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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2015-119040(P2015-119040A)
(43)【公開日】2015年6月25日
(54)【発明の名称】封止シート貼付け方法
(51)【国際特許分類】
   H01L 21/56 20060101AFI20150529BHJP
【FI】
   H01L21/56 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】OL
【全頁数】12
(21)【出願番号】特願2013-261462(P2013-261462)
(22)【出願日】2013年12月18日
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】394016601
【氏名又は名称】日東精機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100093056
【弁理士】
【氏名又は名称】杉谷 勉
(74)【代理人】
【識別番号】100142930
【弁理士】
【氏名又は名称】戸高 弘幸
(74)【代理人】
【識別番号】100175020
【弁理士】
【氏名又は名称】杉谷 知彦
(74)【代理人】
【識別番号】100180596
【弁理士】
【氏名又は名称】栗原 要
(72)【発明者】
【氏名】松下 孝夫
(72)【発明者】
【氏名】橋本 淳
(72)【発明者】
【氏名】森 伸一郎
【テーマコード(参考)】
5F061
【Fターム(参考)】
5F061AA01
5F061BA07
5F061CA26
5F061DA11
5F061DB01
(57)【要約】
【課題】半導体基板と封止シートの接着界面に気泡を巻き込むことなく当該封止シートを半導体基板に精度よく貼り付ける。
【解決手段】チャンバ内に備わった保持テーブルに載置されている半導体基板の上に当該半導体基板と同形状の封止シートを載置し(ステップS5)、チャンバ内が真空状態に達するまで、封止層が軟化を開始する未満の温度に保ち(ステップS7)、チャンバ内が真空状態に達した後に、封止層の軟化を開始する温度以上に上げ(ステップS8)、その後に封止シートを加圧して半導体基板に封止シートを貼り付ける(ステップS9)。
【選択図】図3
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体装置を製造する過程で樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け方法であって、
減圧室の保持テーブルに載置されている前記半導体基板上に当該半導体基板と同形状の封止シートを載置する載置過程と、
真空状態の前記減圧室内で封止シートを加熱しながら加圧部材で加圧して半導体基板に貼り付ける貼付け過程と、
を備えたことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項2】
請求項1に記載の封止シート貼付け方法において、
前記貼付け過程で、減圧室内が真空状態に達するまで、封止層が軟化を開始する未満の温度に保ち、
前記減圧室が真空状態に達した後に、封止層の軟化を開始する温度以上に上げて封止シートを加圧する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載の封止シート貼付け方法において、
前記載置過程で、保持テーブルの保持面から進退可能な支持部材によって当該保持テーブルから離間されて保持されたプレートに半導体基板を載置し、
前記貼付け過程では、前記プレートを昇降させて保持テーブルに当接させ、当該保持テーブルに埋設されたヒータによって封止シートを加熱する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【請求項4】
請求項3に記載の封止シート貼付け方法において、
前記プレートは、支持部材に着脱可能に構成されており、
前記載置過程では、半導体基板が予め載置されたプレートを支持部材に載置した後に、当該半導体基板上に封止シートを載置し、
前記封止シートの貼り付けを完了した半導体基板をプレートごと減圧室から搬出する
ことを特徴とする封止シート貼付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板を含む半導体基板の回路面に樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付け、当該回路面を封止する封止シート貼付け方法に関する。
【背景技術】
【0002】
1個の半導体チップの周りを枠体で囲んだ後に、樹脂を含浸させたプリプレグから成る第1の封止用樹脂シートと第2の封止用樹脂シートによって当該半導体チップの両面をそれぞれから挟み込み、半導体チップを封止して半導体装置を製造している(特許文献1を参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平5−291319号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上記従来方法では次のような問題が生じている。
