導電層における第1金属線を設置して各画素の発光素子の第1電極の延在部を遮蔽することにより、発光干渉及び低い光混合効果の問題を回避することができる。緑色発光材料の発光効率が比較的高いため、緑色サブ画素(即ち、第3サブ画素)の発光素子の第1電極の延在部が遮蔽される面積をより大きく設定することにより、問題をさらに改善することに役立つ。
【】
例えば、図12Cに示すように、該第3サブ画素の発光素子の第1電極の延在部511bは2つの第1金属線201の交差箇所と重なる。
【】
図13Aは本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図13Bは図13Aにおける領域Eの拡大模式図であり、図13Cは該領域Eにおける第1導電層のパターンである。図13A~図13Cには隣接する第1接続線215、仮想電極230及びそれらの間に位置する第1金属メッシュ213を示す。例えば、該第1接続線215と該仮想電極230との間には同一行に位置する隣接する3つの第1金属メッシュ213が介在する。例えば、該3つの第1金属メッシュ213はそれぞれ赤色サブ画素(R)、緑色サブ画素(G)及び青色サブ画素(B)に対応して設置される。例えば、緑色サブ画素の画素開口エリアの面積は最も小さく、青色サブ画素の開口エリアの面積は最も大きい。それに対応して、該3つの第1金属メッシュ213のサイズは互いに異なり、隣接する第1金属メッシュの頂点は重なっていない。
【】
図13Cに示すように、該3つの第1金属メッシュ213は互いに絶縁され且つ第1方向D1において順に配列される3つの部分を含み、中間の部分は第2接続部222に属し、両側の部分はそれぞれ該第2接続部222に隣接し且つ絶縁される第1電極本体部211に属する。該第2接続部222はそれぞれ第1金属線21における断口260によって該第1電極本体部211と間隔を置いて絶縁される。
【】
図13A~図13Cに示すように、該仮想電極230は3つの第1金属メッシュ213にそれぞれ対応する3つの第2金属線22を含む。図8A~図8Bを参照すれば、該仮想電極230の面積は該3つの第2金属線22の総面積にほぼ等しくてもよく、該3つの第2金属線22の長さはそれぞれX1、X2、X3であり、各第2金属線22の幅はYDである。各第2金属線22に対応する第1金属メッシュ213の網孔は矩形であり、該網孔の長さと幅はそれぞれXとYである。従って、S1=XD*YD、S2=X*Yであり、且つ、 a<(XD×YD)/(X×Y)<b を満たし、
ここで0.05<a<0.2、0.1<b<0.3であり、例えば、0.1<a<0.2、0.12<b<0.24であり、a<bである。
【】
本開示の実施例は仮想電極230の形状を制限せず、仮想電極230の形状が変化する場合、該仮想電極230の総面積を対応して計算することができる。例えば、図3Aに示すように、該仮想電極230における複数の第2金属線22は同一直線上にあり、該仮想電極230は矩形であり、該仮想電極230の長さと幅はそれぞれXDとYDであり、従って、該仮想電極230の面積S1=XD*YDである。
【】
表1には異なる寸法を有する第1金属メッシュのタッチ表示パネルのテストデータを示す。該実験において、仮想電極230の形状は矩形であり、長さと幅はそれぞれXDとYDである。例えば、組1~組4において、第2金属線の平均幅YDは3マイクロメートルであり、比較組において、第2金属線の平均幅YDは5マイクロメートルである。第2金属線の平均長さXDはその対応する該第1金属メッシュ213の網孔の長さXと同じである。
【】
【表】
【】
例えば、発光材料の耐用年数等の要素を考慮して、緑色サブ画素の画素開口エリアの面積は最も小さく、青色サブ画素の開口エリアの面積は最も大きいことに対応して、緑色サブ画素に対応する金属メッシュの網孔の面積は最も小さく、青色サブ画素に対応する金属メッシュの網孔の面積は最も大きい。
【】
表1から分かるように、比較組と比べて、関係式を満たす組1~組4に対応するタッチ表示パネルは、より高い開口率及びより低い参照容量C0を有し、それにより該タッチ表示パネルは開口率を向上させるとともに、タッチ感度を向上させる。
【】
以上は該第1金属メッシュと仮想電極がいずれも矩形である場合を例として説明したが、該第1金属メッシュと仮想電極が他の形状である場合、関係を満たすように、その網孔の面積及び仮想電極の面積を対応して計算して、対応する設計を行うことができる。
【】
