温度感応性電気デバイスと、外部電気回路と、補償モジュールと、測定モジュールとを備えるシステムにおいて、前記温度感応性電気デバイスの温度感応性電気パラメータを使用してパワー半導体の接合温度を決定する方法であって、前記補償モジュールは、少なくとも第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、前記第１のスイッチの第１の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第１の端子に接続され、前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のスイッチの第１の端子と、信号源の第１の端子と、前記補償モジュールの第１の出力とに接続され、前記第２のスイッチの第２の端子は、前記信号源の第２の端子と、前記補償モジュールの第２の出力とに接続されることを特徴とし、前記方法は、
前記第１のスイッチを閉状態にし、前記第２のスイッチを開状態にし、第１の期間中に第１のセットの電圧を測定するするステップと、
前記第１のスイッチの状態及び／又は前記第２のスイッチの状態又は少なくとも１つの別のスイッチの状態を変更し、少なくとも１つの別の期間中に少なくとも１つの別の電圧を測定するステップと、
測定された前記第１のセットの電圧および前記少なくとも１つの別の電圧を使用して、前記温度感応性電気パラメータの値を決定するステップと、
を含む、方法。 前記第２のスイッチの状態は、前記少なくとも１つの別の電圧を測定するために、第２の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記補償モジュールの寄生抵抗器によって、及び前記測定モジュールの内部オフセットによって生成されるオフセット電圧であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの状態は、第３の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第３のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源及び前記外部電気回路を表す第２のセットの電圧であり、前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第３のスイッチの第２の端子は、第１のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第１のキャパシタの第２の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第２の端子及び前記外部電気回路の第２の端子に接続されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 前記第１のスイッチの状態は、第４の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第４のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記第２のスイッチの機能を表す電圧のセットであり、前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第１のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第４のスイッチの第２の端子は、第２のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第１のキャパシタの第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続されることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。 前記少なくとも１つの別のスイッチは、第５の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中にその状態が閉状態に設定される第５のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源を表す電圧であり、前記第５のスイッチの第１の端子は、前記第１のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第５のスイッチの第２の端子は、抵抗器の第１の端子に接続され、前記抵抗器の第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続されることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。 前記温度感応性電気デバイスは、パワー半導体デバイスの入力キャパシタンスと直列の内部ゲート抵抗であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。 前記外部電気回路は、抵抗器回路若しくは短絡回路又は抵抗器又はキャパシタ又はインダクタ又はスイッチと直列の電圧源であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。 前記信号源は、電流源であることを特徴とする、請求項１～６のいずれか１項に記載の方法。 前記温度感応性電気デバイスは、パワー半導体デバイス上に埋め込まれた、又は前記パワー半導体デバイスの近傍に埋め込まれたＰＮ接合であることを特徴とする、請求項１、２、５、及び８のいずれか一項に記載の方法。 前記温度感応性電気デバイスは、パワー半導体デバイス上に埋め込まれた、又はパワー半導体の近傍に埋め込まれた温度依存抵抗であることを特徴とする、請求項１、２、５、及び８のいずれか一項に記載の方法。 前記少なくとも１つの他の電圧は、基準電圧と比較され、前記少なくとも１つの他の電圧が前記基準電圧の範囲外である場合に通知が生成されることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。 温度感応性電気デバイスと、外部電気回路と、補償モジュールと、測定モジュールとを備えるシステムにおいて、前記温度感応性電気デバイスの温度感応性電気パラメータを使用してパワー半導体の接合温度を決定するシステムであって、前記補償モジュールは、少なくとも第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、前記第１のスイッチの第１の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第１の端子に接続され、前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のスイッチの第１の端子と、信号源の第１の端子と、前記補償モジュールの第１の出力とに接続され、前記第２のスイッチの第２の端子は、前記信号源の第２の端子と、前記補償モジュールの第２の出力とに接続されることを特徴とし、前記システムは、
第１の期間中に、前記第１のスイッチを閉状態にし、前記第２のスイッチを開状態にして、第１のセットの電圧を測定する手段と、
少なくとも１つの別の期間中に、前記第１のスイッチの状態及び／又は前記第２のスイッチの状態又は少なくとも１つの別のスイッチの状態を変更して、少なくとも１つの別の電圧を測定する手段と、
測定された前記第１のセットの電圧および前記少なくとも１つの別の電圧を使用して、前記温度感応性電気パラメータの値を決定する手段と、
を備える、システム。 温度感応性電気デバイスと、外部電気回路と、補償モジュールと、測定モジュールとを備えるシステムにおいて、前記温度感応性電気デバイスの温度感応性電気パラメータを使用してパワー半導体の接合温度を決定する方法であって、前記補償モジュールは、少なくとも第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、前記第１のスイッチの第１の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第１の端子に接続され、前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のスイッチの第１の端子と、信号源の第１の端子と、前記補償モジュールの第１の出力とに接続され、前記第２のスイッチの第２の端子は、前記信号源の第２の端子と、前記補償モジュールの第２の出力とに接続されることを特徴とし、前記方法は、
前記第１のスイッチを閉状態にし、前記第２のスイッチを開状態にし、第１の期間中に第１のセットの電圧を測定するするステップと、
