(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】特表2017-506056(P2017-506056A)
(43)【公表日】2017年2月23日
(54)【発明の名称】過電圧・過電流保護回路及び移動端末
(51)【国際特許分類】
H02H 7/18 20060101AFI20170203BHJP
H02J 7/00 20060101ALI20170203BHJP
H02H 3/08 20060101ALI20170203BHJP
H02H 3/20 20060101ALI20170203BHJP
H03H 7/01 20060101ALN20170203BHJP
【FI】
H02H7/18
H02J7/00 S
H02H3/08 L
H02H3/20 A
H03H7/01 A
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
【全頁数】26
(21)【出願番号】特願2016-549516(P2016-549516)
(86)(22)【出願日】2014年5月26日
(85)【翻訳文提出日】2016年9月7日
(86)【国際出願番号】CN2014078366
(87)【国際公開番号】WO2015113353
(87)【国際公開日】20150806
(31)【優先権主張番号】201410043226.X
(32)【優先日】2014年1月28日
(33)【優先権主張国】CN
(81)【指定国】
AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JP,KE,KG,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US
(71)【出願人】
【識別番号】516227559
【氏名又は名称】グァンドン オッポ モバイル テレコミュニケーションズ コーポレーション リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000578
【氏名又は名称】名古屋国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】ジャン チャリャン
(72)【発明者】
【氏名】ウー クウェイ
(72)【発明者】
【氏名】チェン ウェンチアン
(72)【発明者】
【氏名】フアン ダーシュアイ
(72)【発明者】
【氏名】フー ユエンシアン
【テーマコード(参考)】
5G004
5G053
5G503
5J024
【Fターム(参考)】
5G004AA04
5G004AB02
5G004BA04
5G004DA02
5G004EA01
5G053AA01
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5G053BA01
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5G503AA01
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5J024DA01
(57)【要約】
本発明は電源分野に適用し、過電圧・過電流保護回路及び移動端末を提供する。前記過電圧・過電流保護回路は、第1段保護回路と、第2段保護回路とを含む。前記第1段保護回路は、電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含み、電源ポート及び検出ポートは、それぞれ、セルの正極及び負極に対応して接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続される。前記第2段保護回路は、高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含み、高電位セルポートは、それぞれ、前記セルの正極及び負極に対応して接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続される。もし過電流或いは過電圧である場合には、第1段保護回路を通じて、MOSトランジスターを制御し、充放電回路を切断できる同時に、第2段保護回路が提供するヒューズ線を通じて、更に充放電回路に対する保護を行うことが出来る。尚、たとえMOSトランジスターが破損されても、依然として第2段保護回路が提供するヒューズ線を通じて、セル及び充放電回路に対する保護を行うことが出来る。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含む第1段保護回路を含み、電源ポートは、セルの正極に接続され、検出ポートは、セルの負極に接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続され、前記第1段保護回路は、セルに充電する時、過充電であるか否かを検出し、過充電である場合、前記充放電インタフェースを通じた前記セルに対する充電をオフするのに用いられ、前記第1段保護回路は、更には、前記セルが放電する時、過放電であるか否かを検出し、過放電である場合、前記セルによる前記充放電インタフェースを通じた放電をオフするのに用いられる過電圧・過電流保護回路であって、
高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含む第2段保護回路を更に含み、高電位セルポートは、前記セルの正極に外部接続され、低電位セルポートは、前記セルの負極に外部接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続され、前記第2段保護回路は、前記充放電インタフェースを通じて、セルに充電する時、ヒューズ線を通じて、過電圧保護及び過電流保護を行うのに用いられることを特徴とする過電圧・過電流保護回路。
【請求項2】
前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路を更に含み、高電位ポートは、前記第1段保護回路の低電位インタフェースポートに接続され、低電位ポートは、前記第2段保護回路の高電位インタフェースポートに接続され、前記フィルター回路は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに充電する時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対してローパスフィルタリングを行うのに用いられることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項3】
前記第2段保護回路は、第1抵抗器と、第1コンデンサと、第2抵抗器と、第2コンデンサと、第3抵抗器と、第3コンデンサと、電圧検出チップと、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップと、スイッチ回路とを含み、
前記第1抵抗器の第1端、前記第3抵抗器の第2端、及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第2ヒューズ線ピンは、それぞれ、前記第2段保護回路の高電位セルポート、低電位セルポート、及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップの正電圧検出ピン、負電圧ピン、制御出力ピン、電源ピン、及び遅延ピンは、それぞれ、前記第1抵抗器の第2端、前記第1コンデンサの第1端、前記第3抵抗器の第2端、前記スイッチ回路の被制御ポート、前記第3コンデンサの第1端、及び前記第2コンデンサの第1端に接続され、前記第1コンデンサの第2端、前記第3コンデンサの第2端、及び前記第2コンデンサの第2端は、全て前記第3抵抗器の第2端に接続され、前記第2抵抗器の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第1ヒューズ線ピン及び前記第3コンデンサの第1端に接続され、前記第3抵抗器の第1端は、前記スイッチ回路の制御ポートに接続され、前記スイッチ回路の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの電圧制限ピン及び前記第3抵抗器の第2端に接続されることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項4】
前記スイッチ回路は、NMOSトランジスターを含み、
前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ、前記スイッチ回路の高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートであることを特徴とする請求項3に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項5】
前記第1段保護回路は、
第4抵抗器と、第5抵抗器と、第6抵抗器と、第4コンデンサと、第5コンデンサと、第6コンデンサと、過充電・過放電検出チップと、第3スイッチチップ及び第4スイッチチップと、を含み、