なお、ここの第1金属メッシュは完全なメッシュではない可能性があり、その少なくとも1つの辺上の第1金属線に断口が存在する可能性があり、このような場合、該第1金属メッシュの網孔の面積とは該第1金属メッシュの各辺により定義された完全なメッシュの網孔の面積を指す。
【】
ある程度で、第1金属メッシュの網孔の面積が大きければ大きいほど、画素開口エリアへの影響が小さくなり、タッチ感度が低くなり、仮想電極の面積が大きければ大きいほど、画素開口エリアへの影響が大きくなり、タッチ感度が高くなる。設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
【】
図14Aは本開示の別の実施例によるタッチ表示パネルの構造模式図であり、図14Bは図14Aにおける領域Fの拡大模式図である。
【】
図14A~図14Bに示すように、仮想電極230と前記第1接続部212は第2金属線22における断口260により絶縁されており、該断口260は該第2金属線22を第1部分及び第2部分に分離し、該第1部分は該仮想電極230に属し、該第2部分は該第1接続部212に属する。
【】
例えば、各第1金属メッシュ213の複数の辺は対応する画素開口エリアの輪郭の複数の辺にそれぞれ平行する。
【】
例えば、隣接する2つの画素開口エリアの互いに近い2つの辺は互いに平行し、且つそれらの間に1つの第1金属線21が設置され、隣接する2つの画素開口エリアの互いに近い2つの辺のベース基板101での正射影はいずれも該第1金属線21のベース基板101での正射影に平行し、且つ該第1金属線21のベース基板101での正射影との間隔も同じであり、即ち、隣接する2つの画素開口エリアの間の第1金属線21は該2つの画素開口エリアの隙間の中間位置にあり、該第1金属線21と該2つの画素開口エリアとの最小距離(該画素開口エリアの該第1金属線に最も近い辺との距離)は同じである。
【】
このような設置は該第1金属線とその両側の2つの画素開口エリアのうちのいずれか1つとの距離が小さすぎるため、該画素開口エリアの光線に悪影響を与えることを回避することができ、また、このような設置は該第1金属線が該2つの画素開口エリアの光線に与えた影響を同様にし、それにより表示の均一性を向上させる。
【】
説明の都合上、隣接する2つの画素開口エリアの互いに平行し且つ近い2つの辺のベース基板101での正射影の間の距離は該隣接する2つの画素開口エリアの間隔(PDL GAP)と称される。
【】
例えば、図14Bに示すように、該第2金属線22の平均幅YD、該断口260の寸法(即ち、該断口の位置する金属線の延在方向に沿う寸法)XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは、 0<YD/SGap<0.2 を満たし、
ここの隣接する画素開口エリアの間隔は直接隣接するいずれか2つの画素開口エリアの間の間隔である。ある程度で、第2金属線22の平均幅YDが大きければ大きいほど、仮想電極の面積は大きくなり、画素開口エリアへの影響は大きくなり、タッチ感度は高くなり、隣接する画素開口エリアの間隔SGapが大きければ大きいほど、金属線が画素開口エリアに与えた影響は小さくなり、タッチ感度は低くなる。設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
【】
例えば、該第2金属線22の平均長さXDとその中に位置する断口260の寸法(即ち、該断口の位置する該第2金属線の延在方向に沿う寸法)XDGapは、 0.1<XDGap/X<0.5 を満たす。
【】
断口260の寸法の減少は第1接続部212の面積又は仮想電極230の面積を増大することに役立ち、タッチ感度を向上させることにも役立つが、断口260の寸法が小さすぎると、第1接続部212と仮想電極230が短絡するリスクがある。設置によって、プロセスの歩留まりを確保する上で、タッチ感度を向上させることもできる。
【】
関係式は第1金属線21における断口にも適用される。図14Bに示すように、第1電極本体部211は第1金属線21における断口280によって、隣接する第2タッチ電極220、例えば第2電極本体部221又は第2接続部222と絶縁されている。該断口280は第1金属線21を第1部分及び第2部分に分離し、第1部分は該第1電極本体部に属し、第2部分は該第2電極本体部又は第2接続部に属する。第1金属線の平均長さXD、平均幅YD、断口280の寸法XDGap、隣接する画素開口エリアの間隔SGapは、 0<YD/SGap<0.2 、 0.1<XDGap/X<0.5 を満たす。