【0005】
すなわち、近年、アプリケーションの急速な進歩に伴う高密度実装の要求により、半導体装置が小型化される傾向にある。したがって、ダイシング処理によって半導体ウエハを半導体素子に分断した後に、半導体素子を個々に樹脂で封止しているので、スループットが低下し、ひいては生産効率を低下させるといった不都合が生じている。
【0006】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体基板に封止シートを効率よく、かつ、精度よく貼り付けることのできる封止シート貼付け方法を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
そこで、本発明者たちは、当該不都合を解決するために、実験やシミュレーションを繰り返して鋭意検討した結果、以下の知見を得た。
【0008】
半導体基板の全面に樹脂組成物からなる封止層の形成された枚葉の封止シートを貼り付けて硬化させた後に、当該半導体装置に分断することを試みた。
【0009】
しかしながら、ダイシング処理によって分断されたチップに比べて大面積の半導体基板と同形状の封止シートを当該半導体基板に貼り付ける当該方法の場合、封止シート自体が厚みおよび剛性を有している。その結果、貼付け過程で封止シートと半導体基板との接着界面に気泡が巻き込まれやすく、封止層内にボイドを発生する。特に、封止シートを貼り付けた後に、加熱よって封止層の重合反応を促進させて本硬化させる場合、気泡が膨張して半導体装置が不良品になるといった問題が新たに発生した。
【0010】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【0011】
すなわち、半導体装置を製造する過程で樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを半導体基板に貼り付ける封止シート貼付け方法であって、
減圧室の保持テーブルに載置されている前記半導体基板上に当該半導体基板と同形状の封止シートを載置する載置過程と、
真空状態の前記減圧室内で封止シートを加熱しながら加圧部材で加圧して半導体基板に貼り付ける貼付け過程と、
を備えたことを特徴とする。
【0012】
(作用・効果) 上記方法によれば、真空状態の減圧室内で封止シートを加熱して加圧するので、封止シートと半導体基板の接着界面からエアーが排出される。したがって、当該接着界面に気泡が巻き込まれるのを回避することができ、ひいては半導体装置の不良率を低減させることができる。
【0013】
なお、上記方法において、貼付け過程で、減圧室内が真空状態に達するまで、封止層が軟化を開始する未満の温度に保ち、
前記減圧室が真空状態に達した後に、封止層の軟化を開始する温度以上に上げて封止シートを加圧することが好ましい。
【0014】
この方法によれば、減圧室が真空状態になるまで封止シートの封止層は、シート形態を保っている。すなわち、半導体基板の表面の凹凸と封止シートの間のエアーが完全に排出された後に封止層が加熱されて軟化し、半導体基板の表面に密着させられる。したがって、封止シートと半導体基板の接着界面への気泡の巻き込みを確実に回避することができる。
【0015】
また、上記方法において、載置過程で、保持テーブルの保持面から進退可能な支持部材によって当該保持テーブルから離間されて保持されたプレートに半導体基板を載置し、
貼付け過程では、前記プレートを昇降させて保持テーブルに当接させ、当該保持テーブルに埋設されたヒータによって封止シートを加熱することが好ましい。
【0016】
例えば、プレートは、支持部材に着脱可能に構成されており、
前記載置過程では、半導体基板が予め載置されたプレートを支持部材に載置した後に、当該半導体基板上に封止シートを載置し、
前記封止シートの貼り付けを完了した半導体基板をプレートごと減圧室から搬出する。
【0017】
この方法によれば、前処理で利用されたプレートの再利用が回避されるので、次の処理対処の半導体基板と封止シートの接着界面への気泡の巻き込みを回避することができる。前処理によって高温状態のプレートに次の処理対象の半導体基板と封止シートを載置することになる。つまり、減圧室が真空状態になる前に、保持テーブルの余熱によって封止シートが軟化されて半導体基板の表面に貼り付いてゆき、接着界面に気泡が巻き込まれる。
【0018】
しかしながら、この方法によれば、貼付け処理後にプレートが保持テーブルから離間されるか、或いは搬出されて新しいプレートに交換されるので、プレートは、自然冷却されるか、或いは室温状態に保たれている。したがって、加圧前に封止層が軟化することがないので、封止シートの貼付け処理を繰り返しておこなっても、接着界面への気泡の巻き込みを確実に回避することができる。
【発明の効果】
【0019】
本発明の封止シート貼付け方法によれば、半導体基板に封止シートを精度よく貼り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
図1】封止シートの断面図である。
図2】封止シート貼付け装置の全体構成を示す正面である。
図3】封止シートの貼付け処理を示すフローチャートである。