前記第4抵抗器の第1端、前記第5抵抗器の第1端、及び前記第6抵抗器の第2端は、それぞれ、前記第2段保護回路の電源ポート、検出ポート、及び低電位インタフェースポートであり、前記過充電・過放電検出チップの電流検出ピン、電源ピン、グラウンドピン、低電位ピン、過充電ピン、及び過放電ピンは、それぞれ、前記第4抵抗器の第2端、前記第4コンデンサの第1端、前記第5抵抗器の第1端、前記第6抵抗器の第1端、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、及び前記第3スイッチチップの第2ゲート電極ピンに接続され、前記第4コンデンサの第2端は、前記第5抵抗器の第1端に接続され、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピン及び第2ソース電極ピンは、それぞれ、グラウンド及び前記第5抵抗器の第2端に接続され、前記第4スイッチチップの第3ゲート電極ピン、第4ゲート電極ピン、第3ソース電極ピン、及び第4ソース電極ピンは、それぞれ、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、第2ゲート電極ピン、第1ソース電極ピン、及び第2ソース電極ピンに接続され、直列接続された後の前記第5コンデンサ及び前記第6コンデンサは、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピンと第2ソース電極ピンとの間に接続され、前記第6抵抗器の第2端は接地されることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項6】
前記フィルター回路は、第7コンデンサと、第8コンデンサとを含み、
前記第7コンデンサの第1端及び前記第8コンデンサの第2端は、それぞれ、前記フィルター回路の高電位ポート及び低電位ポートであり、前記第7コンデンサの第2端は、前記第8コンデンサの第1端に接続されることを特徴とする請求項2に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項7】
前記充放電インタフェースは、汎用シリアルバスのUSBインタフェースであることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項8】
前記USBインタフェースの電源ポート及びグラウンドポートは、デフォルト電流閾値及びそれ以下の電流に耐えられることを特徴とする請求項7に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項9】
前記USBインタフェースの電源ポートは、少なくとも二つの電源ピンであり、
前記USBインタフェースのグラウンドポートは、少なくとも二つのグラウンドピンであることを特徴とする請求項8に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項10】
セルと充放電インタフェースとを含む移動端末であって、
請求項1〜9のいずれかの一項に記載の過電圧・過電流保護回路を更に含むことを特徴とする移動端末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電源に関し、特に過電圧・過電流保護回路及び移動端末
【背景技術】
【0002】
時代の進歩に伴い、インターネット及び移動通信ネットワークは、多量の機能応用を提供した。ユーザーは、移動端末を用いて伝統的な応用を行えるばかりでなく、例えば、スマートホンを用いて電話を受けたりかけたりする同時に、ユーザーは、移動端末を用いてウェブページの閲覧、イメージ伝送、ゲーム等も行うことが出来る。
【0003】
移動端末の使用頻度の増加に伴い、移動端末は常に充電すべきであるが、充電異常による安全事故を避けるために、目下、既に大量の第1段保護回路を提供して過充電及び過放電の防止を実現している。但し、過充電及び過放電する時、従来の第1段保護回路(過充電及び過放電保護回路を含む)は、MOSトランジスターを通じて充電回路或いは放電回路をオフしている。一度当該MOSトランジスターが損傷する或いは破損すると、第1段保護回路の過充電及び過放電防止の保護作用が失われることを招き、更には、第1段保護回路の電子部品の破損を招き、及び移動端末内部の他の回路の破損をもたらし、ひいては火災をもたらすこともある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、ヒューズ線を適用して第2段保護を行う過電圧・過電流保護回路及び移動端末を提供することにより、従来の技術である第1段保護回路がMOSトランジスターを採用してオンオフの制御を実施することにおいて、一度MOSトランジスターが破損すると、過充電・過放電機能が失われることを招く問題を解決する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一方では、本発明は、過電圧・過電流保護回路を提供する。前記過電圧・過電流保護回路は、
電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含む第1段保護回路を含む。その中で、電源ポートは、セルの正極に接続され、検出ポートは、セルの負極に接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続される。前記第1段保護回路は、セルに対して充電を行う時、過充電であるか否かを検出し、過充電である場合、前記充放電インタフェースを通じた前記セルに対する充電をオフするのに用いられる。前記第1段保護回路は、更には、前記セルが放電する時、過放電であるか否かを検出し、過放電である場合、前記セルが前記充放電インタフェースを通じて放電することを切断するのに用いられる。
【0006】
前記過電圧・過電流保護回路は、高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含む第2段保護回路を更に含む。その中で、高電位セルポートは、前記セルの正極に外部接続され、低電位セルポートは、前記セルの負極に外部接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続される。前記第2段保護回路は、前記充放電インタフェースを通じてセルに対して充電を行う時、ヒューズ線を通じて、過電圧保護及び過電流保護を行うのに用いられる。
【0007】
尚、前記過電過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路を更に含む。その中で、高電位ポートは、前記第1段保護回路の低電位インタフェースポートに接続され、低電位ポートは、前記第2段保護回路の高電位インタフェースポートに接続される。前記フィルター回路は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに対して充電を行う時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対するローパスフィルタリングを行うのに用いられる。
【0008】
尚、前記第2段保護回路は、
第1抵抗器と、第1コンデンサと、第2抵抗器と、第2コンデンサと、第3抵抗器と、第3コンデンサと、電圧検出チップと、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップと、スイッチ回路とを含む。
【0009】
前記第1抵抗器の第1端、前記第3抵抗器の第2端及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第2ヒューズ線ピンは、それぞれ前記第2段保護回路の高電位セルポート、低電位セルポート及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップの正電圧検出ピン、負極電圧ピン、制御出力ピン、電源ピン、及び遅延ピンは、それぞれ、前記第1抵抗器の第2端、前記第1コンデンサの第1端、前記第3抵抗器の第2端、前記スイッチ回路の被制御ポート、前記第3コンデンサの第1端及び前記第2コンデンサの第1端に接続され、前記第1コンデンサの第2端、前記第3コンデンサの第2端、及び前記第2コンデンサの第2端は、全て前記第3抵抗器の第2端に接続され、前記第2抵抗器の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第1ヒューズ線ピン及び前記第3コンデンサの第1端に接続され、前記第3抵抗器の第1端は、前記スイッチ回路の制御ポートに接続され、前記スイッチ回路の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの電圧制限ピン及び前記第3抵抗器の第2端に接続される。
【0010】
尚、前記スイッチ回路は、NMOSトランジスターを含む。