【】
本開示の少なくとも1つの実施例はさらにファインメタルマスクを提供するものであり、本開示のいずれか1つの実施例によるタッチ表示パネルを製造することに用いられる。該ファインメタルマスクはマスク孔を含み、該マスク孔は該表示構造における第1サブ画素の画素開口エリアを露出させることに用いられ、それにより該第1サブ画素の発光素子の発光層を形成し、該マスク孔の面積はS3である。該第1サブ画素の画素開口エリアのベース基板での正射影はその対応する1つの第1金属メッシュの網孔の前記ベース基板での正射影内に位置し、該第1金属メッシュの網孔の面積はS4である。蒸着過程において、該ファインメタルマスクのマスク孔から対応する画素開口エリアが露出し、該マスク孔によって該対応する画素開口エリアに発光材料を堆積させる。
【】
例えば、該ファインメタルマスクの線幅は該第1金属線の線幅より大きい。該第1サブ画素に対応するマスク孔の面積は該第1サブ画素に対応する第1金属メッシュの網孔の面積より大きい。例えば、該第1サブ画素に対応するマスク孔のベース基板での正射影は該第1金属メッシュの網孔の正射影を覆う。
【】
例えば、図11Bを参照すれば、該第1金属メッシュにおける第1金属線21と該第1金属メッシュに対応する第1サブ画素の発光層513はベース基板101に垂直な方向において少なくとも部分的に重なる。
【】
このような設置によって、該第1金属線21と該画素開口エリア450は十分な距離を維持する上で、該画素開口エリア450のエッジの光漏れ現象を緩和し、隣接する画素同士の色混合、クロスカラーを回避することもできる。
【】
例えば、該第1サブ画素が緑色サブ画素又は赤色サブ画素である場合、 0<S4/S3<0.8 を満たす。
【】
例えば、該第1サブ画素が青色サブ画素である場合、 0.9<S4/S3<1 を満たす。
【】
ここの第1サブ画素とは表示構造における同一色の光を発するサブ画素を指し、例えば、赤色サブ画素、緑色サブ画素又は青色サブ画素である。同一色のサブ画素の発光層は同一マスクで形成される。
【】
第1金属メッシュの網孔が大きければ大きいほど、金属線が画素開口エリアに与えた影響は小さくなり、タッチ感度は低くなる。
【】
例えば、青色サブ画素の画素開口エリアの面積が比較的大きいため、その対応する第1金属メッシュの網孔をより大きくする必要があり、それにより金属線が画素開口エリアの光線に悪影響を与えることを回避し、例えば、青色サブ画素に対応する画素開口エリアの面積はその対応する第1金属メッシュの網孔の面積に相当する。
【】
例えば、赤色及び青色サブ画素の開口エリアの面積が比較的小さいため、その対応する第1金属メッシュの網孔をより小さくすることができ、それによりタッチ感度を向上させる。
【】
設置によって、タッチ検出の感度を向上させるとともに、表示パネルの開口率を向上させることにも役立つ。
【】
以下、図11Aに示されるタッチ表示パネルにおける発光層を形成する場合を例として本開示の実施例によるファインメタルマスクについて説明する。
【】
図15Aは本開示の少なくとも1つの実施例によるファインメタルマスク(Fine Metal Mask、FMM)の構造模式図である。説明しやすくするために、該ファインメタルマスク70を図11Aに示されるタッチ表示パネルに対応付けて示して説明する。図15Bは図15Aの部分拡大模式図である。
【】
例えば、図15A~図15Bに示すように、該ファインメタルマスク70のマスク孔700は矩形であり、長さXFMM及び幅YFMMを有し、その対応する第1金属メッシュ213の網孔は矩形であり、長さX及び幅Yを有する。ここで、マスク孔700とその対応する第1金属メッシュ213の網孔はいずれも同様の画素開口エリアを覆う(同様の画素開口エリアに対応する)。
【】
例えば、図15Aに示すように、該第1サブ画素は緑色サブ画素であり、該ファインメタルマスク70は図11Aに示されるタッチ表示パネルにおける緑色サブ画素の発光層を形成することに用いられる。
【】
例えば、該マスク孔700の長さXFMMと該マスク孔700に対応する第1金属メッシュ213の網孔の長さXは、 0<X/XFMM<0.9 を満たす。
【】
例えば、該マスク孔700の面積は S3=XFMM×YFMM であり、該マスク孔700に対応する第1金属メッシュ213の網孔の面積は S4=X×Y であり、 0<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<0.8 を満たす。