図4】基板の搬出動作を示す正面図である。
図5】保持テーブルに基板を載置する動作を示す正面図である。
図6】封止シートの搬出動作を示す正面図である。
図7】封止シートから第2剥離ライナを剥離する動作を示す正面図である。
図8】保持テーブル上の基板に封止シートを載置する動作を示す正面図である。
図9】封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
図10】封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
図11】封止シートの貼付け処理が完了した状態を示す正面図である。
図12】変形例の封止シート貼付け装置の要部を示す正面図である。
図13】変形例のプレートの縦断面図である。
図14】変形例の封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
図15】変形例の封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
図16】変形例の封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
図17】変形例の封止シートの貼付け動作を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。表面に複数個の半導体素子が形成された半導体基板に、樹脂組成物からなる封止層の形成された封止シートを貼り付ける場合を例に取って説明する。
【0022】
<封止シート>
封止シートTは、例えば、図1に示すように、ワークよりも大形かつ矩形のもが利用される。また、当該封止シートTは、封止層Mの両面に保護用の第1剥離ライナS1および第2剥離ライナS2が添設されている。
【0023】
封止層Mは、封止材料からシート形状に形成されている。封止材料としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、などの熱硬化性樹脂が挙げられる。また、封止材料として、上記した熱硬化性樹脂と、添加剤を適宜の割合で含有する熱硬化性樹脂組成物を挙げることもできる。
【0024】
添加剤としては、例えば、充填剤、蛍光体などが挙げられる。充填剤としては、例えば、シリカ、チタニア、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子、例えば、シリコーン粒子、などの有機微粒子などが挙げられる。蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変化することのできる赤色蛍光体などを挙げることができる。黄色蛍光体としては、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型蛍光体が挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu、CaSiN:Euなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
【0025】
封止層Mは、半導体素子を封止する前において、半固形状に調整されており、具体的には、封止材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、例えば、完全硬化(Cステージ化)する前、つまり、半硬化(Bステージ)状態で調整されている。
【0026】
封止層Mの寸法は、半導体素子および基板の寸法に応じて適宜に設定されている。具体的には、封止シートが長尺のシートとして用意される場合における封止層の左右方向における長さ、つまり、幅は、例えば、100mm以上、好ましくは、200mm以上であり、例えば、1500mm以下、好ましくは、700mm以下である。また、封止層の厚みは、半導体素子に寸法に対応して適宜に設定され、例えば、30μm以上、好ましくは、100μm以上であり、また、例えば、3000μm以下、好ましくは、1000μm以下である。
【0027】
第1剥離ライナS1および第2剥離ライナS2は、例えば、ポリエチレンシート、ポリエステルシート(PETなど)、ポリスチレンシート、ポリカーボネートシート、ポリイミドシートなどのポリマーシート、例えば、セラミックシート、例えば、金属箔などが挙げられる。剥離ライナにおいて、封止層と接触する接触面には、フッ素処理などの離型処理を施すこともできる。第1剥離ライナおよび第2剥離ライナの寸法は、剥離条件に応じて適宜に設定され、厚みが、例えば、15μm以上、好ましくは、25μm以上であり、また、例えば、125μm以下、好ましくは、75μm以下である。
【0028】
<封止シート貼付け装置>
以下、本発明の封止シート貼付け方法を実施可能な一実施形態の封止シート貼付け装置について説明する。
【0029】
図2は、封止シート貼付け装置の全体構成を示す平面図である。
【0030】
封止シート貼付け装置は、保持テーブル1およびチャンバ2などから構成されている。なお、チャンバ2は、本発明の減圧室に相当する。
【0031】
保持テーブル1は、チャンバ2を構成する上下一対の上ハウジング2Aと下ハウジング2Bのうち、下ハウジング2Bに収納されている。