前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ前記スイッチ回路高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートである。
【0011】
尚、前記第1段保護回路は、
第4抵抗器と、第5抵抗器と、第6抵抗器と、第4コンデンサと、第5コンデンサと、第6コンデンサと、過充電・過放電検出チップと、第3スイッチチップと、第4スイッチチップとを含む。
【0012】
前記第4抵抗器の第1端、前記第5抵抗器の第1端、及び前記第6抵抗器の第2端は、それぞれ、前記第2段保護回路の電源ポート、検出ポート、及び低電位インタフェースポートである。前記過充電・過放電検出チップの電流検出ピン、電源ピン、グラウンドピン、低電位ピン、過充電ピン、及び過放電ピンは、それぞれ、前記第4抵抗器の第2端、前記第4コンデンサの第1端、前記第5抵抗器の第1端、前記第6抵抗器の第1端、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、及び前記第3スイッチチップの第2ゲート電極ピンに接続され、前記第4コンデンサの第2端は、前記第5抵抗器の第1端に接続され、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピン及び第2ソース電極ピンは、それぞれ、グラウンド及び前記第5抵抗器の第2端に接続され、前記第4スイッチチップの第3ゲート電極ピン、第4ゲート電極ピン、第3ソース電極ピン、及び第4ソース電極ピンは、それぞれ、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、第2ゲート電極ピン、第1ソース電極ピン、及び第2ソース電極ピンに接続され、直列接続された前記第5コンデンサ及び前記第6コンデンサは、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピンと第2ソース電極ピンとの間に接続され、前記第6抵抗器の第2端は、接地される。
【0013】
尚、前記フィルター回路は、第7コンデンサと、第8コンデンサとを含む。
前記第7コンデンサの第1端及び前記第8コンデンサの第2端は、それぞれ前記フィルター回路の高電位ポート及び低電位ポートであり、前記第7コンデンサの第2端は、前記第8コンデンサの第1端に接続される。
【0014】
尚、前記充放電インタフェースは、汎用シリアルバスのUSBインタフェースである。
尚、前記USBインタフェースの電源ポート及びグラウンドポートは、デフォルト電流閾値及びそれ以下の電流に耐えられる。
【0015】
尚、前記USBインタフェースの電源ポートは、少なくとも二つの電源ピンであり、前記USBインタフェースのグラウンドポートは、少なくとも二つのグラウンドピンである。
【0016】
一方では、本発明は、セルと、充放電インタフェースとを含み、の過電圧・過電流保護回路を更に含む移動端末を提供する。
[発明の有益な効果]
[有益な効果]
本発明の有益な効果としては、もし過電流或いは過電圧である場合には、第1段保護回路を通じて、MOSトランジスターを制御し、充電回路或いは放電回路を切断させる同時に、更には、第2段保護回路が提供したヒューズ線を通じて、過電圧或いは過電流である場合には、セル及び充放電回路に対する保護を行うことである。尚、たとえ第1段保護回路が提供したMOSトランジスターが破損し、過電流或いは過電圧保護機能を失ったとしても、依然として第2段保護回路が提供したヒューズ線を通じて、セル及び充放電回路に対する保護を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【0017】
[図面の説明]
本発明の実施例における技術方案をより明らかに説明するために、以下、実施例或いは従来の技術の説明において図面の使用を必要にして簡単に紹介することにする。理解できるのは、下記の説明における図面は、ただ本発明の一部の実施例であり、当業者にとって、創造的な労働を行わない前提で、これらの図面に従って、他の図面を更に獲得することが出来る。
【図1】本発明の実施例が提供する過電圧・過電流保護回路の回路構造図である。
【図2】本発明の実施例が提供する過電圧・過電流保護回路の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
[本発明の実施形態]
本発明の目的、技術方案、及び利点をより明らかにするために、以下、図面及び実施例を結合しながら、本発明を更に詳細に説明することにする。理解すべきなのは、ここで説明される具体的な実施例は、本発明を解釈するだけのために用いられ、本発明を制限するものではない。
【0019】
本発明の実施例において、移動端末は、セルと、充放電インタフェースとを含み、過電圧・過電流保護回路を更に含む。セルに対して充電を行うべきである時、充放電インタフェースから電気信号を接続し、且つ、過電圧・過電流保護回路を経て充電を行う。また、セルが第2段保護回路1の高電位インタフェースポート及び第1段保護回路2の低電位インタフェースポートを通じて、移動端末に対して給電を行う時、第1段保護回路2を通じて、過放電保護を行う。従って、セルに対して充電を行っても、セルに対して放電を行っても、過電圧・過電流保護を実現出来る。
【0020】
図1は、本発明の実施例が提供する過電圧・過電流保護回路の構成構造を示している。説明の便宜上、本発明の実施例に関連する部分だけ示したが、その詳細は、下記の通りである。
【0021】
過電圧・過電流保護回路であって、
電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含む第1段保護回路2を含む。その中で、電源ポートは、セルの正極に接続され、検出ポートは、セルの負極に接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続される。前記第1段保護回路2は、セルに対して充電を行う時、過充電であるか否かを検出し、過充電である場合、前記充放電インタフェースを通じた前記セルに対する充電をオフするのに用いられる。前記第1段保護回路2は、更には、前記セルが放電する時、過放電であるか否かを検出し、過放電である場合、前記セルによる前記充放電インタフェースを通じた放電をオフするのに用いられる。
【0022】
過電圧・過電流保護回路は、
高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含む第2段保護回路1を更に含む。その中で、高電位セルポートは、前記セルの正極に外部接続され、低電位セルポートは、前記セルの負極に外部接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続される。前記第2段保護回路1は、前記充放電インタフェースを通じて、セルに対して充電を行う時、ヒューズ線を通じて、過電圧保護及び過電流保護を行うのに用いられる。
【0023】
その中で、前記セルの正極及び負極は、それぞれノードB+及びノードB−を適用して表す。
その中で、前記第2段保護回路1の高電位インタフェースポートは、ノードC+を適用して表す。同時に、第1段保護回路2の低電位インタフェースポートは、ノードC−を適用して表す。その中で、ノードC+及びノードC−を通じて、移動端末に給電出来る。
【0024】
具体的には、セルに対して充電を行う際、第1段保護回路2は、電源ポート及びグラウンドポートを通じて、リアルタイムにセルに充電する充電電圧を検出する。一度充電電圧が大きくなりすぎると、第1段保護回路2は、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断する。また、一度セルが満充電されると、セルに対する過充電を避けるために、第1段保護回路2は、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断することにより、セルに対する充電を中止する。また、第1段保護回路2は、更には、リアルタイムに充電電流を検出し、もし充電電流が大きすぎる場合、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断する。第1段保護回路2は、MOSトランジスターを適用して、充電回路のオンオフを制御するため、MOSトランジスターが破損した(例えば、破壊された)時に充電回路を切断出来ないことを避けるために、本発明の実施例は、第2段保護回路1を増設する。第1段保護回路2がリアルタイムにセルの正負極両ポートの電圧を検出する同時に、第2段保護回路1もリアルタイムにセルの正負極両ポートの電圧(即ち、セルに充電する充電電圧)を検出し、及びリアルタイムにセルに充電する充電電流を検出する。一度セル充電電圧が大きくなりすぎると、セルは満充電され、或いは、充電電流が大きすぎることで、第2段保護回路1は、ヒューズ線をオフする方式を通じて、充電回路を切断する。
【0025】