【】
該マスク孔700の面積はその対応する第1金属メッシュ213の網孔の面積より大きい。例えば、該第1金属メッシュ213の網孔のベース基板101での正射影は該マスク孔700のベース基板101での正射影内に位置する。例えば、図15Bに示すように、該マスク孔700の輪郭のベース基板101での正射影は対応する第1金属メッシュ213の辺上の第1金属線21のベース基板101での正射影に位置する。
【】
例えば、該第1サブ画素が赤色サブ画素である場合、 0<X/XFMM<0.9 、 0<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<0.8 を満たす。
【】
例えば、該第1サブ画素が青色サブ画素である場合、 0.95<X/XFMM<1 、 0.9<(X×Y)/(XFMM×YFMM)<1 を満たす。
【】
このような場合、例えば、該マスク孔700の面積はその対応する第1金属メッシュ213の網孔の面積より小さい。例えば、該第1金属メッシュ213の網孔のベース基板101での正射影は該マスク孔700のベース基板101での正射影を覆う。
【】
表2には異なる寸法を有する第1金属メッシュのタッチ表示パネルのテストデータを示す。各寸法の単位はいずれもマイクロメートルである。各組のデータには異なる色の画素開口エリアに対応する第1金属メッシュの網孔及び対応するマスク孔の寸法を示す。
【】
【表】
【】
表2から分かるように、比較組と比べて、関係式を満たす組1~組4に対応するタッチ表示パネルは、より高い開口率及びより低い参照容量C0を有し、それにより該タッチ表示パネルは開口率を向上させるとともに、タッチ感度を向上させる。
【】
例えば、発光素子の発光層のベース基板での正射影の形状はその対応するマスク孔の形状と同じであると見なされてもよく、即ち、該発光層と該マスク孔は一致する平面輪郭を有する。従って、第1サブ画素の発光素子の発光層のベース基板での正射影の面積はS3であり、即ち、説明におけるS3は対応する第1サブ画素の発光素子の発光層のベース基板での正射影の面積と理解されてもよく、ここで詳細な説明は省略する。
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本開示の実施例はさらに電子装置を提供するものであり、該電子装置はタッチ構造20、タッチパネル40又はタッチ表示パネル60を含む。例えば、該電子装置はタッチ機能が統合されるタッチ表示装置であり、該タッチ表示装置はディスプレイ、OLEDパネル、OLEDテレビ、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ等の表示機能及びタッチ機能を持ついかなる製品又は部材であってもよい。
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図16は本開示の実施例による電子装置の模式図である。例えば、該電子装置900はタッチ表示装置であり、該タッチ表示装置はタッチパネル40及び表示パネル80を含み、表示パネル80とタッチパネル40は積層設置される。表示パネル81は表示エリア801及び非表示エリア802を含む。例えば、表示エリア801とタッチパネル40のタッチエリア301は互いに揃い、それにより互いに対応し、非表示エリア802とタッチパネル40の非タッチエリア302は互いに揃い、それにより互いに対応する。表示パネル80とタッチパネル40は互いに例えば接着剤で固定され、又は一体に形成され、即ち、タッチパネル40におけるタッチ構造20は表示パネル80を基板として表示パネル81上に直接形成される。
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以上の説明は本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の保護範囲を制限するためのものではなく、本開示の保護範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。
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【国際調査報告】

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