【0032】
また、下ハウジング2Bは、ガイドレール3に沿って、装置本体の前側の半導体基板W(以下、単に「基板W」という)の受け取り位置と上ハウジング2Aの下方の間を往復移動するよう構成されている。
【0033】
チャンバ2を構成する上ハウジング2Aには、昇降駆動機構5に備えてられている。この昇降駆動機構5は、可動台6、可動枠7、アーム8、支軸9などから構成されている。
【0034】
可動台6は、縦壁10の背部に縦向きに配置されたレール11に沿って昇降可能に構成されている。すなわち、ネジ軸12をモータ13によって正逆転することでねじ送り昇降されるようになっている。
【0035】
可動枠7は、可動台6に高さ調節可能に支持されている。この可動枠7から前方に向けて、アーム8が延出されている。さらに、このアーム8の先端部から下方に延出する支軸9に上ハウジング2Aが装着されている。
【0036】
また、上ハウジング2Aの内部には、基板Wよりも大形の押圧部材15が内装されている。この押圧部材15には、底面が平坦なブロック状であり、昇降可能に構成されている。なお、押圧部材15には、ヒータ16が埋設されている。
【0037】
なお、チャンバ2は、外部の真空源と流路を介して連通接続されており、内部を真空状態に減圧するよう構成されている。
【0038】
次に、上記実施例装置を用いて封止シートTを基板Wの表面に貼り付けるための一連の動作を図3に示すフローチャートおよび図4から図11に基づいて説明する。
【0039】
貼付け指令が出されると、基板搬送機構のロボットアームの先端に備わったベルヌーイチャック20をカセット台に載置されたカセットCに向けて移動させる。ベルヌーイチャック20は、図4に示すように、カセットCに所定間隔において多段に収容されている基板W同士の隙間に挿入される。ベルヌーイチャック20によって基板Wを非接触で吸着保持したロボットアームは、屈曲進退および昇降しながらカセットCから基板Wを搬出してアライメントステージに載置する(ステップS1)。
【0040】
アライメントステージに載置された基板Wは、外周に形成されているノッチを利用して位置合わせされる(ステップS2)。位置合わせの済んだ基板Wは、ベルヌーイチャック20によって再び搬出される。ベルヌーイチャック20は、図5に示すように、受け渡し位置で待機している保持テーブル1に基板Wを載置する(ステップS3)。保持テーブル1は、基板Wを吸着保持したまま、上ハウジング2Aの下方へと移動する。
【0041】
他方のシート搬送機構が、封止シートTを積層収納したシート供給部21の上方に移動し、図6に示すように、所定高さまでシート保持部22を下降させる。この第1搬送機構のシート保持部22が、封止シートTを搬出する(ステップS4)。
【0042】
シート保持部22によって吸着保持された封止シートTは、保持テーブル1に搬送されるまでに、剥離ユニットによって裏面側の第2剥離ライナS2が剥離される。すなわち、図7に示すように、剥離ユニットの貼付けローラ25が、封止シートTの裏面側の端部に達すると、シリンダ26によって貼付けローラ25が上昇して剥離テープTsを第2剥離ライナS2に貼り付ける。その後、剥離ユニットは、貼付けローラ25を移動させながら剥離テープTsを第2剥離ライナS2に貼り付けるとともに、当該移動速度に同期させて剥離テープTsをテープ回収部27に巻き取る。このとき、第2剥離ライナS2は、剥離テープTsと一体となって封止シートTから剥離される(ステップS5)。
【0043】
第2剥離ライナS2が封止シートTから剥離されると、シート保持部22は、保持テーブル1へと移動し、図8に示すように、保持テーブル1の上に予め載置されている基板Wの上に封止シートTを載置する(ステップS6)。
【0044】
上ハウジング2Aの下端が下ハウジング2Bの上端に当接する位置まで下降する。つまり、上ハウジング2Aと下ハウジング2Bが協働してチャンバ2を形成する(ステップS7)。その後、チャンバ2の内部が真空に達するまで減圧してゆく(ステップS8)。このとき、チャンバ2の内部は、室温状態(例えば、25℃)に保たれている。なお、チャンバ2の内部の温度は、使用する封止シートTの特性によって適宜に設定変更されるものであって、封止シートTの封止層Mが軟化を開始する未満の温度に設定されていればよい。また、チャンバ2の内部に配備されている押圧部材15および保持テーブル1も同様に、封止層Mが軟化を開始する未満の温度に保たれている。
【0045】
チャンバ2の内部が真空状態に達すると、図9に示すように、押圧部材15を下降させて封止シートTに当接させるとともに、保持テーブル1および押圧部材15に備わったヒータ4、16を作動させて加熱する(ステップS9)。加熱により封止シートTが軟化を開始するのに伴って、図10に示すように、押圧部材15を所定高さまで下降させて封止シートTを押圧する(ステップS10)。
【0046】
加熱および加圧処理が所定時間に達すると、ヒータ4、16の作動を停止させる。また、押圧部材15を上昇させて封止シートTの加圧を解除する。さらに、チャンバ2の内部の気圧を徐々に上げて大気状態に戻す。
【0047】