一般に、セルが第2段保護回路1の高電位インタフェースポート及び第1段保護回路2の低電位インタフェースポートを通じて、移動端末に給電(即ち、セルが放電する)する時、第2段保護回路1及び第1段保護回路2は、全てセルの正負極両ポートの電圧が大きすぎることを検出しないが、第2段保護回路1及び第1段保護回路2は、依然として全て過電圧保護を提供する。セルが放電する時、第2段保護回路1が過電圧保護を行う時の作業原理は、第1段保護回路2が過電圧保護を行う時の作業原理と同じであり、ここでは、詳細に記述しないことにする。また、セルが過放電することを避けるために、第2段保護回路1は、ヒューズ線を通じて、リアルタイムにセルの放電電流を検出することにより、過電流保護を行うと同時に、第1段保護回路2も抵抗器を通じて、リアルタイムにセルの放電電流を検出することにより、セルが過放電する時、第2段保護回路1がヒューズ線を通じてセルの放電回路を切断し、及び/或いは、第1段保護回路2がMOSトランジスターを制御し、放電回路を切断させる。
【0026】
説明すべきなのは、実際の使用需要によって、第2段保護回路1におけるヒューズ線を選定することにより、ヒューズ線が耐えられる最大電流を確定出来る。また、第1段保護回路2が、充電或いは放電の電流がいくらである時、及び、セルの正負極の電圧がいくらである時に、充電回路或いは放電回路を切断するかを選定する。更には、一度充電回路が過電流であると、或いは、放電回路が過電流であると、電流が段々増大するにつれて、まず第1段保護回路2により充放電回路を切断するか、それともまず第2段保護回路1により充放電回路を切断するかを確定する。即ち、まず第1段保護回路2により過電圧・過電流保護を作動させるか、それともまず第2段保護回路1により過電圧・過電流保護を作動させるかを確定する。
【0027】
本発明のもう一つの実施例において、前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路3を更に含む。その中で、高電位ポートは、前記第1段保護回路2の低電位インタフェースポートに接続され、低電位ポートは、前記第2段保護回路1の高電位インタフェースポートに接続される。前記フィルター回路3は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに充電する時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対してローパスフィルタリングを行うのに用いられる。
【0028】
また、充電の時、充放電インタフェースを通じてアクセスした高周波騒音信号(高周波騒音信号は、過電流保護をトリガーする電流信号、或いは過電圧保護をトリガーする電圧信号を含む)が第1段保護回路2及び/或いは第2段保護回路1を誤トリガーし、充電回路を切断することを避けるために、フィルター回路3を引き込んで、充放電インタフェースがアクセスした電源信号に対してローパスフィルタリングを行い、次にローパスフィルタリングした後の電源信号によってセルに充電する。
【0029】
図2は、本発明の実施例が提供する過電圧・過電流保護回路の具体的な回路を示している。説明の便宜上、本発明の実施例に関連される部分だけを示したが、その詳細は、下記の通りである。
【0030】
本発明の一つの実施例において、前記第2段保護回路1は、
第1抵抗器R1と、第1コンデンサC1と、第2抵抗器R2と、第2コンデンサC2と、第3抵抗器R3と、第3コンデンサC3と、電圧検出チップU1と、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2と、スイッチ回路11とを含む。
【0031】
前記第1抵抗器R1の第1端、前記第3抵抗器R3の第2端、及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第2ヒューズ線ピンF2は、それぞれ、前記第2段保護回路1の高電位セルポート、低電位セルポート、及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップU1の正電圧検出ピンSENSE、負極電圧ピンVSS、制御出力ピンCO、電源ピンVCC、及び遅延ピンLCTは、それぞれ、前記第1抵抗器R1の第2端、前記第1コンデンサC1の第1端、前記第3抵抗器R3の第2端、前記スイッチ回路11の被制御ポート、前記第3コンデンサC3の第1端、及び前記第2コンデンサC2の第1端に接続され、前記第1コンデンサC1の第2端、前記第3コンデンサC3の第2端、及び前記第2コンデンサC2の第2端は、全て前記第3抵抗器R3の第2端に接続され、前記第2抵抗器R2の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1及び前記第3コンデンサC3の第1端に接続され、前記第3抵抗器R3の第1端は、前記スイッチ回路11の制御ポートに接続され、前記スイッチ回路11の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の電圧制限ピンHEATER及び前記第3抵抗器R3の第2端に接続される。
【0032】
説明すべきなのは、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の内部には、二本のヒューズ線及び一つの抵抗器が備えられることである。その中で、二本のヒューズ線は,直列接続された後、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1と第2ヒューズ線ピンF2との間に接続される。その中で、内部の抵抗器は、二本のヒューズ線の直列接続点と電圧制限ピンHEATERとの間に接続され、即ち、第1ヒューズ線ピンF1と電圧制限ピンHEATERとの間には、一本のヒューズ線と当該一つの抵抗器が直列接続されており、第2ヒューズ線ピンF2と電圧制限ピンHEATERとの間には、もう一本のヒューズ線と当該一つの抵抗器が直列接続されている。
【0033】
このように、セルに対して充電を行う過程において、電圧検出チップU1が正電圧検出ピンSENSE及び負電圧ピンVSSを通じて、リアルタイムにセルに充電する充電電圧を検出し、一度当該充電電圧が大きくなりすぎると、制御出力ピンCOから制御信号を出力し、当該制御信号を通じて、スイッチ回路11の開通を制御し、もし充電電圧が大きすぎる場合には、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第2ヒューズ線ピンF2と電圧制限ピンHEATERとの間の一本のヒューズ線において過電圧電流を形成することにより、当該ヒューズ線を溶断する。従って、二本のヒューズ線における一本のヒューズ線が切れた後、充電回路が切断され、セルに対する充電を中止する。
【0034】
また、充放電インタフェースを通じて、セルに対して充電を行う時、もし充電電流が大きすぎる場合には、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1と第2ヒューズ線ピンF2との間の二本のヒューズ線は、全て溶断され、直接充電回路を切断するようになる。
【0035】
このように、第1段保護回路2が失効され、即ち、過電圧・過電流保護機能を失った時、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2内部のヒューズ線を通じて、過電圧・過電流保護を実現出来る。
【0036】
また、セルが過放電する時、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1と第2ヒューズ線ピンF2との間の二本のヒューズ線は、全て溶断され、直接放電回路を切断し、充放電インタフェースを通じて、移動端末に給電することを中止する。
【0037】
一般に、セルが放電する時、過電圧問題は存在しないが、もし存在すれば、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1と電圧制限ピンHEATERとの間の一本のヒューズ線を通じて、過電圧保護を実現できる。その作業原理は、充電する時、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第2ヒューズ線ピンF2及び電圧制限ピンHEATERを通じて、過電圧保護を実現する原理と類似し、ここでは、詳細に記述しないことにする。前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2のモデルは、SFJ−0412であるのが好ましい。
【0038】
また、スイッチ回路11の制御需要によって、電圧検出チップU1の制御出力ピンCOが出力する制御信号は、高電位信号或いは低電位信号であるのが好ましい。尚、前記スイッチ回路11は、NMOSトランジスター或いはPMOSトランジスターで構成される回路を採用しても良い。例えば、当該制御信号が低電位信号である場合、スイッチ回路11は、PMOSトランジスターを選んで実現する。
【0039】
本発明の一つの具体的な実施形態として、前記電圧検出チップU1は、S8244_Cを選ぶことによって、充電電圧が大きすぎる場合、電圧検出チップU1の制御出力ピンCOが、ハイレベル信号を出力するようになる。