前記第１のスイッチの状態及び／又は前記第２のスイッチの状態又は少なくとも１つの別のスイッチの状態を変更し、少なくとも１つの別の期間中に少なくとも１つの別の電圧を測定するステップと、
測定された前記第１のセットの電圧および前記少なくとも１つの別の電圧を使用して、前記温度感応性電気パラメータの値を決定するステップと、
を含み、
前記第２のスイッチの状態は、前記少なくとも１つの別の電圧を測定するために、第２の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記補償モジュールの寄生抵抗器によって、及び前記測定モジュールの内部オフセットによって生成されるオフセット電圧である、又は、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの状態は、第３の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第３のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源及び前記外部電気回路を表す第２のセットの電圧であり、前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第３のスイッチの第２の端子は、第１のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第１のキャパシタの第２の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第２の端子及び前記外部電気回路の第２の端子に接続される、又は、
前記第１のスイッチの状態は、第４の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第４のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記第２のスイッチの機能を表す電圧のセットであり、前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第４のスイッチの第２の端子は、第２のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第２のキャパシタの第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第１の端子に接続され、又は、
前記少なくとも１つの別のスイッチは、第５の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中にその状態が閉状態に設定される第５のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源を表す電圧であり、前記第５のスイッチの第１の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第５のスイッチの第２の端子は、抵抗器の第１の端子に接続され、前記抵抗器の第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第１の端子に接続されることを特徴とする、方法。 前記温度感応性電気パラメータは、パワー半導体デバイスの入力キャパシタンスと直列の内部ゲート抵抗であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 前記外部電気回路は、抵抗器回路若しくは短絡回路又は抵抗器又はキャパシタ又はインダクタ又はスイッチと直列の電圧源であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。 前記信号源は、電流源であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。 前記温度感応性電気デバイスは、パワー半導体デバイス上に埋め込まれた、又は前記パワー半導体デバイスの近傍に埋め込まれたＰＮ接合であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 前記温度感応性電気デバイスは、パワー半導体デバイス上に埋め込まれた、又はパワー半導体の近傍に埋め込まれた温度依存抵抗であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 前記少なくとも１つの他の電圧は、基準電圧と比較され、前記少なくとも１つの他の電圧が前記基準電圧の範囲外である場合に通知が生成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 温度感応性電気デバイスと、外部電気回路と、補償モジュールと、測定モジュールとを備えるシステムにおいて、前記温度感応性電気デバイスの温度感応性電気パラメータを使用してパワー半導体の接合温度を決定するシステムであって、前記補償モジュールは、少なくとも第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、前記第１のスイッチの第１の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第１の端子に接続され、前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第２のスイッチの第１の端子と、信号源の第１の端子と、前記補償モジュールの第１の出力とに接続され、前記第２のスイッチの第２の端子は、前記信号源の第２の端子と、前記補償モジュールの第２の出力とに接続されることを特徴とし、前記システムは、
第１の期間中に、前記第１のスイッチを閉状態にし、前記第２のスイッチを開状態にして、第１のセットの電圧を測定する手段と、
少なくとも１つの別の期間中に、前記第１のスイッチの状態及び／又は前記第２のスイッチの状態又は少なくとも１つの別のスイッチの状態を変更して、少なくとも１つの別の電圧を測定する手段と、
測定された前記第１のセットの電圧および前記少なくとも１つの別の電圧を使用して、前記温度感応性電気パラメータの値を決定する手段と、
を備え、
前記第２のスイッチの状態は、前記少なくとも１つの別の電圧を測定するために、第２の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記補償モジュールの寄生抵抗器によって、及び前記測定モジュールの内部オフセットによって生成されるオフセット電圧である、又は、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの状態は、第３の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第３のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源及び前記外部電気回路を表す第２のセットの電圧であり、前記第３のスイッチの第１の端子は、前記第１のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第３のスイッチの第２の端子は、第１のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第１のキャパシタの第２の端子は、前記温度感応性電気デバイスの第２の端子及び前記外部電気回路の第２の端子に接続される、又は、
前記第１のスイッチの状態は、第４の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中に変更され、前記少なくとも１つの別のスイッチは、その状態が閉状態に設定される第４のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記第２のスイッチの機能を表す電圧のセットであり、前記第４のスイッチの第１の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第４のスイッチの第２の端子は、第２のキャパシタの第１の端子に接続され、前記第２のキャパシタの第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第の端子に接続され、又は、
前記少なくとも１つの別のスイッチは、第５の期間と称される前記少なくとも１つの別の期間中にその状態が閉状態に設定される第５のスイッチであり、前記少なくとも１つの別の電圧は、前記信号源を表す電圧であり、前記第５のスイッチの第１の端子は、前記第２のスイッチの前記第２の端子に接続され、前記第５のスイッチの第２の端子は、抵抗器の第１の端子に接続され、前記抵抗器の第２の端子は、前記第２のスイッチの前記第１の端子に接続される、システム。