その後、チャンバ2の内部が大気状態に達した時点で、図11に示すように、上ハウジング2Aを上昇させた後に(ステップS11)、保持テーブル1を基板搬送機構の受け渡し位置まで移動させる。受け渡し位置で、封止シートTの貼り付けられた基板Wをベルヌーイチャック20によって非接触で次の工程に搬送またはカセットに収納する(ステップS12)。以上で一連の動作が終了する。その後、所定の処理枚数に達するまで、この一連の処理が繰り返される(ステップS13)。
【0048】
上述の封止シート貼付け方法によれば、封止シートTを基板Wに載置した状態でチャンバ2の内部を減圧して真空状態にした後に、封止シートを加熱して軟化させるので、封止シートTと基板Wの接着界面に気泡を巻き込むのを回避される。したがって、封止シートを貼り付けた後に、封止シートを完全に硬化させる本硬化処理を行っても、封止層Mにボイドが発生して製品不良を招くことがない。
【0049】
なお、本発明は以下のような形態で実施することもできる。
【0050】
(1)上記実施例装置において、封止シートTの加熱を開始するまで、保持テーブル1と非接触状態でチャンバ2の内部に基板Wを保持するよう構成してもよい。
【0051】
例えば、保持テーブル1は、図12に示すように、基板Wよりも大形の四角形または円形のプレート30を備える。このプレート30は、保持テーブル1から進退可能な複数個の支持部材31とバネ32の組によって保持テーブル1から離間するように上向きに弾性付勢されている。
【0052】
プレート30の表面は、平坦であってもよいし、或いは、図13に示すように、基板Wを収納可能なように、基板Wよりも僅かに大きく切り欠いた段部33を形成したものであってもよい。段部33を有するプレート30を利用すると、プレート30が吸着機能を有さずとも基板Wの位置合わせ状態を維持することが可能になる。
【0053】
この保持テーブル1を利用して封止シートTを基板Wに貼り付ける動作について図114から図18を参照して説明する。
【0054】
図14に示すように、プレート30の上に基板Wおよび封止シートTを重ね合わせて載置する。上ハウジング2Aを下降させてチャンバ2を形成し、内部を真空状態にする。
【0055】
その後、ヒータ4、16を作動させるとともに、図15に示すように、押圧部材15を下降させて封止シートTに当接させる。さらに、押圧部材15を所定高さまで下降させる過程で、図16に示すように、バネ32の付勢力に抗して支持部材31が保持テーブル1の内部に後退してゆき、プレート30の底面が保持テーブル1の上面に当接する。この状態で所定の押圧が封止シートTにかけられ、封止シートTの封止層Mが軟化して基板Wに密着してゆく。
【0056】
封止層Mが軟化して基板Wに密着可能な予め決めた時間が経過すると、ヒータ4、16を停止するとともに、押圧部材15を上昇させる。ことのき、上向きのバネ付勢力によって突き上がる支持部材31によって、図17に示すように、プレート30も保持テーブル1から離間して所定高さまで上昇する。また、チャンバの内部を室内と同じ大気状態に戻す。その後、上ハウジング2Aを上昇させて封止シートTの貼り付けられた基板Wを搬出する。
【0057】
なお、支持部材31は、バネ32によって付勢される構成に限定されるものではなく、例えば、エアーシリンダやパルスモータのどによって、保持テーブル1からプレート30を離間可能にする構成であればよい。
【0058】
この方法によれば、封止シートTの貼付け処理が完了する度に、プレート30が上昇するので、ヒータ4をオフにした状態で保持テーブル1からプレート30への余熱の伝達を断つことができる。換言すれば、貼付け処理完了ごとにプレート30を効率よく自然冷却させることができる。したがって、前処理後に次の処理対象の基板Wおよび封止シートWを直ちにプレート30に載置しても、チャンバ2の内部が真空状態に達する前に、保持テーブル1の余熱によって封止層Mが軟化して基板Wに密着するのを回避することができる。
【0059】
この方法の場合、基板Wを予め載置した複数個のプレート30を用意しておき、プレート30を保持テーブル1の支持部材31の上に搬入および搬出するようにしてもよい。この場合、室温に保たれたプレート30によって基板Wを保持テーブル1に供給するので、基板Wに載置される封止シートTの封止層Mが、ヒータ4の余熱によって軟化することがない。
【0060】
(2)上記各実施例において、ヒータ4、16は、保持テーブル1と押圧部材15の両方に備えていてもよいし、いずれか一方に備えた構成であってもよい。
【0061】
(3)上記実施例では、円形の基板Wを例にとって説明したが、基板形状は、正方形、長方形または多角形であってもよい。
【0062】
(4)上記実施例では、封止シートTのサイズが基板Wと同じあってが、基板Wよりも小さくてもよい。つまり、貼付け過程で押圧されて基板Wと同じサイズに封止シートを延伸するようにしてもよい。
【符号の説明】
【0063】
1 … 保持テーブル
2 … チャンバ
4 … ヒータ
15 … 押圧部材
16 … ヒータ
30 … プレート
31 … 支持部材
32 … バネ
T … 封止シート
M … 封止層
S1 … 第2カバーフィルム
S2 … 第2カバーフィルム
W … 半導体基板
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16
図17