【0040】
前記スイッチ回路11は、NMOSトランジスターを含み、前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ前記スイッチ回路11の高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートであるのが好ましい。
【0041】
従って、過充電或いは過放電である時、もし電圧検出チップU1の制御出力ピンCOが出力する制御信号が高電位信号である場合、前記スイッチ回路11は、NMOSトランジスターを選定して実現できる。尚、実際の作業需要に応じて、NMOSトランジスターが耐えられる最大電流を選ぶことにより、NMOSトランジスターを選定する。
【0042】
本発明の一つの実施例において、前記第1段保護回路2は、
第4抵抗器R4と、第5抵抗器R5と、第6抵抗器R6と、第4コンデンサC4と、第5コンデンサC5と、第6コンデンサC6と、過充電・過放電検出チップU3と、第3スイッチチップU4と、第4スイッチチップU5とを含む。
【0043】
前記第4抵抗器R4の第1端、前記第5抵抗器R5の第1端、及び前記第6抵抗器R6の第2端は、それぞれ、前記第2段保護回路1の電源ポート、検出ポート、及び低電位インタフェースポートである。前記過充電・過放電検出チップU3の電流検出ピンCS、電源ピンVDD、グラウンドピンVSS、低電位ピンV、過充電ピンCOUT、及び過放電ピンDOUTは、それぞれ、前記第4抵抗器R4の第2端、前記第4コンデンサC4の第1端、前記第5抵抗器R5の第1端、前記第6抵抗器R6の第1端、前記第3スイッチチップU4の第1ゲート電極ピンG1、及び前記第3スイッチチップU4の第2ゲート電極ピンG2に接続され、前記第4コンデンサC4の第2端は、前記第5抵抗器R5の第1端に接続され、前記第3スイッチチップU4の第1ソース電極ピンS1及び第2ソース電極ピンS2は、それぞれ、グラウンド及び前記第5抵抗器R5の第2端に接続され、前記第4スイッチチップU5の第3ゲート電極ピンG3、第4ゲート電極ピンG4、第3ソース電極ピンS3、及び第4ソース電極ピンS4は、それぞれ、前記第3スイッチチップU4の第1ゲート電極ピンG1、第2ゲート電極ピンG2、第1ソース電極ピンS1、及び第2ソース電極ピンS2に接続され、直列接続された後の前記第5コンデンサC5及び前記第6コンデンサC6は、前記第3スイッチチップU4の第1ソース電極ピンS1と第2ソース電極ピンS2との間に接続され、前記第6抵抗器R6の第2端は、接地される。
【0044】
このように、もしセルに充電する時の充電電流が大きすぎる場合、過充電・過放電検出チップU3は、電流検出ピンCS及びグラウンドピンVSSを通じて、大きい負電圧を検出し、従って、過充電・過放電検出チップU3は、過充電ピンCOUTから制御信号を出力し、過充電ピンCOUTから出力された制御信号によって、第3スイッチチップU4及び第4スイッチチップU5の切断充電回路を制御する。また、セルに充電する時、過充電・過放電検出チップU3が電源ピンVDD及びグラウンドピンVSSを通じて、セルに対する充電電圧が大きすぎることを検出した時、過充電ピンCOUTから出力された制御信号によっても、第3スイッチチップU4と第4スイッチチップU5の切断充電回路を制御する。
【0045】
もしセルが放電する時の放電電流が大きすぎる場合、過充電・過放電検出チップU3は、電流検出ピンCS及びグラウンドピンVSSを通じて、大きい正電圧を検出し、従って、過充電・過放電検出チップU3は、過放電ピンDOUTから出力された制御信号によって、第3スイッチチップU4と第4スイッチチップU5の切断放電回路を制御する。また、一般に、セルが放電する時、過電圧問題は存在しないが、もし過電圧である場合には、過充電・過放電検出チップU3が電源ピンVDD及びグラウンドピンVSSを通じて、セルに対する充電電圧が大きすぎると検出した時、更に過充電ピンCOUTから出力された制御信号によって、第3スイッチチップU4と第4スイッチチップU5の切断充電回路を制御する。
【0046】
本発明の一つの実施例において、前記フィルター回路3は、第7コンデンサC7と、第8コンデンサC7とを含む。
前記第7コンデンサC7の第1端及び前記第8コンデンサC8の第2端は、それぞれ、前記フィルター回路3の高電位ポート及び低電位ポートであり、前記第7コンデンサC7の第2端は、前記第8コンデンサC8の第1端に接続される。
【0047】
このように、充放電インタフェースを通じて、セルに充電する時、事前に第7コンデンサC7と第8コンデンサC7で構成されるフィルター回路3を経て、高周波騒音信号を濾過することができ、ひいては、セルに充電する時、高周波騒音信号が第1段保護回路2を誤トリガーし、MOSトランジスターを通じて充電回路を切断すること、及び/或いは、高周波騒音信号が第2段保護回路1を誤トリガーし、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2におけるヒューズ線を通じて過電圧或いは過電流保護を行うことを避ける。
【0048】
本発明の一つの実施例において、前記充放電インタフェースは、汎用シリアルバス(UniversalSerialBus、USB)のインタフェースである。具体的には、USBインタフェースは、従来のもの(例えば:常用の5ボルトのUSBインタフェース)でも良い。また、USBインタフェースは、従来のものを適用しなくても良く、充電電流の需要によって、二種の方式を適用して耐えられる充電電流を増大しても良い。第1の方式としては、大電流に耐えられるピンを選定することにより、充電電流に耐えられるようにする。第2の方式としては、従来のUSBインタフェースにおいて、等間隔で(当該間隔は、従来のUSBインタフェースにおけるピン間の間隔である)同じ数量の電源ピン及びグラウンドピンを増加させることであり、ひいては、ピンを増加したUSBインタフェースは、異なる大きい充電電流を使用出来る。勿論、第1及び第2の方式である、耐えられる最大充電電流を増大させる方式の両方を同時に適用しても良い。
【0049】
本発明の一つの好ましい実施例において、前記USBインタフェースの電源ポート及びグラウンドポートは、デフォルト電流閾値及びそれ以下の電流に耐えられる。
前記デフォルト電流閾値は、4アンペアであるのが好ましい。
【0050】
前記USBインタフェースの電源ポートは、少なくとも二つの電源ピンであり、前記USBインタフェースのグラウンドポートは、少なくとも二つのグラウンドピンであるのが好ましい。その中で、電源ピンを通じて、電源信号を伝送し、グラウンドピンを通じて、グラウンド信号を伝送する。
【0051】
具体的には、従来のUSBインタフェースと互換出来るように、耐えられる充電電流を増大すべきである時、従来のUSBインタフェースにおいて、等間隔で一つ或いは複数の電源ピン及び一つ或いは複数のグラウンドピンを増加させる。その中で、増設された電源ピンの数とグラウンドピンの数は同じである。また、ピンが増設された後のUSBインタフェースに含まれる各ピン間の間隔は、従来のUSBインタフェースにおけるピン間の間隔である。セルにだけ通常の充電すべきである場合、従来のUSBインタフェースを適用し、従来のUSBインタフェースに対する互換性を実現出来る。
【0052】
本発明の実施例は、移動端末を更に提供する。前記移動端末は、セルと、充放電インタフェースとを含み、の過電圧・過電流保護回路を更に含み、前記過電圧・過電流保護回路は、第1段保護回路2と、第2段保護回路1とを含む。
【0053】
前記第1段保護回路2の電源ポート及び検出ポートは、それぞれ、セルの正極及び負極に接続され、前記第1段保護回路2の低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに外部接続される。
【0054】
前記第2段保護回路1の高電位セルポート及び低電位セルポートは、前記セルの正極及び負極に接続され、前記第2段保護回路1の高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続される。
【0055】
の内容は、具体的な好ましい実施形態を結合しながら本発明について行った更なる詳細な説明であり、本発明の具体的な実施がこれらの説明に限定されると理解されてはいけない。当業者にとって、本発明の構成を逸脱しない前提でいくつかの均等の切り替え或いは明らかな変型を行い、且つ、性能や用途が同じであれば、全部本発明が提出した特許請求範囲において確定された特許請求範囲に属すると理解すべきである。
【手続補正書】
【提出日】2017年1月10日
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含む第1段保護回路を含み、電源ポートは、セルの正極に接続され、検出ポートは、セルの負極に接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続され、前記第1段保護回路は、セルに充電する時、過充電であるか否かを検出し、過充電である場合、前記充放電インタフェースを通じた前記セルに対する充電をオフするのに用いられ、前記第1段保護回路は、更には、前記セルが放電する時、過放電であるか否かを検出し、過放電である場合、前記セルによる前記充放電インタフェースを通じた放電をオフするのに用いられ、
高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含む第2段保護回路を更に含み、高電位セルポートは、前記セルの正極に外部接続され、低電位セルポートは、前記セルの負極に外部接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続され、前記第2段保護回路は、前記充放電インタフェースを通じて、セルに充電する時、ヒューズ線を通じて、過電圧保護及び過電流保護を行うのに用いられることを特徴とする過電圧・過電流保護回路。
【請求項2】
前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路を更に含み、低電位ポートは、前記第1段保護回路の低電位インタフェースポートに接続され、高電位ポートは、前記第2段保護回路の高電位インタフェースポートに接続され、前記フィルター回路は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに充電する時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対してローパスフィルタリングを行うのに用いられることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項3】
前記第2段保護回路は、第1抵抗器と、第1コンデンサと、第2抵抗器と、第2コンデンサと、第3抵抗器と、第3コンデンサと、電圧検出チップと、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップと、スイッチ回路とを含み、
前記第1抵抗器の第1端、前記第3抵抗器の第2端、及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第2ヒューズ線ピンは、それぞれ、前記第2段保護回路の高電位セルポート、低電位セルポート、及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップの正電圧検出ピン、負電圧ピン、制御出力ピン、電源ピン、並びに遅延ピンは、それぞれ、前記第1抵抗器の第2端、前記第1コンデンサの第2端、前記第3抵抗器の第1端及び前記スイッチ回路の被制御ポート、前記第3コンデンサの第1端、並びに前記第2コンデンサの第1端に接続され、前記第1コンデンサの第2端、前記第3コンデンサの第2端、及び前記第2コンデンサの第2端は、全て前記第3抵抗器の第2端に接続され、前記第2抵抗器の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第1ヒューズ線ピン及び前記第3コンデンサの第1端に接続され、前記第3抵抗器の第1端は、前記スイッチ回路の被制御ポートに接続され、前記スイッチ回路の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの電圧制限ピン及び前記第3抵抗器の第2端に接続されることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項4】
前記スイッチ回路は、NMOSトランジスターを含み、
前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ、前記スイッチ回路の高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートであることを特徴とする請求項3に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項5】
前記第1段保護回路は、
第4抵抗器と、第5抵抗器と、第6抵抗器と、第4コンデンサと、第5コンデンサと、第6コンデンサと、過充電・過放電検出チップと、第3スイッチチップ及び第4スイッチチップと、を含み、
前記第4抵抗器の第1端、前記第5抵抗器の第1端、及び前記第6抵抗器の第2端は、それぞれ、前記第1段保護回路の電源ポート、検出ポート、及び低電位インタフェースポートであり、前記過充電・過放電検出チップの電流検出ピン、電源ピン、グラウンドピン、低電位ピン、過充電ピン、及び過放電ピンは、それぞれ、前記第5抵抗器の第2端、前記第4コンデンサの第1端、前記第5抵抗器の第1端、前記第6抵抗器の第1端、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、及び前記第3スイッチチップの第2ゲート電極ピンに接続され、前記第4コンデンサの第2端は、前記第5抵抗器の第1端に接続され、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピン及び第2ソース電極ピンは、それぞれ、グラウンド及び前記第5抵抗器の第2端に接続され、前記第4スイッチチップの第3ゲート電極ピン、第4ゲート電極ピン、第3ソース電極ピン、及び第4ソース電極ピンは、それぞれ、前記第3スイッチチップの第1ゲート電極ピン、第2ゲート電極ピン、第1ソース電極ピン、及び第2ソース電極ピンに接続され、直列接続された後の前記第5コンデンサ及び前記第6コンデンサは、前記第3スイッチチップの第1ソース電極ピンと第2ソース電極ピンとの間に接続され、前記第6抵抗器の第2端は接地されることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項6】
前記フィルター回路は、第7コンデンサと、第8コンデンサとを含み、
前記第7コンデンサの第1端及び前記第8コンデンサの第2端は、それぞれ、前記フィルター回路の高電位ポート及び低電位ポートであり、前記第7コンデンサの第2端は、前記第8コンデンサの第1端に接続されることを特徴とする請求項2に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項7】
前記充放電インタフェースは、汎用シリアルバスのUSBインタフェースであることを特徴とする請求項1に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項8】
前記USBインタフェースの電源ポート及びグラウンドポートは、デフォルト電流閾値及びそれ以下の電流に耐えられることを特徴とする請求項7に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項9】
前記USBインタフェースの電源ポートは、少なくとも二つの電源ピンであり、
前記USBインタフェースのグラウンドポートは、少なくとも二つのグラウンドピンであることを特徴とする請求項8に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項10】
セルと充放電インタフェースとを含む移動端末であって、
過電圧・過電流保護回路を更に含み、
前記過電圧・過電流保護回路は、
電源ポートと、検出ポートと、低電位インタフェースポートとを含む第1段保護回路を含み、電源ポートは、セルの正極に接続され、検出ポートは、セルの負極に接続され、低電位インタフェースポートは、充放電インタフェースのグラウンドポートに接続され、前記第1段保護回路は、セルに充電する時、過充電であるか否かを検出し、過充電である場合、前記充放電インタフェースを通じた前記セルに対する充電をオフするのに用いられ、前記第1段保護回路は、更には、前記セルが放電する時、過放電であるか否かを検出し、過放電である場合、前記セルによる前記充放電インタフェースを通じた放電をオフするのに用いられ、
前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位セルポートと、低電位セルポートと、高電位インタフェースポートとを含む第2段保護回路を更に含み、高電位セルポートは、前記セルの正極に外部接続され、低電位セルポートは、前記セルの負極に外部接続され、高電位インタフェースポートは、前記充放電インタフェースの電源ポートに外部接続され、前記第2段保護回路は、前記充放電インタフェースを通じて、セルに充電する時、ヒューズ線を通じて、過電圧保護及び過電流保護を行うのに用いられる
ことを特徴とする移動端末。
【請求項11】
前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップは、第1ヒューズ線、第2ヒューズ線、及び第7抵抗器を含み、
前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第1ヒューズ線ピンと第2ヒューズ線ピンの間において、前記第1ヒューズ線が前記第2ヒューズ線と直列接続され、更に、
前記第7抵抗器が、前記第1ヒューズ線と前記第2ヒューズ線との直列接続点と前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの電圧制限ピンとの間に接続されている
ことを特徴とする請求項3に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項12】
前記電源ピンの数と前記グラウンドピンの数は同じである
ことを特徴とする請求項9に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項13】
前記デフォルト電流閾値は、4アンペアである
ことを特徴とする請求項8に記載の過電圧・過電流保護回路。
【請求項14】
前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路を更に含み、
前記低電位ポートは、前記第1段保護回路の低電位インタフェースポートに接続され、前記高電位ポートは、前記第2段保護回路の高電位インタフェースポートに接続され、前記フィルター回路は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに充電する時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対してローパスフィルタリングを行うのに用いられる
ことを特徴とする請求項10に記載の移動端末。
【請求項15】
前記第2段保護回路は、第1抵抗器と、第1コンデンサと、第2抵抗器と、第2コンデンサと、第3抵抗器と、第3コンデンサと、電圧検出チップと、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップと、スイッチ回路とを含み、
前記第1抵抗器の第1端、前記第3抵抗器の第2端及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第2ヒューズ線ピンは、それぞれ、前記第2段保護回路の高電位セルポート、低電位セルポート、及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップの正電圧検出ピン、負電圧ピン、制御出力ピン、電源ピン、並びに遅延ピンは、それぞれ、前記第1抵抗器の第2端、前記第1コンデンサの第2端、前記第3抵抗器の第1端及び前記スイッチ回路の被制御ポート、前記第3コンデンサの第1端、並びに前記第2コンデンサの第1端に接続され、前記第1コンデンサの第2端、前記第3コンデンサの第2端、及び前記第2コンデンサの第2端は、全て前記第3抵抗器の第2端に接続され、前記第2抵抗器の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの第1ヒューズ線ピン及び前記第3コンデンサの第1端に接続され、前記第3抵抗器の第1端は、前記スイッチ回路の被制御ポートに接続され、前記スイッチ回路の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップの電圧制限ピン及び前記第3抵抗器の第2端に接続される
ことを特徴とする請求項10に記載の移動端末。
【請求項16】
前記スイッチ回路は、NMOSトランジスターを含み、
前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ、前記スイッチ回路の高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートであることを特徴とする請求項10に記載の移動端末。
【請求項17】
前記充放電インタフェースは、USBインタフェースである
ことを特徴とする請求項10に記載の移動端末。
【請求項18】
セルに対して充電を行う時に、第1段保護回路と第2段保護回路とにより、リアルタイムに充電時の電圧と充電時の電流とを検知し、
充電時の電圧がデフォルト電圧閾値より高い場合、または充電時の電流がデフォルト電流閾値より高い場合、またはセルが既に満充電になっている場合に、MOSトランジスターをコントロールする前記第1段保護回路によって、充電中のセルに対して充電を行う回路をオフする動作、及び、ヒューズ線をオフする前記第2段保護回路によって、充電中のセルに対して充電を行う回路をオフする動作の少なくとも一方を実行する
ことを含む過電圧・過電流保護方法。
【請求項19】
前記第1段保護回路によって、セルの放電時の抵抗器に流れる電流が検知され、及び、前記第2段保護回路によって、セルの放電時の前記ヒューズ線に流れる電流が検知され、
放電時の電流がデフォルト第2電流閾値より高い場合に、前記MOSトランジスターをコントロールする前記第1段保護回路によって、放電を行う回路をオフする動作、
及び、前記ヒューズ線をオフする前記第2段保護回路によって、放電を行う回路をオフする動作の少なくとも一方を実行すること
を更に含むことを特徴とする請求項18に記載の過電圧・過電流保護方法。
【請求項20】
前記電源信号によってセルを充電する前に、前記電源信号に対してローパスフィルタリングを行う
ことを特徴とする請求項18に記載の過電圧・過電流保護方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0015
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0016】
一方では、本発明は、セルと、充放電インタフェースとを含み、の過電圧・過電流保護回路を更に含む移動端末を提供す
る。 一方では、本発明は、過電圧・過電流保護回路方法を提供する。前記方法は、セルに対して充電を行う時に、第1段保護回路と第2段保護回路とにより、リアルタイムに充電時の電圧と充電時の電流とを検知する;充電時の電圧がデフォルト電圧閾値より高い場合、または充電時の電流がデフォルト電流閾値より高い場合、またはセルが既に満充電になっている場合に、MOSトランジスターをコントロールする第1段保護回路によって、充電中のセルに対して充電を行う回路をオフする動作、及び、ヒューズ線をオフする第2段保護回路によって、充電中のセルに対して充電を行う回路をオフする動作の少なくとも一方を実行する。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0024】
少なくとも一つの実施例では、セルに対して充電を行う際、第1段保護回路2は、電源ポート及びグラウンドポートを通じて、リアルタイムにセルに充電する充電電圧を検出する。一度充電電圧が大きくなりすぎると、第1段保護回路2は、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断する。また、一度セルが満充電されると、セルに対する過充電を避けるために、第1段保護回路2は、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断することにより、セルに対する充電を中止する。また、第1段保護回路2は、更には、リアルタイムに充電電流を検出し、もし充電電流が大きすぎる場合、充放電インタフェースがセルに充電する充電回路を切断する。第1段保護回路2は、MOSトランジスターを適用して、充電回路のオンオフを制御するため、MOSトランジスターが破損した(例えば、破壊された)時に充電回路を切断出来ないことを避けるために、本発明の実施例は、第2段保護回路1を増設する。第1段保護回路2がリアルタイムにセルの正負極両ポートの電圧を検出する同時に、第2段保護回路1もリアルタイムにセルの正負極両ポートの電圧(即ち、セルに充電する充電電圧)を検出し、及びリアルタイムにセルに充電する充電電流を検出する。一度セル充電電圧が大きくなりすぎると、セルは満充電され、或いは、充電電流が大きすぎることで、第2段保護回路1は、ヒューズ線をオフする方式を通じて、充電回路を切断する。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0027】
本発明のもう一つの実施例において、前記過電圧・過電流保護回路は、
高電位ポートと、低電位ポートとを含むフィルター回路3を更に含む。その中で、
低電位ポートは、前記第1段保護回路2の低電位インタフェースポートに接続され、
高電位ポートは、前記第2段保護回路1の高電位インタフェースポートに接続される。前記フィルター回路3は、前記充放電インタフェースを通じて、前記セルに充電する時、前記充放電インタフェースからアクセスした電気信号に対してローパスフィルタリングを行うのに用いられる。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0031】
前記第1抵抗器R1の第1端、前記第3抵抗器R3の第2端、及び前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第2ヒューズ線ピンF2は、それぞれ、前記第2段保護回路1の高電位セルポート、低電位セルポート、及び高電位インタフェースポートであり、前記電圧検出チップU1の正電圧検出ピンSENSE、負極電圧ピンVSS、制御出力ピンCO、電源ピンVCC、
並びに遅延ピンLCTは、それぞれ、前記第1抵抗器R1の第2端、前記第1コンデンサC1の第
2端、前記第3抵抗器R3の第
1端
及び前記スイッチ回路11の被制御ポート、前記第3コンデンサC3の第1端、
並びに前記第2コンデンサC2の第1端に接続され、前記第1コンデンサC1の第2端、前記第3コンデンサC3の第2端、及び前記第2コンデンサC2の第2端は、全て前記第3抵抗器R3の第2端に接続され、前記第2抵抗器R2の第1端及び第2端は、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1及び前記第3コンデンサC3の第1端に接続され、前記第3抵抗器R3の第1端は、前記スイッチ回路11の
被制御ポートに接続され、前記スイッチ回路11の高電位ポート及び低電位ポートは、それぞれ、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の電圧制限ピンHEATER及び前記第3抵抗器R3の第2端に接続される。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0037
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0037】
一般に、セルが放電する時、過電圧問題は存在しないが、もし存在すれば、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第1ヒューズ線ピンF1と電圧制限ピンHEATERとの間の一本のヒューズ線を通じて、過電圧保護を実現できる。その作業原理は、充電する時、電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2の第2ヒューズ線ピンF2及び電圧制限ピンHEATERを通じて、過電圧保護を実現する原理と類似し、ここでは、詳細に記述しないことにする。
少なくとも一つの実施例において、前記電圧制限・電流制限ヒューズ線チップU2のモデルは、SFJ−0412であ
る。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0038
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0038】
また、
少なくとも一つの実施例では、スイッチ回路11の制御需要によって、電圧検出チップU1の制御出力ピンCOが出力する制御信号は、高電位信号或いは低電位信号であ
る。尚、前記スイッチ回路11は、NMOSトランジスター或いはPMOSトランジスターで構成される回路を採用しても良い。例えば、当該制御信号が低電位信号である場合、スイッチ回路11は、PMOSトランジスターを選んで実現する。
【手続補正17】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0039
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0039】
本発明の
少なくとも一つの実施例として、前記電圧検出チップU1は、S8244_Cを選ぶことによって、充電電圧が大きすぎる場合、電圧検出チップU1の制御出力ピンCOが、ハイレベル信号を出力するようになる。
【手続補正18】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0040
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0040】
少なくとも一つの実施例において、前記スイッチ回路11は、NMOSトランジスターを含み、前記NMOSトランジスターのドレイン電極、ゲート電極、及びソース電極は、それぞれ前記スイッチ回路11の高電位ポート、被制御ポート、及び低電位ポートであ
る。
【手続補正19】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0043
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0043】
前記第4抵抗器R4の第1端、前記第5抵抗器R5の第1端、及び前記第6抵抗器R6の第2端は、それぞれ、前記第
1段保護回路
2の電源ポート、検出ポート、及び低電位インタフェースポートである。前記過充電・過放電検出チップU3の電流検出ピンCS、電源ピンVDD、グラウンドピンVSS、低電位ピンV、過充電ピンCOUT、及び過放電ピンDOUTは、それぞれ、前記第
5抵抗器R
5の第2端、前記第4コンデンサC4の第1端、前記第5抵抗器R5の第1端、前記第6抵抗器R6の第1端、前記第3スイッチチップU4の第1ゲート電極ピンG1、及び前記第3スイッチチップU4の第2ゲート電極ピンG2に接続され、前記第4コンデンサC4の第2端は、前記第5抵抗器R5の第1端に接続され、前記第3スイッチチップU4の第1ソース電極ピンS1及び第2ソース電極ピンS2は、それぞれ、グラウンド及び前記第5抵抗器R5の第2端に接続され、前記第4スイッチチップU5の第3ゲート電極ピンG3、第4ゲート電極ピンG4、第3ソース電極ピンS3、及び第4ソース電極ピンS4は、それぞれ、前記第3スイッチチップU4の第1ゲート電極ピンG1、第2ゲート電極ピンG2、第1ソース電極ピンS1、及び第2ソース電極ピンS2に接続され、直列接続された後の前記第5コンデンサC5及び前記第6コンデンサC6は、前記第3スイッチチップU4の第1ソース電極ピンS1と第2ソース電極ピンS2との間に接続され、前記第6抵抗器R6の第2端は、接地される。
【手続補正20】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0048
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0048】
本発明の一つの実施例において、前記充放電インタフェースは、汎用シリアルバス(UniversalSerialBus、USB)のインタフェースである。
少なくとも一つの実施例において、USBインタフェースは、従来のもの(例えば:常用の5ボルトのUSBインタフェース)でも良い。また、USBインタフェースは、従来のものを適用しなくても良く、充電電流の需要によって、二種の方式を適用して耐えられる充電電流を増大しても良い。第1の方式としては、大電流に耐えられるピンを選定することにより、充電電流に耐えられるようにする。第2の方式としては、従来のUSBインタフェースにおいて、等間隔で(当該間隔は、従来のUSBインタフェースにおけるピン間の間隔である)同じ数量の電源ピン及びグラウンドピンを増加させることであり、ひいては、ピンを増加したUSBインタフェースは、異なる大きい充電電流を使用出来る。勿論、第1及び第2の方式である、耐えられる最大充電電流を増大させる方式の両方を同時に適用しても良い。
【手続補正21】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0049
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0049】
本発明の
少なくとも一つの実施例において、前記USBインタフェースの電源ポート及びグラウンドポートは、デフォルト電流閾値及びそれ以下の電流に耐えられる。
少なくとも一つの実施例において、前記デフォルト電流閾値は、4アンペアであ
る。
【手続補正22】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0050
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0050】
少なくとも一つの実施例において、前記USBインタフェースの電源ポートは、少なくとも二つの電源ピンであり、前記USBインタフェースのグラウンドポートは、少なくとも二つのグラウンドピンであ
る。その中で、電源ピンを通じて、電源信号を伝送し、グラウンドピンを通じて、グラウンド信号を伝送する。
【手続補正23】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0051
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0051】
少なくとも一つの実施例において、従来のUSBインタフェースと互換出来るように、耐えられる充電電流を増大すべきである時、従来のUSBインタフェースにおいて、等間隔で一つ或いは複数の電源ピン及び一つ或いは複数のグラウンドピンを増加させる。その中で、増設された電源ピンの数とグラウンドピンの数は同じである。また、ピンが増設された後のUSBインタフェースに含まれる各ピン間の間隔は、従来のUSBインタフェースにおけるピン間の間隔である。セルにだけ通常の充電すべきである場合、従来のUSBインタフェースを適用し、従来のUSBインタフェースに対する互換性を実現出来る。
【国際調査報告】